JPH05304280A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH05304280A JPH05304280A JP4107437A JP10743792A JPH05304280A JP H05304280 A JPH05304280 A JP H05304280A JP 4107437 A JP4107437 A JP 4107437A JP 10743792 A JP10743792 A JP 10743792A JP H05304280 A JPH05304280 A JP H05304280A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光センサを内蔵した半導体集積回路装置にお
ける集積回路の高周波数特性を改善する。 【構成】 光センサ内蔵の半導体集積回路装置におい
て、半導体集積回路装置の全面に渡って一体的形成され
た遮光アルミニウム膜１を備える。そして特に、高周波
信号が伝達する配線５や高周波信号が印加されるその他
の素子上の遮光アルミニウム膜１を部分的に開口する。 【効果】 遮光アルミニウム膜１により入射する光によ
り誤動作を防止する。同時に、配線５やその他の素子と
遮光アルミニウム膜１との間で形成される寄生容量が大
幅に削減でき、集積回路の高周波特性を改善することが
できる。
ける集積回路の高周波数特性を改善する。 【構成】 光センサ内蔵の半導体集積回路装置におい
て、半導体集積回路装置の全面に渡って一体的形成され
た遮光アルミニウム膜１を備える。そして特に、高周波
信号が伝達する配線５や高周波信号が印加されるその他
の素子上の遮光アルミニウム膜１を部分的に開口する。 【効果】 遮光アルミニウム膜１により入射する光によ
り誤動作を防止する。同時に、配線５やその他の素子と
遮光アルミニウム膜１との間で形成される寄生容量が大
幅に削減でき、集積回路の高周波特性を改善することが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光センサ内蔵半導体
集積回路（以下光センサ内蔵ＩＣという）装置に関し、
特に光センサ内蔵ＩＣの電気的特性を改善するための技
術に関するものである。
集積回路（以下光センサ内蔵ＩＣという）装置に関し、
特に光センサ内蔵ＩＣの電気的特性を改善するための技
術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】コンパクトディスクプレイヤーに用いら
れる光信号検出のためのＩＣで使用されるアナログ信号
の周波数は５ＭＨｚ程度であったが、近年特にレーザデ
ィスク用のＩＣでは２０ＭＨｚの高周波信号の処理の要
求が高まっている。そのため、高周波信号に対する光セ
ンサ内蔵ＩＣの周波数特性の改善が必要である。従来の
光センサ内蔵ＩＣ装置について図８を用いて説明する。
図８はコンパクトディスクプレイヤーの光ピックアップ
用ＩＣ等に用いられる光センサ内蔵ＩＣのチップの平面
図である。
れる光信号検出のためのＩＣで使用されるアナログ信号
の周波数は５ＭＨｚ程度であったが、近年特にレーザデ
ィスク用のＩＣでは２０ＭＨｚの高周波信号の処理の要
求が高まっている。そのため、高周波信号に対する光セ
ンサ内蔵ＩＣの周波数特性の改善が必要である。従来の
光センサ内蔵ＩＣ装置について図８を用いて説明する。
図８はコンパクトディスクプレイヤーの光ピックアップ
用ＩＣ等に用いられる光センサ内蔵ＩＣのチップの平面
図である。
【０００３】図において、１は遮光アルミニウム膜、２
はリードを接続するパッド、３，４は光を検出するため
の光センサである。従来の光センサ内蔵ＩＣ装置は、外
から入射した光による回路の誤動作を防止するため、光
を感知する光センサ３，４及びパッド２の上部を除いて
チップ全体を遮光アルミニウム膜１で遮光している。
はリードを接続するパッド、３，４は光を検出するため
の光センサである。従来の光センサ内蔵ＩＣ装置は、外
から入射した光による回路の誤動作を防止するため、光
を感知する光センサ３，４及びパッド２の上部を除いて
チップ全体を遮光アルミニウム膜１で遮光している。
【０００４】次に、図８に示した光センサ内蔵ＩＣ装置
の光センサ３により検知した光信号を処理する集積回路
の一部分の概要について図９を用いて説明する。図９は
光センサで検知した信号を処理する集積回路の構成を示
すブロック図である。図において、５は一方端を光セン
サ３の出力端に接続し、光センサ３で検知した信号を伝
達する配線、６は配線５の他方端に接続し、光センサ３
で検知した信号が印加されるコンデンサ、７は入力端を
配線５に接続し、光センサ３で検出した信号を電圧に変
換する電流−電圧変換回路、８はコンデンサを通った信
号を伝達する配線、９は光センサ３で検知した高周波信
号を処理する高周波増幅器、１０は光センサ４の信号を
伝達する配線、Ｂ１〜Ｂ８は光センサ３，４の出力信号
を処理する信号処理ブロックである。そして、Ｂ１〜Ｂ
４は光センサ３の出力した信号を検出するブロック、Ｂ
５は光センサ３の検知した信号のうち高周波のみを通す
ハイパスフィルター、Ｂ６は高周波信号を処理するブロ
ック、Ｂ７，Ｂ８は光センサ４で光を感知しているか否
かを検出するブロックである。従って、光センサから出
力された高周波信号は、配線５、コンデンサ６、配線８
を伝達して高周波増幅器９に入力される。
の光センサ３により検知した光信号を処理する集積回路
の一部分の概要について図９を用いて説明する。図９は
光センサで検知した信号を処理する集積回路の構成を示
すブロック図である。図において、５は一方端を光セン
サ３の出力端に接続し、光センサ３で検知した信号を伝
達する配線、６は配線５の他方端に接続し、光センサ３
で検知した信号が印加されるコンデンサ、７は入力端を
配線５に接続し、光センサ３で検出した信号を電圧に変
換する電流−電圧変換回路、８はコンデンサを通った信
号を伝達する配線、９は光センサ３で検知した高周波信
号を処理する高周波増幅器、１０は光センサ４の信号を
伝達する配線、Ｂ１〜Ｂ８は光センサ３，４の出力信号
を処理する信号処理ブロックである。そして、Ｂ１〜Ｂ
４は光センサ３の出力した信号を検出するブロック、Ｂ
５は光センサ３の検知した信号のうち高周波のみを通す
ハイパスフィルター、Ｂ６は高周波信号を処理するブロ
ック、Ｂ７，Ｂ８は光センサ４で光を感知しているか否
かを検出するブロックである。従って、光センサから出
力された高周波信号は、配線５、コンデンサ６、配線８
を伝達して高周波増幅器９に入力される。
【０００５】図１０は、図８における光センサ３の周囲
を拡大した図である。図１０において、１１は光センサ
３と配線５を接続するためのパッドである。図１０のＣ
−Ｃ矢視断面の斜視図を図１１に示す。図１１におい
て、１は導電性の遮光膜、１５は層間絶縁膜、ｋ１は配
線５の周辺領域である。その他の図８と同一符号は図８
と同一もしくは相当する部分を示す。図に示すように領
域ｋ１において、配線５とアルミニウム遮光膜１との間
で寄生容量形成される。
を拡大した図である。図１０において、１１は光センサ
３と配線５を接続するためのパッドである。図１０のＣ
−Ｃ矢視断面の斜視図を図１１に示す。図１１におい
て、１は導電性の遮光膜、１５は層間絶縁膜、ｋ１は配
線５の周辺領域である。その他の図８と同一符号は図８
と同一もしくは相当する部分を示す。図に示すように領
域ｋ１において、配線５とアルミニウム遮光膜１との間
で寄生容量形成される。
【０００６】一般的に、図１２に示すように層間絶縁層
１５を挟んで導電性の遮光膜１と配線５のような導電層
の重なり部分では、図１３に示すように、二つの平行な
導電性の板２０により構成された平行板コンデンサと等
価的に考えることができる。このコンデンサの容量Ｃ
は、平板２０に挟まれた物質の非誘電率をεr 、平行平
板２０間の距離をｄ、平板２０の面積をＳ、真空の誘電
率をε0 とすると、 Ｃ＝Ｅo ・Ｅr ・Ｓ／ｄ の関係が成立する。
１５を挟んで導電性の遮光膜１と配線５のような導電層
の重なり部分では、図１３に示すように、二つの平行な
導電性の板２０により構成された平行板コンデンサと等
価的に考えることができる。このコンデンサの容量Ｃ
は、平板２０に挟まれた物質の非誘電率をεr 、平行平
板２０間の距離をｄ、平板２０の面積をＳ、真空の誘電
率をε0 とすると、 Ｃ＝Ｅo ・Ｅr ・Ｓ／ｄ の関係が成立する。
【０００７】従って、比較的大きなコンデンサや長い配
線等で寄生容量を形成する面積が大きくなる場合には寄
生容量が大きくなり、その影響が大きい。
線等で寄生容量を形成する面積が大きくなる場合には寄
生容量が大きくなり、その影響が大きい。
【０００８】次に、図１４に基板上に形成されたコンデ
ンサの断面図を示す。図において、２１はアルミニウム
電極、２２はＮ型半導体拡散層、２３はＰ型半導体拡散
層、２４は窒化膜、２５はエピタキシャル成長層であ
り、その他の図１１と同一符号は図１１と同一または相
当する部分を示す。このコンデンサのアルミニウム電極
２１と遮光アルミニウム膜１との対面する領域ｋ２で寄
生容量が形成される。
ンサの断面図を示す。図において、２１はアルミニウム
電極、２２はＮ型半導体拡散層、２３はＰ型半導体拡散
層、２４は窒化膜、２５はエピタキシャル成長層であ
り、その他の図１１と同一符号は図１１と同一または相
当する部分を示す。このコンデンサのアルミニウム電極
２１と遮光アルミニウム膜１との対面する領域ｋ２で寄
生容量が形成される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
装置は以上のように構成されているので、チップ全体に
被せられた遮光アルミニウム膜１は、図２に示すよう
に、その下に形成されている配線やコンデンサ等の素子
とのあいだで寄生容量を生じさせる。特に、ＩＣ中に形
成される高周波増幅器９は光センサ３でピックアップし
た光信号の増幅器であり、高周波増幅器９の入力インピ
ーダンスがハイインピーダンスであるため、高周波増幅
器９の入力端に接続されるラインにおいて前記寄生容量
により周波数特性等の回路特性を大きく悪化させるとい
う問題点があった。
装置は以上のように構成されているので、チップ全体に
被せられた遮光アルミニウム膜１は、図２に示すよう
に、その下に形成されている配線やコンデンサ等の素子
とのあいだで寄生容量を生じさせる。特に、ＩＣ中に形
成される高周波増幅器９は光センサ３でピックアップし
た光信号の増幅器であり、高周波増幅器９の入力インピ
ーダンスがハイインピーダンスであるため、高周波増幅
器９の入力端に接続されるラインにおいて前記寄生容量
により周波数特性等の回路特性を大きく悪化させるとい
う問題点があった。
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、新たな部品や煩雑な工程を付加
すること無く、高周波特性の悪化の原因となっている寄
生容量を小さくでき、高周波信号に適した半導体集積回
路装置を得ることを目的としている。
ためになされたもので、新たな部品や煩雑な工程を付加
すること無く、高周波特性の悪化の原因となっている寄
生容量を小さくでき、高周波信号に適した半導体集積回
路装置を得ることを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る半導体
集積回路装置は、基板と、前記基板上に形成された光セ
ンサと、前記基板上に形成され、高周波信号を処理する
回路領域を有し、前記光センサより出力された信号を処
理する集積回路と、前記基板上に形成され、前記集積回
路への信号の入出力のため外部との接続に用いられるパ
ッドと、前記高周波信号を処理する回路領域の少なくと
も一部、前記光センサ及び前記パッドの形成されている
領域上を除く前記基板の全面に一体的に形成された導電
性遮光膜とを備えて構成されている。
集積回路装置は、基板と、前記基板上に形成された光セ
ンサと、前記基板上に形成され、高周波信号を処理する
回路領域を有し、前記光センサより出力された信号を処
理する集積回路と、前記基板上に形成され、前記集積回
路への信号の入出力のため外部との接続に用いられるパ
ッドと、前記高周波信号を処理する回路領域の少なくと
も一部、前記光センサ及び前記パッドの形成されている
領域上を除く前記基板の全面に一体的に形成された導電
性遮光膜とを備えて構成されている。
【００１２】第２の発明に係る半導体集積回路装置は、
基板と、前記基板上に形成された光センサと、前記基板
上に形成され、前記光センサより出力された高周波信号
を伝達する配線を有し、前記光センサより出力された信
号を処理する集積回路と、前記基板上に形成され、前記
集積回路への信号の入出力のため外部との接続に用いら
れるパッドと、前記配線の少なくとも一部、前記光セン
サ及び前記パッドの形成されている領域上を除く前記基
板の全面に一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて
構成されている。
基板と、前記基板上に形成された光センサと、前記基板
上に形成され、前記光センサより出力された高周波信号
を伝達する配線を有し、前記光センサより出力された信
号を処理する集積回路と、前記基板上に形成され、前記
集積回路への信号の入出力のため外部との接続に用いら
れるパッドと、前記配線の少なくとも一部、前記光セン
サ及び前記パッドの形成されている領域上を除く前記基
板の全面に一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて
構成されている。
【００１３】第３の発明に係る半導体集積回路装置は、
基板と、前記基板上に形成された光センサと、前記基板
上に形成され、高周波信号が印加されるコンデンサを有
し、前記光センサより出力された信号を処理する集積回
路と、前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の
入出力のため外部との接続に用いられるパッドと、前記
コンデンサの少なくとも一部、前記光センサ及び前記パ
ッドの形成されている領域上を除く前記基板の全面に一
体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構成されてい
る。
基板と、前記基板上に形成された光センサと、前記基板
上に形成され、高周波信号が印加されるコンデンサを有
し、前記光センサより出力された信号を処理する集積回
路と、前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の
入出力のため外部との接続に用いられるパッドと、前記
コンデンサの少なくとも一部、前記光センサ及び前記パ
ッドの形成されている領域上を除く前記基板の全面に一
体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構成されてい
る。
【００１４】第４の発明に係る半導体集積回路装置は、
基板と、前記基板上に形成された光センサと、前記基板
上に形成され、高周波信号が印加される抵抗を有し、前
記光センサより出力された信号を処理する集積回路と、
前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の入出力
のため外部との接続に用いられるパッドと、前記抵抗の
少なくとも一部、前記光センサ及び前記パッドの形成さ
れている領域上を除く前記基板の全面に一体的に形成さ
れた導電性遮光膜とを備えて構成されている。
基板と、前記基板上に形成された光センサと、前記基板
上に形成され、高周波信号が印加される抵抗を有し、前
記光センサより出力された信号を処理する集積回路と、
前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の入出力
のため外部との接続に用いられるパッドと、前記抵抗の
少なくとも一部、前記光センサ及び前記パッドの形成さ
れている領域上を除く前記基板の全面に一体的に形成さ
れた導電性遮光膜とを備えて構成されている。
【００１５】第５の発明に係る半導体集積回路装置は、
基板と、前記基板上に形成された光センサと、前記基板
上に形成され、高周波信号を処理するトランジスタを有
し、前記光センサより出力された信号を処理する集積回
路と、前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の
入出力のため外部との接続に用いられるパッドと、前記
トランジスタの少なくとも一部、前記光センサ及び前記
パッドの形成されている領域上を除く前記基板の全面に
一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構成されて
いる。
基板と、前記基板上に形成された光センサと、前記基板
上に形成され、高周波信号を処理するトランジスタを有
し、前記光センサより出力された信号を処理する集積回
路と、前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の
入出力のため外部との接続に用いられるパッドと、前記
トランジスタの少なくとも一部、前記光センサ及び前記
パッドの形成されている領域上を除く前記基板の全面に
一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構成されて
いる。
【００１６】
【作用】第１の発明における導電性遮光膜は、高周波信
号を処理する回路領域の少なくとも一部、光センサ及び
パッドの形成されている領域上を除く前記基板の全面に
一体的に形成されており、全面に一体的に形成された導
電性遮光膜によって導電性遮光膜が形成されていない領
域以外の領域への光の進入を十分に防ぐとともに、高周
波信号を処理する領域上の少なくとも一部に導電性遮光
膜を形成しないことにより高周波信号を処理する回路領
域と導電性遮光膜の間で形成される寄生容量を削減する
ことができる。
号を処理する回路領域の少なくとも一部、光センサ及び
パッドの形成されている領域上を除く前記基板の全面に
一体的に形成されており、全面に一体的に形成された導
電性遮光膜によって導電性遮光膜が形成されていない領
域以外の領域への光の進入を十分に防ぐとともに、高周
波信号を処理する領域上の少なくとも一部に導電性遮光
膜を形成しないことにより高周波信号を処理する回路領
域と導電性遮光膜の間で形成される寄生容量を削減する
ことができる。
【００１７】第２の発明における導電性遮光膜は、光セ
ンサより出力された高周波信号を伝達する配線の少なく
とも一部、光センサ及びパッドの形成されている領域上
を除く基板の全面に一体的に形成されており、全面に一
体的に形成された導電性遮光膜によって導電性遮光膜が
形成されていない領域以外の領域への光の進入を十分に
防ぐとともに、高周波信号を伝達する配線上の少なくと
も一部に導電性遮光膜を形成しないことにより高周波信
号を伝達する配線と導電性遮光膜の間で形成される寄生
容量を削減することができる。
ンサより出力された高周波信号を伝達する配線の少なく
とも一部、光センサ及びパッドの形成されている領域上
を除く基板の全面に一体的に形成されており、全面に一
体的に形成された導電性遮光膜によって導電性遮光膜が
形成されていない領域以外の領域への光の進入を十分に
防ぐとともに、高周波信号を伝達する配線上の少なくと
も一部に導電性遮光膜を形成しないことにより高周波信
号を伝達する配線と導電性遮光膜の間で形成される寄生
容量を削減することができる。
【００１８】第３の発明における導電性遮光膜は、高周
波信号が印加されるコンデンサ、光センサ及びパッドの
形成されている領域上を除く基板の全面に一体的に形成
されており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜に
よって導電性遮光膜が形成されていない領域以外の領域
への光の進入を十分に防ぐとともに、高周波信号が印加
されるコンデンサ上の少なくとも一部に導電性遮光膜を
形成しないことによりコンデンサの電極と導電性遮光膜
の間で形成される寄生容量を削減することができる。
波信号が印加されるコンデンサ、光センサ及びパッドの
形成されている領域上を除く基板の全面に一体的に形成
されており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜に
よって導電性遮光膜が形成されていない領域以外の領域
への光の進入を十分に防ぐとともに、高周波信号が印加
されるコンデンサ上の少なくとも一部に導電性遮光膜を
形成しないことによりコンデンサの電極と導電性遮光膜
の間で形成される寄生容量を削減することができる。
【００１９】第４の発明における導電性遮光膜は、高周
波信号が印加される抵抗、光センサ及びパッドの形成さ
れている領域上を除く基板の全面に一体的に形成されて
おり、全面に一体的に形成された導電性遮光膜によって
導電性遮光膜が形成されていない領域以外の領域への光
の進入を十分に防ぐとともに、高周波信号が印加される
抵抗上の少なくとも一部に導電性遮光膜を形成しないこ
とにより抵抗と導電性遮光膜の間で形成される寄生容量
を削減することができる。
波信号が印加される抵抗、光センサ及びパッドの形成さ
れている領域上を除く基板の全面に一体的に形成されて
おり、全面に一体的に形成された導電性遮光膜によって
導電性遮光膜が形成されていない領域以外の領域への光
の進入を十分に防ぐとともに、高周波信号が印加される
抵抗上の少なくとも一部に導電性遮光膜を形成しないこ
とにより抵抗と導電性遮光膜の間で形成される寄生容量
を削減することができる。
【００２０】第５の発明における導電性遮光膜は、高周
波信号が印加されるトランジスタ、光センサ及びパッド
の形成されている領域上を除く基板の全面に一体的に形
成されており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜
によって導電性遮光膜が形成されていない領域以外の領
域への光の進入を十分に防ぐとともに、高周波信号が印
加されるトランジスタ上の少なくとも一部に導電性遮光
膜を形成しないことによりトランジスタの電極と導電性
遮光膜の間で形成される寄生容量を削減することができ
る。
波信号が印加されるトランジスタ、光センサ及びパッド
の形成されている領域上を除く基板の全面に一体的に形
成されており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜
によって導電性遮光膜が形成されていない領域以外の領
域への光の進入を十分に防ぐとともに、高周波信号が印
加されるトランジスタ上の少なくとも一部に導電性遮光
膜を形成しないことによりトランジスタの電極と導電性
遮光膜の間で形成される寄生容量を削減することができ
る。
【００２１】
【実施例】以下、この発明の第１実施例を図１について
説明する。図１はこの発明の第１実施例による半導体集
積回路の構成を示すブロック図である。図１において図
９と同一符号は図９と同一もしくは相当する部分を示
す。この発明における図１の半導体集積回路が図９に示
した従来の半導体集積回路異なる点は、図１における領
域ｋ０の配線５，コンデンサ６及び配線８上の少なくと
も一部の遮光アルミニウム膜を除去することである。光
信号を光センサ３で検知して電気信号に変換し、この電
気信号は配線５を通して各信号処理ブロックＢ１〜Ｂ６
に送られて処理される。光センサ３の出力信号には高周
波信号が入っているため、寄生容量があると大きな影響
を受ける。そこで、配線５の上の遮光アルミニウム膜を
除去する。しかし、配線５の上であっても遮光アルミニ
ウム膜が必要な部分には、遮光用のアルミニウム膜を残
しておく。遮光アルミニウム膜を除去した様子を図２及
び図３に示す。図２は光センサ３の周囲を拡大した平面
図である。図２において、１は遮光アルミニウム膜、１
１は光センサ３と配線５とを接続するためのパッドであ
り、その他図１と同一符号は図１と同一または相当する
部分を示す。図２に示すように配線５の上には遮光アル
ミニウム膜１は形成されていない。図３は図２のＡ−Ａ
矢視断面における斜視図である。図において、６は基
板、１５は層間絶縁膜、ｋ３は遮光アルミニウム膜１が
除去されている領域である。ここで、図１１に示した従
来の半導体集積回路装置の配線部分の断面図と比較する
と図１１の領域ｋ１で形成されていた寄生容量が図３の
領域ｋ３ではなくなっていることがわかる。
説明する。図１はこの発明の第１実施例による半導体集
積回路の構成を示すブロック図である。図１において図
９と同一符号は図９と同一もしくは相当する部分を示
す。この発明における図１の半導体集積回路が図９に示
した従来の半導体集積回路異なる点は、図１における領
域ｋ０の配線５，コンデンサ６及び配線８上の少なくと
も一部の遮光アルミニウム膜を除去することである。光
信号を光センサ３で検知して電気信号に変換し、この電
気信号は配線５を通して各信号処理ブロックＢ１〜Ｂ６
に送られて処理される。光センサ３の出力信号には高周
波信号が入っているため、寄生容量があると大きな影響
を受ける。そこで、配線５の上の遮光アルミニウム膜を
除去する。しかし、配線５の上であっても遮光アルミニ
ウム膜が必要な部分には、遮光用のアルミニウム膜を残
しておく。遮光アルミニウム膜を除去した様子を図２及
び図３に示す。図２は光センサ３の周囲を拡大した平面
図である。図２において、１は遮光アルミニウム膜、１
１は光センサ３と配線５とを接続するためのパッドであ
り、その他図１と同一符号は図１と同一または相当する
部分を示す。図２に示すように配線５の上には遮光アル
ミニウム膜１は形成されていない。図３は図２のＡ−Ａ
矢視断面における斜視図である。図において、６は基
板、１５は層間絶縁膜、ｋ３は遮光アルミニウム膜１が
除去されている領域である。ここで、図１１に示した従
来の半導体集積回路装置の配線部分の断面図と比較する
と図１１の領域ｋ１で形成されていた寄生容量が図３の
領域ｋ３ではなくなっていることがわかる。
【００２２】次に、高周波信号が印加される窒化膜コン
デンサにこの発明を適用した第２実施例について図４及
び図５を用いて説明する。図４は窒化膜コンデンサの構
造を示す平面図である。図５は図４のＢ−Ｂ矢視断面図
である。図において、１は遮光アルミニウム膜、５は配
線、１５は層間絶縁膜、２１はアルミニウム電極、２２
はＮ型半導体拡散層、２３はＰ型半導体拡散層、２４は
窒化膜、２５はエピタキシャル成長層、ｋ４はアルミニ
ウム電極２１の上の遮光アルミニウム膜１を除去した領
域である。アルミニウム電極２１とＮ型半導体拡散層２
２との間に窒化膜２４を挟んでコンデンサを構成してい
る。ここで、図１４に示した従来の半導体集積回路装置
のコンデンサ部分の断面図と比較すると、図５の領域ｋ
４では図１４の領域ｋ２で形成されていた寄生容量がな
くなっていることがわかる。例えば、この窒化膜コンデ
ンサは図１におけるコンデンサ６等のＩＣ中に設けられ
るコンデンサとして用いることができる。
デンサにこの発明を適用した第２実施例について図４及
び図５を用いて説明する。図４は窒化膜コンデンサの構
造を示す平面図である。図５は図４のＢ−Ｂ矢視断面図
である。図において、１は遮光アルミニウム膜、５は配
線、１５は層間絶縁膜、２１はアルミニウム電極、２２
はＮ型半導体拡散層、２３はＰ型半導体拡散層、２４は
窒化膜、２５はエピタキシャル成長層、ｋ４はアルミニ
ウム電極２１の上の遮光アルミニウム膜１を除去した領
域である。アルミニウム電極２１とＮ型半導体拡散層２
２との間に窒化膜２４を挟んでコンデンサを構成してい
る。ここで、図１４に示した従来の半導体集積回路装置
のコンデンサ部分の断面図と比較すると、図５の領域ｋ
４では図１４の領域ｋ２で形成されていた寄生容量がな
くなっていることがわかる。例えば、この窒化膜コンデ
ンサは図１におけるコンデンサ６等のＩＣ中に設けられ
るコンデンサとして用いることができる。
【００２３】次に、高周波信号が印加される拡散抵抗に
この発明を適用した第３実施例について図６を用いて説
明する。図６は拡散抵抗の構造を示す平面図である。図
において、１は遮光アルミニウム膜、５は配線、３０は
コンタクト部、３１は拡散抵抗領域である。図に示すよ
うに配線５及び拡散抵抗３１と配線５のコンタクト部３
０の上の遮光アルミニウム膜１は除去されていることが
わかる。このように遮光アルミニウム膜１を除去するこ
とにより寄生容量を削減することができる。例えば、図
１に示したＩＣ中の高周波信号を処理する処理ブロック
Ｂ６等に設けられる抵抗として用いることができる。
この発明を適用した第３実施例について図６を用いて説
明する。図６は拡散抵抗の構造を示す平面図である。図
において、１は遮光アルミニウム膜、５は配線、３０は
コンタクト部、３１は拡散抵抗領域である。図に示すよ
うに配線５及び拡散抵抗３１と配線５のコンタクト部３
０の上の遮光アルミニウム膜１は除去されていることが
わかる。このように遮光アルミニウム膜１を除去するこ
とにより寄生容量を削減することができる。例えば、図
１に示したＩＣ中の高周波信号を処理する処理ブロック
Ｂ６等に設けられる抵抗として用いることができる。
【００２４】次に、高周波信号を処理するトランジスタ
にこの発明を適用した第４実施例について図７を用いて
説明する。図７はトランジスタの構造を示す平面図であ
る。図において、１は遮光アルミニウム膜、３２はＮ型
半導体拡散領域、３３はＰ型半導体拡散領域、３４，３
５はＮ+ 型半導体拡散領域、３６〜３８は配線、３９〜
４１はコンタクト部である。ここに示したトランジスタ
はＮＰＮバイポーラトランジスタである。配線３６は、
コンタクト部３９でＮ+ 型拡散領域３４を通してコレク
タ領域を構成しているＮ型半導体拡散領域３２とコンタ
クトを取っている。また、エミッタ領域を構成している
Ｎ+ 型拡散領域３５と配線３８がコンタクト部４１で接
続している。配線３７はベース領域を構成しているＰ型
半導体拡散領域３３とコンタクト部４０で接続されてい
る。ベースに接続している配線３７は入力インピーダン
スが高いため、寄生容量の影響が大きくなるので、その
上部には遮光アルミニウム膜１が形成されていない。ま
た、トランジスタにおいても高周波信号を処理するので
寄生容量の影響が大きいことから遮光アルミニウム膜１
が除去されている。このように遮光アルミニウム膜１を
除去することにより寄生容量を削減することができる。
例えば、図１に示したＩＣ中の高周波信号を処理する処
理ブロックＢ６等の高周波増幅器９に設けられるトラン
ジスタとして用いることができる。なお、上記実施例で
はＮＰＮバイポーラトランジスタの例を示したが、ＰＮ
Ｐバイポーラトランジスタであってもよく、また他のト
ランジスタであってもよく、上記実施例と同様の効果を
奏する。また、上記実施例ではエミッタ電極に接続され
ている配線３８の上部の遮光アルミニウム膜１は開口さ
れていないが、例えば入力インピーダンスの高い入力端
子に接続するとき等寄生容量の影響が大きい場合には遮
光アルミニウム膜１を開口してもよく、上記実施例と同
様の効果を奏する。
にこの発明を適用した第４実施例について図７を用いて
説明する。図７はトランジスタの構造を示す平面図であ
る。図において、１は遮光アルミニウム膜、３２はＮ型
半導体拡散領域、３３はＰ型半導体拡散領域、３４，３
５はＮ+ 型半導体拡散領域、３６〜３８は配線、３９〜
４１はコンタクト部である。ここに示したトランジスタ
はＮＰＮバイポーラトランジスタである。配線３６は、
コンタクト部３９でＮ+ 型拡散領域３４を通してコレク
タ領域を構成しているＮ型半導体拡散領域３２とコンタ
クトを取っている。また、エミッタ領域を構成している
Ｎ+ 型拡散領域３５と配線３８がコンタクト部４１で接
続している。配線３７はベース領域を構成しているＰ型
半導体拡散領域３３とコンタクト部４０で接続されてい
る。ベースに接続している配線３７は入力インピーダン
スが高いため、寄生容量の影響が大きくなるので、その
上部には遮光アルミニウム膜１が形成されていない。ま
た、トランジスタにおいても高周波信号を処理するので
寄生容量の影響が大きいことから遮光アルミニウム膜１
が除去されている。このように遮光アルミニウム膜１を
除去することにより寄生容量を削減することができる。
例えば、図１に示したＩＣ中の高周波信号を処理する処
理ブロックＢ６等の高周波増幅器９に設けられるトラン
ジスタとして用いることができる。なお、上記実施例で
はＮＰＮバイポーラトランジスタの例を示したが、ＰＮ
Ｐバイポーラトランジスタであってもよく、また他のト
ランジスタであってもよく、上記実施例と同様の効果を
奏する。また、上記実施例ではエミッタ電極に接続され
ている配線３８の上部の遮光アルミニウム膜１は開口さ
れていないが、例えば入力インピーダンスの高い入力端
子に接続するとき等寄生容量の影響が大きい場合には遮
光アルミニウム膜１を開口してもよく、上記実施例と同
様の効果を奏する。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明に係
る半導体集積回路装置によれば、基板上に形成され、高
周波信号を処理する回路領域を有し、光センサより出力
された信号を処理する集積回路と、高周波信号を処理す
る回路領域の少なくとも一部領域上を除く前記基板の全
面に一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構成さ
れており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜によ
って光の進入による誤動作を防ぐことができるととも
に、高周波信号を処理する領域、光センサ及びパッドの
形成されている領域上の少なくとも一部に導電性遮光膜
を形成しないことにより高周波信号を処理する領域の寄
生容量を削減することができ、構造や製造工程を複雑に
することなく半導体集積回路の高周波特性を改善するこ
とができるという効果がある。
る半導体集積回路装置によれば、基板上に形成され、高
周波信号を処理する回路領域を有し、光センサより出力
された信号を処理する集積回路と、高周波信号を処理す
る回路領域の少なくとも一部領域上を除く前記基板の全
面に一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構成さ
れており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜によ
って光の進入による誤動作を防ぐことができるととも
に、高周波信号を処理する領域、光センサ及びパッドの
形成されている領域上の少なくとも一部に導電性遮光膜
を形成しないことにより高周波信号を処理する領域の寄
生容量を削減することができ、構造や製造工程を複雑に
することなく半導体集積回路の高周波特性を改善するこ
とができるという効果がある。
【００２６】請求項２記載の発明に係る半導体集積回路
装置によれば、基板上に形成され、光センサより出力さ
れた高周波信号を伝達する配線を有し、光センサより出
力された信号を処理する集積回路と、前記配線の少なく
とも一部、光センサ及びパッドの形成されている領域領
域上を除く前記基板の全面に一体的に形成された導電性
遮光膜とを備えて構成されており、全面に一体的に形成
された導電性遮光膜によって光の進入による誤動作を防
ぐことができるとともに、高周波信号を伝達する配線上
の少なくとも一部に導電性遮光膜を形成しないことによ
り高周波信号を処理する領域の寄生容量を削減すること
ができ、構造や製造工程を複雑にすることなく半導体集
積回路の高周波特性を改善することができるという効果
がある。
装置によれば、基板上に形成され、光センサより出力さ
れた高周波信号を伝達する配線を有し、光センサより出
力された信号を処理する集積回路と、前記配線の少なく
とも一部、光センサ及びパッドの形成されている領域領
域上を除く前記基板の全面に一体的に形成された導電性
遮光膜とを備えて構成されており、全面に一体的に形成
された導電性遮光膜によって光の進入による誤動作を防
ぐことができるとともに、高周波信号を伝達する配線上
の少なくとも一部に導電性遮光膜を形成しないことによ
り高周波信号を処理する領域の寄生容量を削減すること
ができ、構造や製造工程を複雑にすることなく半導体集
積回路の高周波特性を改善することができるという効果
がある。
【００２７】請求項３記載の発明に係る半導体集積回路
装置によれば、基板上に形成され、高周波信号が印加さ
れるコンデンサを有し、光センサより出力された信号を
処理する集積回路と、コンデンサの少なくとも一部、光
センサ及びパッドの形成されている領域上を除く基板の
全面に一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構成
されており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜に
よって光の進入による誤動作を防ぐことができるととも
に、高周波信号が印加されるコンデンサ上の少なくとも
一部に導電性遮光膜を形成しないことにより高周波信号
が印加されるコンデンサ電極の寄生容量を削減すること
ができ、構造や製造工程を複雑にすることなく半導体集
積回路の高周波特性を改善することができるという効果
がある。
装置によれば、基板上に形成され、高周波信号が印加さ
れるコンデンサを有し、光センサより出力された信号を
処理する集積回路と、コンデンサの少なくとも一部、光
センサ及びパッドの形成されている領域上を除く基板の
全面に一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構成
されており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜に
よって光の進入による誤動作を防ぐことができるととも
に、高周波信号が印加されるコンデンサ上の少なくとも
一部に導電性遮光膜を形成しないことにより高周波信号
が印加されるコンデンサ電極の寄生容量を削減すること
ができ、構造や製造工程を複雑にすることなく半導体集
積回路の高周波特性を改善することができるという効果
がある。
【００２８】請求項４記載の発明に係る半導体集積回路
装置によれば、基板上に形成され、高周波信号が印加さ
れる抵抗を有し、光センサより出力された信号を処理す
る集積回路と、抵抗の少なくとも一部、光センサ及びパ
ッドの形成されている領域上を除く基板の全面に一体的
に形成された導電性遮光膜とを備えて構成されおり、全
面に一体的に形成された導電性遮光膜によって光の進入
による誤動作を防ぐことができるとともに、高周波信号
が印加される抵抗上の少なくとも一部に導電性遮光膜を
形成しないことにより高周波信号が印加される抵抗の寄
生容量を削減することができ、構造や製造工程を複雑に
することなく半導体集積回路の高周波特性を改善するこ
とができるという効果がある。
装置によれば、基板上に形成され、高周波信号が印加さ
れる抵抗を有し、光センサより出力された信号を処理す
る集積回路と、抵抗の少なくとも一部、光センサ及びパ
ッドの形成されている領域上を除く基板の全面に一体的
に形成された導電性遮光膜とを備えて構成されおり、全
面に一体的に形成された導電性遮光膜によって光の進入
による誤動作を防ぐことができるとともに、高周波信号
が印加される抵抗上の少なくとも一部に導電性遮光膜を
形成しないことにより高周波信号が印加される抵抗の寄
生容量を削減することができ、構造や製造工程を複雑に
することなく半導体集積回路の高周波特性を改善するこ
とができるという効果がある。
【００２９】請求項５記載の発明に係る半導体集積回路
装置によれば、基板上に形成され、高周波信号を処理す
るトランジスタを有し、光センサより出力された信号を
処理する集積回路と、トランジスタの少なくとも一部、
光センサ及びパッドの形成されている領域上を除く基板
の全面に一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構
成されており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜
によって光の進入による誤動作を防ぐことができるとと
もに、高周波信号を処理するトランジスタ上の少なくと
も一部に導電性遮光膜を形成しないことにより高周波信
号を処理するトランジスタの寄生容量を削減することが
でき、構造や製造工程を複雑にすることなく半導体集積
回路の高周波特性を改善することができるという効果が
ある。
装置によれば、基板上に形成され、高周波信号を処理す
るトランジスタを有し、光センサより出力された信号を
処理する集積回路と、トランジスタの少なくとも一部、
光センサ及びパッドの形成されている領域上を除く基板
の全面に一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構
成されており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜
によって光の進入による誤動作を防ぐことができるとと
もに、高周波信号を処理するトランジスタ上の少なくと
も一部に導電性遮光膜を形成しないことにより高周波信
号を処理するトランジスタの寄生容量を削減することが
でき、構造や製造工程を複雑にすることなく半導体集積
回路の高周波特性を改善することができるという効果が
ある。
【図１】この発明の第１実施例による光センサを内蔵し
た半導体集積回路装置の構成を示すブロック図である。
た半導体集積回路装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示す光センサの周辺部を示す平面図であ
る。
る。
【図３】図２のＡ−Ａ断面における斜視図である。
【図４】この発明の第２実施例による半導体集積回路装
置のコンデンサ部の平面図である。
置のコンデンサ部の平面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図６】この発明の第３実施例による半導体集積回路装
置の拡散抵抗部の平面図である。
置の拡散抵抗部の平面図である。
【図７】この発明の第４実施例による半導体集積回路装
置のトランジスタ部の平面図である。
置のトランジスタ部の平面図である。
【図８】従来の光センサを内蔵した半導体集積回路装置
の平面図である。
の平面図である。
【図９】図８に示した半導体集積回路装置の構成を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図１０】図８に示す光センサの周辺部を示す平面図で
ある。
ある。
【図１１】図１０のＣ−Ｃ断面における斜視図である。
【図１２】遮光アルミニウム膜と配線との間の寄生容量
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図１３】遮光アルミニウム膜と配線との間の寄生容量
を説明するための平行平板コンデンサの斜視図である。
を説明するための平行平板コンデンサの斜視図である。
【図１４】従来の半導体集積回路装置のコンデンサの断
面図である。
面図である。
１ 遮光アルミニウム膜 ２ パッド ３，４ 光センサ ５，８ 配線 ６ コンデンサ ７ 電流−電圧変換回路 ９ 高周波増幅器 １５ 層間絶縁膜 ２１ アルミニウム電極 ２２，３２，３５ Ｎ型半導体拡散層 ３３ Ｐ型半導体拡散層 ３６〜３８ 配線
Claims (5)
- 【請求項１】 基板と、 前記基板上に形成された光センサと、 前記基板上に形成され、高周波信号を処理する回路領域
を有し、前記光センサより出力された信号を処理する集
積回路と、 前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の入出力
のため外部との接続に用いられるパッドと、 前記高周波信号を処理する回路領域の少なくとも一部、
前記光センサ及び前記パッドの形成されている領域上を
除く前記基板の全面に一体的に形成された導電性遮光膜
と、 を備える半導体集積回路装置。 - 【請求項２】 基板と、 前記基板上に形成された光センサと、 前記基板上に形成され、前記光センサより出力された高
周波信号を伝達する配線を有し、前記光センサより出力
された信号を処理する集積回路と、 前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の入出力
のため外部との接続に用いられるパッドと、 前記配線の少なくとも一部、前記光センサ及び前記パッ
ドの形成されている領域上を除く前記基板の全面に一体
的に形成された導電性遮光膜と、 を備える半導体集積回路装置。 - 【請求項３】 基板と、 前記基板上に形成された光センサと、 前記基板上に形成され、高周波信号が印加されるコンデ
ンサを有し、前記光センサより出力された信号を処理す
る集積回路と、 前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の入出力
のため外部との接続に用いられるパッドと、 前記コンデンサの少なくとも一部、前記光センサ及び前
記パッドの形成されている領域上を除く前記基板の全面
に一体的に形成された導電性遮光膜と、 を備える半導体集積回路装置。 - 【請求項４】 基板と、 前記基板上に形成された光センサと、 前記基板上に形成され、高周波信号が印加される抵抗を
有し、前記光センサより出力された信号を処理する集積
回路と、 前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の入出力
のため外部との接続に用いられるパッドと、 前記抵抗の少なくとも一部、前記光センサ及び前記パッ
ドの形成されている領域上を除く前記基板の全面に一体
的に形成された導電性遮光膜と、 を備える半導体集積回路装置。 - 【請求項５】 基板と、 前記基板上に形成された光センサと、 前記基板上に形成され、高周波信号を処理するトランジ
スタを有し、前記光センサより出力された信号を処理す
る集積回路と、 前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の入出力
のため外部との接続に用いられるパッドと、 前記トランジスタの少なくとも一部、前記光センサ及び
前記パッドの形成されている領域上を除く前記基板の全
面に一体的に形成された導電性遮光膜と、 を備える半導体集積回路装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4107437A JPH05304280A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 半導体集積回路装置 |
| US07/976,431 US5276349A (en) | 1992-04-27 | 1992-11-13 | Semiconductor integrated circuit device |
| DE4300842A DE4300842A1 (de) | 1992-04-27 | 1993-01-14 | Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4107437A JPH05304280A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05304280A true JPH05304280A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=14459129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4107437A Pending JPH05304280A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5276349A (ja) |
| JP (1) | JPH05304280A (ja) |
| DE (1) | DE4300842A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011118177A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | パナソニック株式会社 | 光学ヘッド及び光情報装置 |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
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| DE60120086T3 (de) * | 2000-11-27 | 2009-12-10 | Omron Corp. | Lichtdetektor und zugehörige lichtdetektierende IC-Karte |
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Family Cites Families (2)
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| JPS62112382A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-23 | Toshiba Corp | 半導体受光装置 |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP4107437A patent/JPH05304280A/ja active Pending
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1993
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