JPH05304280A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH05304280A JPH05304280A JP4107437A JP10743792A JPH05304280A JP H05304280 A JPH05304280 A JP H05304280A JP 4107437 A JP4107437 A JP 4107437A JP 10743792 A JP10743792 A JP 10743792A JP H05304280 A JPH05304280 A JP H05304280A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光センサを内蔵した半導体集積回路装置にお
ける集積回路の高周波数特性を改善する。 【構成】 光センサ内蔵の半導体集積回路装置におい
て、半導体集積回路装置の全面に渡って一体的形成され
た遮光アルミニウム膜1を備える。そして特に、高周波
信号が伝達する配線5や高周波信号が印加されるその他
の素子上の遮光アルミニウム膜1を部分的に開口する。 【効果】 遮光アルミニウム膜1により入射する光によ
り誤動作を防止する。同時に、配線5やその他の素子と
遮光アルミニウム膜1との間で形成される寄生容量が大
幅に削減でき、集積回路の高周波特性を改善することが
できる。
ける集積回路の高周波数特性を改善する。 【構成】 光センサ内蔵の半導体集積回路装置におい
て、半導体集積回路装置の全面に渡って一体的形成され
た遮光アルミニウム膜1を備える。そして特に、高周波
信号が伝達する配線5や高周波信号が印加されるその他
の素子上の遮光アルミニウム膜1を部分的に開口する。 【効果】 遮光アルミニウム膜1により入射する光によ
り誤動作を防止する。同時に、配線5やその他の素子と
遮光アルミニウム膜1との間で形成される寄生容量が大
幅に削減でき、集積回路の高周波特性を改善することが
できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、光センサ内蔵半導体
集積回路(以下光センサ内蔵ICという)装置に関し、
特に光センサ内蔵ICの電気的特性を改善するための技
術に関するものである。
集積回路(以下光センサ内蔵ICという)装置に関し、
特に光センサ内蔵ICの電気的特性を改善するための技
術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】コンパクトディスクプレイヤーに用いら
れる光信号検出のためのICで使用されるアナログ信号
の周波数は5MHz程度であったが、近年特にレーザデ
ィスク用のICでは20MHzの高周波信号の処理の要
求が高まっている。そのため、高周波信号に対する光セ
ンサ内蔵ICの周波数特性の改善が必要である。従来の
光センサ内蔵IC装置について図8を用いて説明する。
図8はコンパクトディスクプレイヤーの光ピックアップ
用IC等に用いられる光センサ内蔵ICのチップの平面
図である。
れる光信号検出のためのICで使用されるアナログ信号
の周波数は5MHz程度であったが、近年特にレーザデ
ィスク用のICでは20MHzの高周波信号の処理の要
求が高まっている。そのため、高周波信号に対する光セ
ンサ内蔵ICの周波数特性の改善が必要である。従来の
光センサ内蔵IC装置について図8を用いて説明する。
図8はコンパクトディスクプレイヤーの光ピックアップ
用IC等に用いられる光センサ内蔵ICのチップの平面
図である。
【0003】図において、1は遮光アルミニウム膜、2
はリードを接続するパッド、3,4は光を検出するため
の光センサである。従来の光センサ内蔵IC装置は、外
から入射した光による回路の誤動作を防止するため、光
を感知する光センサ3,4及びパッド2の上部を除いて
チップ全体を遮光アルミニウム膜1で遮光している。
はリードを接続するパッド、3,4は光を検出するため
の光センサである。従来の光センサ内蔵IC装置は、外
から入射した光による回路の誤動作を防止するため、光
を感知する光センサ3,4及びパッド2の上部を除いて
チップ全体を遮光アルミニウム膜1で遮光している。
【0004】次に、図8に示した光センサ内蔵IC装置
の光センサ3により検知した光信号を処理する集積回路
の一部分の概要について図9を用いて説明する。図9は
光センサで検知した信号を処理する集積回路の構成を示
すブロック図である。図において、5は一方端を光セン
サ3の出力端に接続し、光センサ3で検知した信号を伝
達する配線、6は配線5の他方端に接続し、光センサ3
で検知した信号が印加されるコンデンサ、7は入力端を
配線5に接続し、光センサ3で検出した信号を電圧に変
換する電流−電圧変換回路、8はコンデンサを通った信
号を伝達する配線、9は光センサ3で検知した高周波信
号を処理する高周波増幅器、10は光センサ4の信号を
伝達する配線、B1〜B8は光センサ3,4の出力信号
を処理する信号処理ブロックである。そして、B1〜B
4は光センサ3の出力した信号を検出するブロック、B
5は光センサ3の検知した信号のうち高周波のみを通す
ハイパスフィルター、B6は高周波信号を処理するブロ
ック、B7,B8は光センサ4で光を感知しているか否
かを検出するブロックである。従って、光センサから出
力された高周波信号は、配線5、コンデンサ6、配線8
を伝達して高周波増幅器9に入力される。
の光センサ3により検知した光信号を処理する集積回路
の一部分の概要について図9を用いて説明する。図9は
光センサで検知した信号を処理する集積回路の構成を示
すブロック図である。図において、5は一方端を光セン
サ3の出力端に接続し、光センサ3で検知した信号を伝
達する配線、6は配線5の他方端に接続し、光センサ3
で検知した信号が印加されるコンデンサ、7は入力端を
配線5に接続し、光センサ3で検出した信号を電圧に変
換する電流−電圧変換回路、8はコンデンサを通った信
号を伝達する配線、9は光センサ3で検知した高周波信
号を処理する高周波増幅器、10は光センサ4の信号を
伝達する配線、B1〜B8は光センサ3,4の出力信号
を処理する信号処理ブロックである。そして、B1〜B
4は光センサ3の出力した信号を検出するブロック、B
5は光センサ3の検知した信号のうち高周波のみを通す
ハイパスフィルター、B6は高周波信号を処理するブロ
ック、B7,B8は光センサ4で光を感知しているか否
かを検出するブロックである。従って、光センサから出
力された高周波信号は、配線5、コンデンサ6、配線8
を伝達して高周波増幅器9に入力される。
【0005】図10は、図8における光センサ3の周囲
を拡大した図である。図10において、11は光センサ
3と配線5を接続するためのパッドである。図10のC
−C矢視断面の斜視図を図11に示す。図11におい
て、1は導電性の遮光膜、15は層間絶縁膜、k1は配
線5の周辺領域である。その他の図8と同一符号は図8
と同一もしくは相当する部分を示す。図に示すように領
域k1において、配線5とアルミニウム遮光膜1との間
で寄生容量形成される。
を拡大した図である。図10において、11は光センサ
3と配線5を接続するためのパッドである。図10のC
−C矢視断面の斜視図を図11に示す。図11におい
て、1は導電性の遮光膜、15は層間絶縁膜、k1は配
線5の周辺領域である。その他の図8と同一符号は図8
と同一もしくは相当する部分を示す。図に示すように領
域k1において、配線5とアルミニウム遮光膜1との間
で寄生容量形成される。
【0006】一般的に、図12に示すように層間絶縁層
15を挟んで導電性の遮光膜1と配線5のような導電層
の重なり部分では、図13に示すように、二つの平行な
導電性の板20により構成された平行板コンデンサと等
価的に考えることができる。このコンデンサの容量C
は、平板20に挟まれた物質の非誘電率をεr 、平行平
板20間の距離をd、平板20の面積をS、真空の誘電
率をε0 とすると、 C=Eo ・Er ・S/d の関係が成立する。
15を挟んで導電性の遮光膜1と配線5のような導電層
の重なり部分では、図13に示すように、二つの平行な
導電性の板20により構成された平行板コンデンサと等
価的に考えることができる。このコンデンサの容量C
は、平板20に挟まれた物質の非誘電率をεr 、平行平
板20間の距離をd、平板20の面積をS、真空の誘電
率をε0 とすると、 C=Eo ・Er ・S/d の関係が成立する。
【0007】従って、比較的大きなコンデンサや長い配
線等で寄生容量を形成する面積が大きくなる場合には寄
生容量が大きくなり、その影響が大きい。
線等で寄生容量を形成する面積が大きくなる場合には寄
生容量が大きくなり、その影響が大きい。
【0008】次に、図14に基板上に形成されたコンデ
ンサの断面図を示す。図において、21はアルミニウム
電極、22はN型半導体拡散層、23はP型半導体拡散
層、24は窒化膜、25はエピタキシャル成長層であ
り、その他の図11と同一符号は図11と同一または相
当する部分を示す。このコンデンサのアルミニウム電極
21と遮光アルミニウム膜1との対面する領域k2で寄
生容量が形成される。
ンサの断面図を示す。図において、21はアルミニウム
電極、22はN型半導体拡散層、23はP型半導体拡散
層、24は窒化膜、25はエピタキシャル成長層であ
り、その他の図11と同一符号は図11と同一または相
当する部分を示す。このコンデンサのアルミニウム電極
21と遮光アルミニウム膜1との対面する領域k2で寄
生容量が形成される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
装置は以上のように構成されているので、チップ全体に
被せられた遮光アルミニウム膜1は、図2に示すよう
に、その下に形成されている配線やコンデンサ等の素子
とのあいだで寄生容量を生じさせる。特に、IC中に形
成される高周波増幅器9は光センサ3でピックアップし
た光信号の増幅器であり、高周波増幅器9の入力インピ
ーダンスがハイインピーダンスであるため、高周波増幅
器9の入力端に接続されるラインにおいて前記寄生容量
により周波数特性等の回路特性を大きく悪化させるとい
う問題点があった。
装置は以上のように構成されているので、チップ全体に
被せられた遮光アルミニウム膜1は、図2に示すよう
に、その下に形成されている配線やコンデンサ等の素子
とのあいだで寄生容量を生じさせる。特に、IC中に形
成される高周波増幅器9は光センサ3でピックアップし
た光信号の増幅器であり、高周波増幅器9の入力インピ
ーダンスがハイインピーダンスであるため、高周波増幅
器9の入力端に接続されるラインにおいて前記寄生容量
により周波数特性等の回路特性を大きく悪化させるとい
う問題点があった。
【0010】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、新たな部品や煩雑な工程を付加
すること無く、高周波特性の悪化の原因となっている寄
生容量を小さくでき、高周波信号に適した半導体集積回
路装置を得ることを目的としている。
ためになされたもので、新たな部品や煩雑な工程を付加
すること無く、高周波特性の悪化の原因となっている寄
生容量を小さくでき、高周波信号に適した半導体集積回
路装置を得ることを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】第1の発明に係る半導体
集積回路装置は、基板と、前記基板上に形成された光セ
ンサと、前記基板上に形成され、高周波信号を処理する
回路領域を有し、前記光センサより出力された信号を処
理する集積回路と、前記基板上に形成され、前記集積回
路への信号の入出力のため外部との接続に用いられるパ
ッドと、前記高周波信号を処理する回路領域の少なくと
も一部、前記光センサ及び前記パッドの形成されている
領域上を除く前記基板の全面に一体的に形成された導電
性遮光膜とを備えて構成されている。
集積回路装置は、基板と、前記基板上に形成された光セ
ンサと、前記基板上に形成され、高周波信号を処理する
回路領域を有し、前記光センサより出力された信号を処
理する集積回路と、前記基板上に形成され、前記集積回
路への信号の入出力のため外部との接続に用いられるパ
ッドと、前記高周波信号を処理する回路領域の少なくと
も一部、前記光センサ及び前記パッドの形成されている
領域上を除く前記基板の全面に一体的に形成された導電
性遮光膜とを備えて構成されている。
【0012】第2の発明に係る半導体集積回路装置は、
基板と、前記基板上に形成された光センサと、前記基板
上に形成され、前記光センサより出力された高周波信号
を伝達する配線を有し、前記光センサより出力された信
号を処理する集積回路と、前記基板上に形成され、前記
集積回路への信号の入出力のため外部との接続に用いら
れるパッドと、前記配線の少なくとも一部、前記光セン
サ及び前記パッドの形成されている領域上を除く前記基
板の全面に一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて
構成されている。
基板と、前記基板上に形成された光センサと、前記基板
上に形成され、前記光センサより出力された高周波信号
を伝達する配線を有し、前記光センサより出力された信
号を処理する集積回路と、前記基板上に形成され、前記
集積回路への信号の入出力のため外部との接続に用いら
れるパッドと、前記配線の少なくとも一部、前記光セン
サ及び前記パッドの形成されている領域上を除く前記基
板の全面に一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて
構成されている。
【0013】第3の発明に係る半導体集積回路装置は、
基板と、前記基板上に形成された光センサと、前記基板
上に形成され、高周波信号が印加されるコンデンサを有
し、前記光センサより出力された信号を処理する集積回
路と、前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の
入出力のため外部との接続に用いられるパッドと、前記
コンデンサの少なくとも一部、前記光センサ及び前記パ
ッドの形成されている領域上を除く前記基板の全面に一
体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構成されてい
る。
基板と、前記基板上に形成された光センサと、前記基板
上に形成され、高周波信号が印加されるコンデンサを有
し、前記光センサより出力された信号を処理する集積回
路と、前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の
入出力のため外部との接続に用いられるパッドと、前記
コンデンサの少なくとも一部、前記光センサ及び前記パ
ッドの形成されている領域上を除く前記基板の全面に一
体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構成されてい
る。
【0014】第4の発明に係る半導体集積回路装置は、
基板と、前記基板上に形成された光センサと、前記基板
上に形成され、高周波信号が印加される抵抗を有し、前
記光センサより出力された信号を処理する集積回路と、
前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の入出力
のため外部との接続に用いられるパッドと、前記抵抗の
少なくとも一部、前記光センサ及び前記パッドの形成さ
れている領域上を除く前記基板の全面に一体的に形成さ
れた導電性遮光膜とを備えて構成されている。
基板と、前記基板上に形成された光センサと、前記基板
上に形成され、高周波信号が印加される抵抗を有し、前
記光センサより出力された信号を処理する集積回路と、
前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の入出力
のため外部との接続に用いられるパッドと、前記抵抗の
少なくとも一部、前記光センサ及び前記パッドの形成さ
れている領域上を除く前記基板の全面に一体的に形成さ
れた導電性遮光膜とを備えて構成されている。
【0015】第5の発明に係る半導体集積回路装置は、
基板と、前記基板上に形成された光センサと、前記基板
上に形成され、高周波信号を処理するトランジスタを有
し、前記光センサより出力された信号を処理する集積回
路と、前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の
入出力のため外部との接続に用いられるパッドと、前記
トランジスタの少なくとも一部、前記光センサ及び前記
パッドの形成されている領域上を除く前記基板の全面に
一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構成されて
いる。
基板と、前記基板上に形成された光センサと、前記基板
上に形成され、高周波信号を処理するトランジスタを有
し、前記光センサより出力された信号を処理する集積回
路と、前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の
入出力のため外部との接続に用いられるパッドと、前記
トランジスタの少なくとも一部、前記光センサ及び前記
パッドの形成されている領域上を除く前記基板の全面に
一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構成されて
いる。
【0016】
【作用】第1の発明における導電性遮光膜は、高周波信
号を処理する回路領域の少なくとも一部、光センサ及び
パッドの形成されている領域上を除く前記基板の全面に
一体的に形成されており、全面に一体的に形成された導
電性遮光膜によって導電性遮光膜が形成されていない領
域以外の領域への光の進入を十分に防ぐとともに、高周
波信号を処理する領域上の少なくとも一部に導電性遮光
膜を形成しないことにより高周波信号を処理する回路領
域と導電性遮光膜の間で形成される寄生容量を削減する
ことができる。
号を処理する回路領域の少なくとも一部、光センサ及び
パッドの形成されている領域上を除く前記基板の全面に
一体的に形成されており、全面に一体的に形成された導
電性遮光膜によって導電性遮光膜が形成されていない領
域以外の領域への光の進入を十分に防ぐとともに、高周
波信号を処理する領域上の少なくとも一部に導電性遮光
膜を形成しないことにより高周波信号を処理する回路領
域と導電性遮光膜の間で形成される寄生容量を削減する
ことができる。
【0017】第2の発明における導電性遮光膜は、光セ
ンサより出力された高周波信号を伝達する配線の少なく
とも一部、光センサ及びパッドの形成されている領域上
を除く基板の全面に一体的に形成されており、全面に一
体的に形成された導電性遮光膜によって導電性遮光膜が
形成されていない領域以外の領域への光の進入を十分に
防ぐとともに、高周波信号を伝達する配線上の少なくと
も一部に導電性遮光膜を形成しないことにより高周波信
号を伝達する配線と導電性遮光膜の間で形成される寄生
容量を削減することができる。
ンサより出力された高周波信号を伝達する配線の少なく
とも一部、光センサ及びパッドの形成されている領域上
を除く基板の全面に一体的に形成されており、全面に一
体的に形成された導電性遮光膜によって導電性遮光膜が
形成されていない領域以外の領域への光の進入を十分に
防ぐとともに、高周波信号を伝達する配線上の少なくと
も一部に導電性遮光膜を形成しないことにより高周波信
号を伝達する配線と導電性遮光膜の間で形成される寄生
容量を削減することができる。
【0018】第3の発明における導電性遮光膜は、高周
波信号が印加されるコンデンサ、光センサ及びパッドの
形成されている領域上を除く基板の全面に一体的に形成
されており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜に
よって導電性遮光膜が形成されていない領域以外の領域
への光の進入を十分に防ぐとともに、高周波信号が印加
されるコンデンサ上の少なくとも一部に導電性遮光膜を
形成しないことによりコンデンサの電極と導電性遮光膜
の間で形成される寄生容量を削減することができる。
波信号が印加されるコンデンサ、光センサ及びパッドの
形成されている領域上を除く基板の全面に一体的に形成
されており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜に
よって導電性遮光膜が形成されていない領域以外の領域
への光の進入を十分に防ぐとともに、高周波信号が印加
されるコンデンサ上の少なくとも一部に導電性遮光膜を
形成しないことによりコンデンサの電極と導電性遮光膜
の間で形成される寄生容量を削減することができる。
【0019】第4の発明における導電性遮光膜は、高周
波信号が印加される抵抗、光センサ及びパッドの形成さ
れている領域上を除く基板の全面に一体的に形成されて
おり、全面に一体的に形成された導電性遮光膜によって
導電性遮光膜が形成されていない領域以外の領域への光
の進入を十分に防ぐとともに、高周波信号が印加される
抵抗上の少なくとも一部に導電性遮光膜を形成しないこ
とにより抵抗と導電性遮光膜の間で形成される寄生容量
を削減することができる。
波信号が印加される抵抗、光センサ及びパッドの形成さ
れている領域上を除く基板の全面に一体的に形成されて
おり、全面に一体的に形成された導電性遮光膜によって
導電性遮光膜が形成されていない領域以外の領域への光
の進入を十分に防ぐとともに、高周波信号が印加される
抵抗上の少なくとも一部に導電性遮光膜を形成しないこ
とにより抵抗と導電性遮光膜の間で形成される寄生容量
を削減することができる。
【0020】第5の発明における導電性遮光膜は、高周
波信号が印加されるトランジスタ、光センサ及びパッド
の形成されている領域上を除く基板の全面に一体的に形
成されており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜
によって導電性遮光膜が形成されていない領域以外の領
域への光の進入を十分に防ぐとともに、高周波信号が印
加されるトランジスタ上の少なくとも一部に導電性遮光
膜を形成しないことによりトランジスタの電極と導電性
遮光膜の間で形成される寄生容量を削減することができ
る。
波信号が印加されるトランジスタ、光センサ及びパッド
の形成されている領域上を除く基板の全面に一体的に形
成されており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜
によって導電性遮光膜が形成されていない領域以外の領
域への光の進入を十分に防ぐとともに、高周波信号が印
加されるトランジスタ上の少なくとも一部に導電性遮光
膜を形成しないことによりトランジスタの電極と導電性
遮光膜の間で形成される寄生容量を削減することができ
る。
【0021】
【実施例】以下、この発明の第1実施例を図1について
説明する。図1はこの発明の第1実施例による半導体集
積回路の構成を示すブロック図である。図1において図
9と同一符号は図9と同一もしくは相当する部分を示
す。この発明における図1の半導体集積回路が図9に示
した従来の半導体集積回路異なる点は、図1における領
域k0の配線5,コンデンサ6及び配線8上の少なくと
も一部の遮光アルミニウム膜を除去することである。光
信号を光センサ3で検知して電気信号に変換し、この電
気信号は配線5を通して各信号処理ブロックB1〜B6
に送られて処理される。光センサ3の出力信号には高周
波信号が入っているため、寄生容量があると大きな影響
を受ける。そこで、配線5の上の遮光アルミニウム膜を
除去する。しかし、配線5の上であっても遮光アルミニ
ウム膜が必要な部分には、遮光用のアルミニウム膜を残
しておく。遮光アルミニウム膜を除去した様子を図2及
び図3に示す。図2は光センサ3の周囲を拡大した平面
図である。図2において、1は遮光アルミニウム膜、1
1は光センサ3と配線5とを接続するためのパッドであ
り、その他図1と同一符号は図1と同一または相当する
部分を示す。図2に示すように配線5の上には遮光アル
ミニウム膜1は形成されていない。図3は図2のA−A
矢視断面における斜視図である。図において、6は基
板、15は層間絶縁膜、k3は遮光アルミニウム膜1が
除去されている領域である。ここで、図11に示した従
来の半導体集積回路装置の配線部分の断面図と比較する
と図11の領域k1で形成されていた寄生容量が図3の
領域k3ではなくなっていることがわかる。
説明する。図1はこの発明の第1実施例による半導体集
積回路の構成を示すブロック図である。図1において図
9と同一符号は図9と同一もしくは相当する部分を示
す。この発明における図1の半導体集積回路が図9に示
した従来の半導体集積回路異なる点は、図1における領
域k0の配線5,コンデンサ6及び配線8上の少なくと
も一部の遮光アルミニウム膜を除去することである。光
信号を光センサ3で検知して電気信号に変換し、この電
気信号は配線5を通して各信号処理ブロックB1〜B6
に送られて処理される。光センサ3の出力信号には高周
波信号が入っているため、寄生容量があると大きな影響
を受ける。そこで、配線5の上の遮光アルミニウム膜を
除去する。しかし、配線5の上であっても遮光アルミニ
ウム膜が必要な部分には、遮光用のアルミニウム膜を残
しておく。遮光アルミニウム膜を除去した様子を図2及
び図3に示す。図2は光センサ3の周囲を拡大した平面
図である。図2において、1は遮光アルミニウム膜、1
1は光センサ3と配線5とを接続するためのパッドであ
り、その他図1と同一符号は図1と同一または相当する
部分を示す。図2に示すように配線5の上には遮光アル
ミニウム膜1は形成されていない。図3は図2のA−A
矢視断面における斜視図である。図において、6は基
板、15は層間絶縁膜、k3は遮光アルミニウム膜1が
除去されている領域である。ここで、図11に示した従
来の半導体集積回路装置の配線部分の断面図と比較する
と図11の領域k1で形成されていた寄生容量が図3の
領域k3ではなくなっていることがわかる。
【0022】次に、高周波信号が印加される窒化膜コン
デンサにこの発明を適用した第2実施例について図4及
び図5を用いて説明する。図4は窒化膜コンデンサの構
造を示す平面図である。図5は図4のB−B矢視断面図
である。図において、1は遮光アルミニウム膜、5は配
線、15は層間絶縁膜、21はアルミニウム電極、22
はN型半導体拡散層、23はP型半導体拡散層、24は
窒化膜、25はエピタキシャル成長層、k4はアルミニ
ウム電極21の上の遮光アルミニウム膜1を除去した領
域である。アルミニウム電極21とN型半導体拡散層2
2との間に窒化膜24を挟んでコンデンサを構成してい
る。ここで、図14に示した従来の半導体集積回路装置
のコンデンサ部分の断面図と比較すると、図5の領域k
4では図14の領域k2で形成されていた寄生容量がな
くなっていることがわかる。例えば、この窒化膜コンデ
ンサは図1におけるコンデンサ6等のIC中に設けられ
るコンデンサとして用いることができる。
デンサにこの発明を適用した第2実施例について図4及
び図5を用いて説明する。図4は窒化膜コンデンサの構
造を示す平面図である。図5は図4のB−B矢視断面図
である。図において、1は遮光アルミニウム膜、5は配
線、15は層間絶縁膜、21はアルミニウム電極、22
はN型半導体拡散層、23はP型半導体拡散層、24は
窒化膜、25はエピタキシャル成長層、k4はアルミニ
ウム電極21の上の遮光アルミニウム膜1を除去した領
域である。アルミニウム電極21とN型半導体拡散層2
2との間に窒化膜24を挟んでコンデンサを構成してい
る。ここで、図14に示した従来の半導体集積回路装置
のコンデンサ部分の断面図と比較すると、図5の領域k
4では図14の領域k2で形成されていた寄生容量がな
くなっていることがわかる。例えば、この窒化膜コンデ
ンサは図1におけるコンデンサ6等のIC中に設けられ
るコンデンサとして用いることができる。
【0023】次に、高周波信号が印加される拡散抵抗に
この発明を適用した第3実施例について図6を用いて説
明する。図6は拡散抵抗の構造を示す平面図である。図
において、1は遮光アルミニウム膜、5は配線、30は
コンタクト部、31は拡散抵抗領域である。図に示すよ
うに配線5及び拡散抵抗31と配線5のコンタクト部3
0の上の遮光アルミニウム膜1は除去されていることが
わかる。このように遮光アルミニウム膜1を除去するこ
とにより寄生容量を削減することができる。例えば、図
1に示したIC中の高周波信号を処理する処理ブロック
B6等に設けられる抵抗として用いることができる。
この発明を適用した第3実施例について図6を用いて説
明する。図6は拡散抵抗の構造を示す平面図である。図
において、1は遮光アルミニウム膜、5は配線、30は
コンタクト部、31は拡散抵抗領域である。図に示すよ
うに配線5及び拡散抵抗31と配線5のコンタクト部3
0の上の遮光アルミニウム膜1は除去されていることが
わかる。このように遮光アルミニウム膜1を除去するこ
とにより寄生容量を削減することができる。例えば、図
1に示したIC中の高周波信号を処理する処理ブロック
B6等に設けられる抵抗として用いることができる。
【0024】次に、高周波信号を処理するトランジスタ
にこの発明を適用した第4実施例について図7を用いて
説明する。図7はトランジスタの構造を示す平面図であ
る。図において、1は遮光アルミニウム膜、32はN型
半導体拡散領域、33はP型半導体拡散領域、34,3
5はN+ 型半導体拡散領域、36〜38は配線、39〜
41はコンタクト部である。ここに示したトランジスタ
はNPNバイポーラトランジスタである。配線36は、
コンタクト部39でN+ 型拡散領域34を通してコレク
タ領域を構成しているN型半導体拡散領域32とコンタ
クトを取っている。また、エミッタ領域を構成している
N+ 型拡散領域35と配線38がコンタクト部41で接
続している。配線37はベース領域を構成しているP型
半導体拡散領域33とコンタクト部40で接続されてい
る。ベースに接続している配線37は入力インピーダン
スが高いため、寄生容量の影響が大きくなるので、その
上部には遮光アルミニウム膜1が形成されていない。ま
た、トランジスタにおいても高周波信号を処理するので
寄生容量の影響が大きいことから遮光アルミニウム膜1
が除去されている。このように遮光アルミニウム膜1を
除去することにより寄生容量を削減することができる。
例えば、図1に示したIC中の高周波信号を処理する処
理ブロックB6等の高周波増幅器9に設けられるトラン
ジスタとして用いることができる。なお、上記実施例で
はNPNバイポーラトランジスタの例を示したが、PN
Pバイポーラトランジスタであってもよく、また他のト
ランジスタであってもよく、上記実施例と同様の効果を
奏する。また、上記実施例ではエミッタ電極に接続され
ている配線38の上部の遮光アルミニウム膜1は開口さ
れていないが、例えば入力インピーダンスの高い入力端
子に接続するとき等寄生容量の影響が大きい場合には遮
光アルミニウム膜1を開口してもよく、上記実施例と同
様の効果を奏する。
にこの発明を適用した第4実施例について図7を用いて
説明する。図7はトランジスタの構造を示す平面図であ
る。図において、1は遮光アルミニウム膜、32はN型
半導体拡散領域、33はP型半導体拡散領域、34,3
5はN+ 型半導体拡散領域、36〜38は配線、39〜
41はコンタクト部である。ここに示したトランジスタ
はNPNバイポーラトランジスタである。配線36は、
コンタクト部39でN+ 型拡散領域34を通してコレク
タ領域を構成しているN型半導体拡散領域32とコンタ
クトを取っている。また、エミッタ領域を構成している
N+ 型拡散領域35と配線38がコンタクト部41で接
続している。配線37はベース領域を構成しているP型
半導体拡散領域33とコンタクト部40で接続されてい
る。ベースに接続している配線37は入力インピーダン
スが高いため、寄生容量の影響が大きくなるので、その
上部には遮光アルミニウム膜1が形成されていない。ま
た、トランジスタにおいても高周波信号を処理するので
寄生容量の影響が大きいことから遮光アルミニウム膜1
が除去されている。このように遮光アルミニウム膜1を
除去することにより寄生容量を削減することができる。
例えば、図1に示したIC中の高周波信号を処理する処
理ブロックB6等の高周波増幅器9に設けられるトラン
ジスタとして用いることができる。なお、上記実施例で
はNPNバイポーラトランジスタの例を示したが、PN
Pバイポーラトランジスタであってもよく、また他のト
ランジスタであってもよく、上記実施例と同様の効果を
奏する。また、上記実施例ではエミッタ電極に接続され
ている配線38の上部の遮光アルミニウム膜1は開口さ
れていないが、例えば入力インピーダンスの高い入力端
子に接続するとき等寄生容量の影響が大きい場合には遮
光アルミニウム膜1を開口してもよく、上記実施例と同
様の効果を奏する。
【0025】
【発明の効果】以上のように、請求項1記載の発明に係
る半導体集積回路装置によれば、基板上に形成され、高
周波信号を処理する回路領域を有し、光センサより出力
された信号を処理する集積回路と、高周波信号を処理す
る回路領域の少なくとも一部領域上を除く前記基板の全
面に一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構成さ
れており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜によ
って光の進入による誤動作を防ぐことができるととも
に、高周波信号を処理する領域、光センサ及びパッドの
形成されている領域上の少なくとも一部に導電性遮光膜
を形成しないことにより高周波信号を処理する領域の寄
生容量を削減することができ、構造や製造工程を複雑に
することなく半導体集積回路の高周波特性を改善するこ
とができるという効果がある。
る半導体集積回路装置によれば、基板上に形成され、高
周波信号を処理する回路領域を有し、光センサより出力
された信号を処理する集積回路と、高周波信号を処理す
る回路領域の少なくとも一部領域上を除く前記基板の全
面に一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構成さ
れており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜によ
って光の進入による誤動作を防ぐことができるととも
に、高周波信号を処理する領域、光センサ及びパッドの
形成されている領域上の少なくとも一部に導電性遮光膜
を形成しないことにより高周波信号を処理する領域の寄
生容量を削減することができ、構造や製造工程を複雑に
することなく半導体集積回路の高周波特性を改善するこ
とができるという効果がある。
【0026】請求項2記載の発明に係る半導体集積回路
装置によれば、基板上に形成され、光センサより出力さ
れた高周波信号を伝達する配線を有し、光センサより出
力された信号を処理する集積回路と、前記配線の少なく
とも一部、光センサ及びパッドの形成されている領域領
域上を除く前記基板の全面に一体的に形成された導電性
遮光膜とを備えて構成されており、全面に一体的に形成
された導電性遮光膜によって光の進入による誤動作を防
ぐことができるとともに、高周波信号を伝達する配線上
の少なくとも一部に導電性遮光膜を形成しないことによ
り高周波信号を処理する領域の寄生容量を削減すること
ができ、構造や製造工程を複雑にすることなく半導体集
積回路の高周波特性を改善することができるという効果
がある。
装置によれば、基板上に形成され、光センサより出力さ
れた高周波信号を伝達する配線を有し、光センサより出
力された信号を処理する集積回路と、前記配線の少なく
とも一部、光センサ及びパッドの形成されている領域領
域上を除く前記基板の全面に一体的に形成された導電性
遮光膜とを備えて構成されており、全面に一体的に形成
された導電性遮光膜によって光の進入による誤動作を防
ぐことができるとともに、高周波信号を伝達する配線上
の少なくとも一部に導電性遮光膜を形成しないことによ
り高周波信号を処理する領域の寄生容量を削減すること
ができ、構造や製造工程を複雑にすることなく半導体集
積回路の高周波特性を改善することができるという効果
がある。
【0027】請求項3記載の発明に係る半導体集積回路
装置によれば、基板上に形成され、高周波信号が印加さ
れるコンデンサを有し、光センサより出力された信号を
処理する集積回路と、コンデンサの少なくとも一部、光
センサ及びパッドの形成されている領域上を除く基板の
全面に一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構成
されており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜に
よって光の進入による誤動作を防ぐことができるととも
に、高周波信号が印加されるコンデンサ上の少なくとも
一部に導電性遮光膜を形成しないことにより高周波信号
が印加されるコンデンサ電極の寄生容量を削減すること
ができ、構造や製造工程を複雑にすることなく半導体集
積回路の高周波特性を改善することができるという効果
がある。
装置によれば、基板上に形成され、高周波信号が印加さ
れるコンデンサを有し、光センサより出力された信号を
処理する集積回路と、コンデンサの少なくとも一部、光
センサ及びパッドの形成されている領域上を除く基板の
全面に一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構成
されており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜に
よって光の進入による誤動作を防ぐことができるととも
に、高周波信号が印加されるコンデンサ上の少なくとも
一部に導電性遮光膜を形成しないことにより高周波信号
が印加されるコンデンサ電極の寄生容量を削減すること
ができ、構造や製造工程を複雑にすることなく半導体集
積回路の高周波特性を改善することができるという効果
がある。
【0028】請求項4記載の発明に係る半導体集積回路
装置によれば、基板上に形成され、高周波信号が印加さ
れる抵抗を有し、光センサより出力された信号を処理す
る集積回路と、抵抗の少なくとも一部、光センサ及びパ
ッドの形成されている領域上を除く基板の全面に一体的
に形成された導電性遮光膜とを備えて構成されおり、全
面に一体的に形成された導電性遮光膜によって光の進入
による誤動作を防ぐことができるとともに、高周波信号
が印加される抵抗上の少なくとも一部に導電性遮光膜を
形成しないことにより高周波信号が印加される抵抗の寄
生容量を削減することができ、構造や製造工程を複雑に
することなく半導体集積回路の高周波特性を改善するこ
とができるという効果がある。
装置によれば、基板上に形成され、高周波信号が印加さ
れる抵抗を有し、光センサより出力された信号を処理す
る集積回路と、抵抗の少なくとも一部、光センサ及びパ
ッドの形成されている領域上を除く基板の全面に一体的
に形成された導電性遮光膜とを備えて構成されおり、全
面に一体的に形成された導電性遮光膜によって光の進入
による誤動作を防ぐことができるとともに、高周波信号
が印加される抵抗上の少なくとも一部に導電性遮光膜を
形成しないことにより高周波信号が印加される抵抗の寄
生容量を削減することができ、構造や製造工程を複雑に
することなく半導体集積回路の高周波特性を改善するこ
とができるという効果がある。
【0029】請求項5記載の発明に係る半導体集積回路
装置によれば、基板上に形成され、高周波信号を処理す
るトランジスタを有し、光センサより出力された信号を
処理する集積回路と、トランジスタの少なくとも一部、
光センサ及びパッドの形成されている領域上を除く基板
の全面に一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構
成されており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜
によって光の進入による誤動作を防ぐことができるとと
もに、高周波信号を処理するトランジスタ上の少なくと
も一部に導電性遮光膜を形成しないことにより高周波信
号を処理するトランジスタの寄生容量を削減することが
でき、構造や製造工程を複雑にすることなく半導体集積
回路の高周波特性を改善することができるという効果が
ある。
装置によれば、基板上に形成され、高周波信号を処理す
るトランジスタを有し、光センサより出力された信号を
処理する集積回路と、トランジスタの少なくとも一部、
光センサ及びパッドの形成されている領域上を除く基板
の全面に一体的に形成された導電性遮光膜とを備えて構
成されており、全面に一体的に形成された導電性遮光膜
によって光の進入による誤動作を防ぐことができるとと
もに、高周波信号を処理するトランジスタ上の少なくと
も一部に導電性遮光膜を形成しないことにより高周波信
号を処理するトランジスタの寄生容量を削減することが
でき、構造や製造工程を複雑にすることなく半導体集積
回路の高周波特性を改善することができるという効果が
ある。
【図1】この発明の第1実施例による光センサを内蔵し
た半導体集積回路装置の構成を示すブロック図である。
た半導体集積回路装置の構成を示すブロック図である。
【図2】図1に示す光センサの周辺部を示す平面図であ
る。
る。
【図3】図2のA−A断面における斜視図である。
【図4】この発明の第2実施例による半導体集積回路装
置のコンデンサ部の平面図である。
置のコンデンサ部の平面図である。
【図5】図4のB−B矢視断面図である。
【図6】この発明の第3実施例による半導体集積回路装
置の拡散抵抗部の平面図である。
置の拡散抵抗部の平面図である。
【図7】この発明の第4実施例による半導体集積回路装
置のトランジスタ部の平面図である。
置のトランジスタ部の平面図である。
【図8】従来の光センサを内蔵した半導体集積回路装置
の平面図である。
の平面図である。
【図9】図8に示した半導体集積回路装置の構成を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図10】図8に示す光センサの周辺部を示す平面図で
ある。
ある。
【図11】図10のC−C断面における斜視図である。
【図12】遮光アルミニウム膜と配線との間の寄生容量
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図13】遮光アルミニウム膜と配線との間の寄生容量
を説明するための平行平板コンデンサの斜視図である。
を説明するための平行平板コンデンサの斜視図である。
【図14】従来の半導体集積回路装置のコンデンサの断
面図である。
面図である。
1 遮光アルミニウム膜 2 パッド 3,4 光センサ 5,8 配線 6 コンデンサ 7 電流−電圧変換回路 9 高周波増幅器 15 層間絶縁膜 21 アルミニウム電極 22,32,35 N型半導体拡散層 33 P型半導体拡散層 36〜38 配線
Claims (5)
- 【請求項1】 基板と、 前記基板上に形成された光センサと、 前記基板上に形成され、高周波信号を処理する回路領域
を有し、前記光センサより出力された信号を処理する集
積回路と、 前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の入出力
のため外部との接続に用いられるパッドと、 前記高周波信号を処理する回路領域の少なくとも一部、
前記光センサ及び前記パッドの形成されている領域上を
除く前記基板の全面に一体的に形成された導電性遮光膜
と、 を備える半導体集積回路装置。 - 【請求項2】 基板と、 前記基板上に形成された光センサと、 前記基板上に形成され、前記光センサより出力された高
周波信号を伝達する配線を有し、前記光センサより出力
された信号を処理する集積回路と、 前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の入出力
のため外部との接続に用いられるパッドと、 前記配線の少なくとも一部、前記光センサ及び前記パッ
ドの形成されている領域上を除く前記基板の全面に一体
的に形成された導電性遮光膜と、 を備える半導体集積回路装置。 - 【請求項3】 基板と、 前記基板上に形成された光センサと、 前記基板上に形成され、高周波信号が印加されるコンデ
ンサを有し、前記光センサより出力された信号を処理す
る集積回路と、 前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の入出力
のため外部との接続に用いられるパッドと、 前記コンデンサの少なくとも一部、前記光センサ及び前
記パッドの形成されている領域上を除く前記基板の全面
に一体的に形成された導電性遮光膜と、 を備える半導体集積回路装置。 - 【請求項4】 基板と、 前記基板上に形成された光センサと、 前記基板上に形成され、高周波信号が印加される抵抗を
有し、前記光センサより出力された信号を処理する集積
回路と、 前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の入出力
のため外部との接続に用いられるパッドと、 前記抵抗の少なくとも一部、前記光センサ及び前記パッ
ドの形成されている領域上を除く前記基板の全面に一体
的に形成された導電性遮光膜と、 を備える半導体集積回路装置。 - 【請求項5】 基板と、 前記基板上に形成された光センサと、 前記基板上に形成され、高周波信号を処理するトランジ
スタを有し、前記光センサより出力された信号を処理す
る集積回路と、 前記基板上に形成され、前記集積回路への信号の入出力
のため外部との接続に用いられるパッドと、 前記トランジスタの少なくとも一部、前記光センサ及び
前記パッドの形成されている領域上を除く前記基板の全
面に一体的に形成された導電性遮光膜と、 を備える半導体集積回路装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4107437A JPH05304280A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 半導体集積回路装置 |
US07/976,431 US5276349A (en) | 1992-04-27 | 1992-11-13 | Semiconductor integrated circuit device |
DE4300842A DE4300842A1 (de) | 1992-04-27 | 1993-01-14 | Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4107437A JPH05304280A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05304280A true JPH05304280A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=14459129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4107437A Pending JPH05304280A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5276349A (ja) |
JP (1) | JPH05304280A (ja) |
DE (1) | DE4300842A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011118177A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | パナソニック株式会社 | 光学ヘッド及び光情報装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100192576B1 (ko) * | 1995-11-17 | 1999-06-15 | 윤종용 | 콘택 이미지 센서 |
EP1209447B2 (en) * | 2000-11-27 | 2009-09-16 | Omron Corporation | Light detector and light detecting IC therefor |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6010671A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPS6269672A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Toshiba Corp | 光感半導体集積回路装置 |
JPS6454758A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
JPH02294070A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-05 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 受光素子内蔵集積回路装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4941029A (en) * | 1985-02-27 | 1990-07-10 | Westinghouse Electric Corp. | High resistance optical shield for visible sensors |
JPS62112382A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-23 | Toshiba Corp | 半導体受光装置 |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP4107437A patent/JPH05304280A/ja active Pending
- 1992-11-13 US US07/976,431 patent/US5276349A/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-01-14 DE DE4300842A patent/DE4300842A1/de not_active Ceased
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6010671A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPS6269672A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Toshiba Corp | 光感半導体集積回路装置 |
JPS6454758A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
JPH02294070A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-05 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 受光素子内蔵集積回路装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011118177A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | パナソニック株式会社 | 光学ヘッド及び光情報装置 |
JPWO2011118177A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2013-07-04 | パナソニック株式会社 | 光学ヘッド及び光情報装置 |
US8570845B2 (en) | 2010-03-25 | 2013-10-29 | Panasonic Corporation | Optical head and optical information device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5276349A (en) | 1994-01-04 |
DE4300842A1 (de) | 1993-10-28 |
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