JP3986267B2 - 受光素子および受光装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は光センサーに好適な受光素子およびそれを用いた受光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種の受光装置は例えば特開平3−72730公報に示されている。この公報によると、受光素子と回路素子が回路基板上に載置され、シールドケースに収納されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上記受光装置を例えばテレビジョン受信機に内蔵した場合、所定の入力光信号が受信機のフライバックトランス等による電磁ノイズを拾い易い第1の欠点が有る。そのために、シールドケースにメッシュ構造体を設け、フィルタを設けているので、コスト高になり、装置が大型化する第2の欠点が有る。
【0004】
この欠点を解消するために、本発明者は、受光素子の表面にメッシュ状の表面電極を設けた。しかし、表面電極と、受光素子の高濃度不純物層との間に設けられた絶縁層が存在するため、上記部品によりコンデンサが構成される。しかも上記絶縁層の厚さは小さいので、コンデンサの容量は大きい。そのため、受光できる到達距離が5〜6mと小さくなる第3の欠点が有る。
【0005】
また、上記受光素子では、表面方向からの電磁ノイズを拾いにくくなるが、側面方向からの電磁ノイズを拾い易い第4の欠点が有る。そこで、本発明はこの様な従来の欠点を考慮して、電磁ノイズを拾いにくく、コストが安く、コンデンサ容量の少ない受光素子および受光装置を提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項1の本発明では、表面の周囲に傾斜面を有し、低濃度不純物を含む半導体基板と、前記半導体基板の表面側の略中央に位置する中央部分と、前記傾斜面に位置する周辺部分を有し、かつ第1導電型の高濃度不純物を含む第1層と、前記中央部分と前記周辺部分に挟まれて位置し、かつ第2導電型の高濃度不純物を含む第2層とを具備する。
【0007】
請求項2の本発明では、前記第1層に於て、前記中央部分と前記周辺部分とを接続し、細片状の連絡部分を設けた。
【0008】
請求項3の本発明では、前記第1層のシート抵抗が50Ω/□以下であるものとする。
【0009】
請求項4の本発明では、前記第2層の上方を覆い、前記第1層に接触する第1電極と、前記第2層の上方を覆い、前記第2層に接触する第2電極とを設けた。
【0010】
請求項5の本発明では、請求項1から請求項4のいずれかに記載された受光素子と、グランド電位に接続されたフレームと、前記フレーム上に前記受光素子の底面を固着する絶縁性接着剤とを具備した。
【0011】
請求項6の本発明では、前記受光素子を構成する前記第1層と前記フレームを同電位とする接続手段を設けた。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図1の製造工程図に従い、本発明の実施の形態に係る受光素子1の製造について説明する。最初に、ウエハ2を準備する(図1(a)参照)。ウエハ2は例えば、低濃度(例えば、4×1013cm-3以下)のN型不純物を含むシリコン基板であり、厚さは例えば400μmである。
【0013】
次に、ウエハ2の表面全体に、二酸化珪素から成る絶縁層をスピンコートにて形成する。そして、フォトリソグラフィにより、上記絶縁層を所定の第1パターン3に形成する(図1(b)参照)。
【0014】
次に、IRE又はウエットエッチングにより、深さが約200μmの傾斜部4を形成する(図1(c)参照)。
【0015】
そして、フォトリソグラフィにより、上記絶縁層を所定の第2パターン5に形成する(図1(d)参照)。この時、絶縁層の残部6も形成される。
【0016】
次に、例えば拡散法により、傾斜部4および第2パターン5の下に、各々、ボロン等が拡散されたP型不純物層7、8を形成する(図1(d)参照)。P型不純物層7、8は例えば、不純物濃度が1×1020cm-3であり、シート抵抗が20Ω/□であり、深さが1〜2μmである。
【0017】
そして、例えば拡散法により、P型不純物層7、8の周辺に、燐等が拡散されたN型不純物層(図示せず)を形成する。上記N型不純物層は例えば、不純物濃度が1×1019cm-3であり、深さが1〜2μmである。
【0018】
次に、このウエハ9の表面上に絶縁層(図示せず)を形成する。その後、フォトリソグラフィにより、上記絶縁層の一部を除去する。そして、蒸着法により、P型不純物層8とコンタクト(接触)する様に第1電極(図示せず)を形成し、N型不純物層とコンタクトする様に第2電極(図示せず)を形成する。更に、ウエハ9を分割して、受光素子1を得る。
【0019】
次に、図1ないし図3に従い、この受光素子1を説明する。図2は受光素子1の平面図(主要部品は透視されている)、図3は図2のA1A2A3A4に沿う断面図である。
【0020】
これらの図に於て、半導体基板10は、ウエハ9が素子に分割されたものである。半導体基板10は、傾斜部4(図1(c)参照)に従って、表面の周囲に、傾斜面11が形成されている。
【0021】
半導体基板10は、低濃度(例えば4×1013cm-3 以下)のN型不純物を含むシリコン基板から成る。
【0022】
周辺部分12a、12b、12c、12dは、P型不純物層7(図1(d)参照)に相当する部分である。即ち、周辺部分12a〜12dは、半導体基板10に形成された4つの傾斜面11の内部に形成された(拡散された)P型不純物層である。
【0023】
周辺部分12a〜12dは、例えば、ボロン等による不純物濃度が1×1020cm-3であり、シート抵抗が20Ω/□であり、深さが1〜2μmである。
【0024】
中央部分13はP型不純物層8(図1(d)参照)に相当する部分である。即ち、中央部分13は、半導体基板10の表面側の略中央の内部に形成された(拡散された)P型不純物層である。
【0025】
連絡部分14は、中央部分13と周辺部分12aを接続する様に、細片状に設けられている(図2参照)。この様に、連絡部分14は、半導体基板10の表面の内部に形成されたP型不純物層である。
【0026】
これらの周辺部分12a〜12dと、中央部分13と、連絡部分14とにより第1層15が構成されている。即ち、第1層15は第1導電型(例えばP型)の高濃度不純物(例えば、1×1020cm-3のボロン)を含んでいる。第1層15のシート抵抗は、望しくは50Ω/□以下になる様に設けられている。
【0027】
第2層16は、N型不純物層(図1に従って上述した通り)に相当する部分である。第2層16は、中央部分13と周辺部分12a〜12dと連絡部分14に離れて位置し、かつ中央部分13と周辺部分12a〜12dに挟まれて位置している(図2参照)。
【0028】
この様に、第2層16は、半導体基板10の表面の内部に、深さが1〜2μmにて形成(拡散)されている。第2層16は、第2導電型(例えばN型)の高濃度不純物(例えば1×1019cm-3の燐)を含んでいる。
【0029】
絶縁層17は例えば珪素から成り、第1層15の表面と、第2層16の表面と半導体基板10の表面上に形成されている。絶縁層17の適所には、孔18、19、20が形成されている。
【0030】
第1電極21は例えば金から成り、第2層16の上方を覆い、第1層15に接触(コンタクト)する様に形成されている。即ち、第1電極21は、第2層16上に形成された絶縁層17上に形成されている。第1電極21は、絶縁層17の孔18、19内に形成された部分を介して、各々、周辺部分12aと、中央部分13に接触している。
【0031】
この様に、第1電極21は第2層16の上方を覆う様に、略コ字状に形成されている(図2参照)。
【0032】
第2電極22は例えば金から成り、第2層16の上方を覆い、第2層16に接触する様に形成されている。即ち、第2電極22は、絶縁層17の孔20に形成された部分を介して、第2層16に接触している。この様にして、第2電極22は第2層16の上方を部分的に覆う様に、略長方形状に形成されている(図2参照)。上記部品により、この受光素子1が構成されている。
【0033】
次に、図2ないし図4に従い、この受光素子1を用いた受光装置23を説明する。図4は受光装置23の断面図である。図4に於て、フレーム24は例えば金属板等から成る。フレーム24はグランド電位に接続されている。絶縁性接着剤25は、フレーム24上に受光素子1の底面を固着するものである。
【0034】
接続手段26は金属細線であり、受光素子1を構成する第1層15に接触する第1電極21(図4では図示せず)と、フレーム24との間に配線されている。この様に、受光素子1の第1層15とフレーム24を同電位とする接続手段26が設けられている。
【0035】
集積回路素子27は例えば、増幅器と検波回路と波形整形回路等から成るICである。集積回路素子27は、導電性接着剤28を介して、フレーム24上に固着されている。
【0036】
金属細線29は、受光素子1の第2層16に接触する第2電極22(図4では図示せず)と、集積回路素子27の電極(図示せず)との間に配線されている。
【0037】
樹脂30は例えばエポキシ樹脂から成り、受光素子1と、集積回路素子27とフレーム24と、第2フレーム(図示せず)の周辺を覆う様に形成されている。樹脂30は受光素子1の感度特性に合わせ、赤外光を透過するが、可視光を減衰させるフィルタ染料が混入してある。これらの部品により、受光装置23が構成されている。
【0038】
次に、従来の受光素子1におけるコンデンサ容量C1と、本発明の受光素子1におけるコンデンサ容量C2とを比較する。コンデンサ容量は極間距離に反比例するので、次式が成り立つ。C2/C1=D1/D2…(1)式。
【0039】
ただし、D1は従来の受光素子における極間距離、D2は受光素子1における極間距離である。D1は絶縁層の厚さに等しいので、例えば、D1=1μmである。D2は、第1層15と第2層16との離間距離であり(図3参照)、例えば、D2=500μmである。これらの値を(1)式に代入すると、C2/C1=1/500となる。
【0040】
即ち、本発明の受光素子1におけるコンデンサ容量は、従来の1/500倍となる。その結果、受光できる到達距離が、従来に比べ、格段に長くなり、実用上差し支えない程度となる。
【0041】
なお、上述の説明では、PINホトダイオードを例にとったが、本発明はこれに限られるものでなく、一般のホトダイオードに適用できる。更に、上記実施例とは逆極性の受光素子についても適用できる。
【0042】
次に、図4に従い、この受光装置30の動作を説明する。光リモコンの発光装置(共に図示せず)から送られ、電気信号を変調して赤外光に重畳された入力光信号が樹脂30を介して、受光素子1の表面に入射する。
【0043】
この時、集積回路素子27内のABLC(オート バイアス ロジック レベル コントローラ)により、受光素子1に対し、一定の逆バイアス電圧は印加されている。上記入力光信号の強度に従う光信号出力が、金属細線29を介して、集積回路素子27に入る。
【0044】
上記光信号出力は、集積回路素子27内の増幅器と検波回路と波形整形回路等により、検波された電気信号となり、第2フレームから出力される。
【0045】
【発明の効果】
請求項1の本発明では、表面の周囲に傾斜面を有し、低濃度不純物を含む半導体基板と、半導体基板の表面側の略中央に位置する中央部分と、傾斜面に位置する周辺部分を有し、かつ第1導電型の高濃度不純物を含む第1層と、中央部分と周辺部分に挟まれて位置し、かつ第2導電型の高濃度不純物を含む第2層とを具備した構成とする。この様に、半導体基板の表面側の略中央および表面の周囲の傾斜面に、高濃度不純物を含む第1層を設ける事により、表面方向からの電磁ノイズおよび側面方向からの電磁ノイズを拾いにくくなる。また、第1層と第2層から成る極間距離は、横方向に延びる両層の離間距離、即ちD2に等しいので、従来の極間距離D1に比べ、格段に長くなる。その結果、本発明の受光素子に係るコンデンサ容量は、従来に比べ、格段に小さくなる。
【0046】
請求項2の本発明では、第1層において、中央部分と周辺部分とを接続し、細片状の連絡部分を設けた構成とする。この様に、連絡部分により、中央部分と周辺部分とを接続するので、中央部分と周辺部分が同電位となり、電磁シールド面が増えるので、外部からの電磁ノイズを拾いにくくなる。
【0047】
請求項3の本発明では、第1層のシート抵抗が50Ω/□以下である構成とする。この様に、シート抵抗を50Ω/□以下とする事により、第1層の導電性を高め、電磁シールド性を高める事ができる。
【0048】
請求項4の本発明では、第2層の上方を覆い、第1層に接触する第1電極と、第2層の上方を覆い、第2層に接触する第2電極とを設けた構成とする。この様に、第1電極および第2電極により、電気的に高ゲインを持つ第2層を、外部の電磁ノイズから保護する事ができる。また、上記構成は、従来の様に、メッシュ構造でないので、入射光ロスが少なく、光信号出力は十分に大きい値となる。
【0049】
請求項5の本発明では、上記受光素子と、グランド電位に接続されたフレームと、フレーム上に受光素子の底面を固着する絶縁性接着剤とを具備した構成とする。上述の様に、受光素子自身に電磁シールド性を持たせるているので、従来の様に、シールド対策としてのメッシュ構造体やフィルタを設ける必要が無い。故に、コストが安く、かつ装置を小型化できる。
【0050】
請求項6の本発明では、受光素子を構成する第1層と、フレームを同電位とする接続手段を設けた構成とする。この様に、同電位である第1層とフレームにより、受光素子を挟むので、外部からの電磁ノイズに対し、電磁シールド性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る受光素子1の製造工程図である。
【図2】上記受光素子1の平面図である。
【図3】図2のA1A2A3A4に沿う断面図である。
【図4】上記受光素子1を用いた受光装置23の断面図である。
【符号の説明】
10 半導体基板
12a,12b,12c,12d 周辺部分
13 中央部分
15 第1層
16 第2層
Claims (6)
- 表面の周囲に傾斜面を有し、低濃度不純物を含む半導体基板と、前記半導体基板の表面側の略中央に位置する中央部分と、前記傾斜面に位置する周辺部分を有し、かつ第1導電型の高濃度不純物を含む第1層と、前記中央部分と前記周辺部分に挟まれて位置し、かつ第2導電型の高濃度不純物を含む第2層とを具備した事を特徴とする受光素子。
- 前記第1層に於て、前記中央部分と前記周辺部分とを接続し細片状の連絡部分を設けた事を特徴とする請求項1の受光素子。
- 前記第1層のシート抵抗が50Ω/□以下である事を特徴とする請求項1の受光素子。
- 前記第2層の上方を覆い、かつ前記第1層に接触する第1電極と、前記第2層の上方を覆い、前記第2層に接触する第2電極とを設けた事を特徴とする請求項1の受光素子。
- 請求項1から請求項4のいずれかに記載された受光素子と、グランド電位に接続されたフレームと、前記フレーム上に前記受光素子の底面を固着する絶縁性接着剤とを具備した事を特徴とする受光装置。
- 前記受光素子を構成する前記第1層と前記フレームを同電位とする接続手段を設けた事を特徴とする請求項5の受光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001132174A JP3986267B2 (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 受光素子および受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001132174A JP3986267B2 (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 受光素子および受光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002329883A JP2002329883A (ja) | 2002-11-15 |
JP3986267B2 true JP3986267B2 (ja) | 2007-10-03 |
Family
ID=18980221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001132174A Expired - Fee Related JP3986267B2 (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 受光素子および受光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3986267B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5822688B2 (ja) * | 2011-11-29 | 2015-11-24 | 京セラ株式会社 | 受発光素子 |
-
2001
- 2001-04-27 JP JP2001132174A patent/JP3986267B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JP2002329883A (ja) | 2002-11-15 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100720 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100720 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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