JPS63182874A - 半導体光検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体基板に形成されたフォトダイオードに
入射する光を電気信号として検出する型式の半導体光検
出装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体基板に形成されたフォトダイオードを用い
てこれに入射する光を電気信号として検出する半導体光
検出装置が知られている。

第３図（ａ）はこの種の従来の半導体光検出装置の平面
図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）のＡ−Ａ線における断
面図である。

第３図（ａ）　、　（ｂ）を参照すると、従来の半導体
光検出装置では、第１の導電型、例えばｎ型、の半導体
基板すなわち半導体層３１に、第２の導電型、例えばｐ
型、の拡散層３２が形成され、これによりフォトダイオ
ードを形成している。半導体層３１、拡散層３２上には
さらに酸化膜３３が形成されている。第３図（ａ）に符
号３４で示す領域のところでは酸化膜３３は取除かれ、
この領域３４には、拡散層３２に接続する電極コンタク
ト３５が形成されている。電極コンタクト３５はさらに
出力信号を取出すための電極３６に接続されている。

また、拡散７１３２が形成されている側とは反対側の半
導体屑３１にはカソード電極３７が形成されている。

このような半導体光検出装置では、通常、電極３６を電
流−電圧変換型増幅器（図示せず〉に接続し、カソード
環ｆ！３７には半導体層３１と拡散層３２とのｐｎ接合
部が逆バイアスとなるように所定の電圧を印加する。こ
れにより半導体光検出装置に光が入射すると電極３６か
ら光電流として出力信号を検出することができるように
なっている。

ところで第３図（ａ）　、　（ｂ）に示すような従来の
半導体光検出装置を電磁界の強い環境の下で用いる場合
には、半導体光検出装置は電磁界によって誘導される雑
音の影響を受ける１例えば、半導体光検出装置を電動機
が作動している場所、高周波電源が設置されている場所
などで用いる場合、あるいは半導体光検出装置が光によ
って入力、出力間を絶縁しながら情報を伝達する装置（
オプトアイソレータ）に使用される場合には、半導体光
検出装置は電磁界の影響を受ける。

すなわち、半導体光検出装置が電磁界にさらされると、
拡散層３２と、これに接続する金属の電１ｉ３６とには
、時間的に変化する電磁界が表皮深さまで浸入し、拡散
層３２および電極３６には変位電流が流れる。これによ
り出力信号には光電流のほかに変位電流が笛音信号とし
て混入する。

この問題を解決するために、第３図（ａ）　、　（ｂ）
に示すと同様の拡散層３２．酸化膜３３および電極３６
上に眉間絶縁膜３８を介して透明導電膜３９を形成し、
符号４０のところで、透明導電膜３９を半導体層３１に
接触させ固定させた構造の、第４図に示すようないわゆ
るノイズシールド付半導体光検出器がある。

このノイズシールド付半導体光検出器では、外部の電磁
界は、透明導電膜３９に浸入するだけで、透明導電ｇ！
３９よりも内側の拡散層３２などには浸入しないので、
電磁界による変位電流は透明導電［３９から半導体層３
１にバイパスされ、拡散層３２から電極３６を介して出
力される出力信号には雑音信号すなわち変位電流が混入
せず光電流だけを検出することができる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、第４図に示す構造のノイズシールド付半
導体光検出装置では、製造に際し、透明導電膜３９を形
成するための工程が必要となり、また拡散層３２と透明
導電膜３９との間にこれらを互いに絶縁するための眉間
絶縁［３８を形成する必要があるため、製造コストが増
大するという問題がある。

本発明は、製造コストを増大させずに光電流だけを検出
することの可能な半導体光検出装置を提供することを目
的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、第１の導電型の半導体屑と、第１の導電型の
半導体層に形成されかつ第１の導電型の半導体層ととも
にフォトダイオードを構成する第２の導電型の拡散層と
を備える半導体光検出装置を改良するものである。

第１の発明において、フォトダイオード用の第２導電型
の拡散層が形成されていない第１の導電型の半導体層の
一部の領域からの出力信号は、第２の導電型の拡散層か
らの出力信号とともに取出されるようになっている。

第２の発明においては、さらに、フォトダイオードが形
成されている第２の導電型の半導体基板に信号処理回路
を追加し、フォトダイオード用の第２の導電型の拡散層
の形成されていない第１の導電型の半導体層の一部の領
域からの出力信号を、第２の導電型の拡散層からの出力
信号とともに所定の電極配線を介して信号処理回路に加
えるような構成になっている。

〔作用〕

本発明では、第１の導電型の半導体層に第２の導電型の
拡散層を形成してフォトダイオードを構成するとともに
、フォトダイオード用の第２の導電型の拡散層が形成さ
れていない第１の導電型の半導体層の一部の領域からの
出力信号をも取出すようになっている。このような半導
体光検出装置に光が入射し、また半導体光検出装置が電
磁界の下で使用されていると、フォトダイオードを構成
する第２の導電型の拡散層からの出力信号には、光電流
とともに雑音信号すなわち変位電流が含まれることにな
る。一方、フォトダイオード用の第２の導電型の拡散層
が形成されていない第１の導電型の半導体層の一部の領
域からの出力信号には、光電流が含まれず、雑音信号す
なわち変位電流によるものだけである。従って、第２の
導電型の拡散層からの出力信号と、第１の導電型の半導
体層の一部の領域からの出力信号との差を求めれば、光
電流だけを検出することができる。

さらにフォトダイオードが形成されている半導体基板に
、出力信号間の差を求める信号処理回路をも形成すれば
、第１の導電型の半導体層の一部の領域からの出力信号
と第２の導電型の拡散層からの出力信号とを所定の電極
配線を介して信号処理回路に確実に加えることができる
。これにより、例えば電極配線を短かくかつ信頼性良く
設定できるので、変位電流による影響を一層軽減し、光
電流だけを一層正確にかつ再現性良く検出することがで
きる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は本発明に係る半導体光検出装置の第１の実施例
の構成図であり、第１図（ａ）は平面図、第１図（ｂ）
は第１図（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。なお
第１図（ａ）　、　（ｂ）において第３図（ａ）　、　
（ｂ）と同様の箇所には同じ符号を付して説明を省略す
る。

第１図（ａ）　、　（ｂ）に示す第１の実施例の半導体
光検出装置１では、第１の導電型、例えばｎ型、の半導
体屑３１に、第２の導電型、例えばｐ型、の拡散層３２
と、第２の導電型、例えばｐ型、の拡散Ｒ２とが形成さ
れている。半導体Ｎ３１．拡散１３２．および拡散層２
上にはさらに酸化膜３３が形成されている。第１図（ａ
）に示すように、拡散層３２には電極コンタクト３５が
接続され、ＴＬ極コンタクト３５はさらに電極３６に接
続されている。また拡散層２には電極コンタクト３が接
続され、電極コンタクト３はさらに環状部分４をもつ電
極５に接続されている。

電極５の環状部分４は、例えばアルミニウム金属からな
り、拡散層２と整合するように位置決めされている。す
なわち環状部分４は、矢印Ｆの方向に入射する光が拡散
層２に達しないよう完全に遮光するためのものである。

これによって半導体層３１と拡散層３２とは、第３図に
示したと同様の通常のフォトダイオードを構成する一方
、半導体Ｍ３１と拡散層２とは擬似フォトダイオードを
構成している。

このような構造の半導体光検出装置１では、電極５およ
び電極３６をそれぞれリード線（図示せず）によって外
部の信号処理回路（図示せず）に接続し、カソード電極
３７を電圧源（図示せず）に接続する。なお外部の信号
処理回路は、電極３６および電極５からの出力電流ＩＡ
、ＩＢの差を増幅するためのものである。

半導体層３１と拡散層３２とからなるフォトダイオード
、半導体屑３１と拡散層２とからなる擬似フォトダイオ
ードにカソード１ｆｉ３７より逆バイアスの電圧を印加
する。光が半導体光検出装置１に矢印Ｆの方向に入射す
ると、光は拡散層３２に浸入し、拡散層３２と半導体！
３１とのｐｎ接合部に電子−正孔対を生成する。これに
より、拡散層３２からは電極コンタクト３５．電ｆ！３
６を介して信号処理回路に出力信号すなわち出力電流Ｉ
Ａとして光電流が流れる。

この半導体光検出装置１が電磁界の強い環境の下で使用
されていないときには、半導体光検出装Ｗｌ内には変位
電流が流れないので、拡散層３２からの出力信号すなわ
ち出力電流ＩＡは、雑音信号すなわち変位電流ＩＮを含
んでおらず、入射した光によって発生する光電流ＩＳだ
けのものとなる。一方、拡散層２は環状部分４によって
完全に遮光されているので光電流は流れず、また半導体
光検出装置１が電磁界の強い環境の下で使用されていな
いので変位電流も流れない、従って拡散層２から電極コ
ンタクト３．電ＩＩ！５を介して信号処理回路に流れる
電流ＩＢは′０″になる。この結果、半導体光検出装置
１が電磁界の強い環境の下で使用されていないときには
、電ｌ１３６からの出力電流ＩＡと電極５からの出力電
流ＩＢとの差は、光電流ＩＳとなり、信号処理回路によ
り光電流を検出することができる。

一方、半導体光検出装置１が電磁界の強い環境の下で使
用されるときには、フォトダイオードを構成する拡散層
３２および電極コンタクト３５゜電極３６には変位電流
ＩＮが流れ、擬似フォトダイオードを構成する拡散層２
．および電極コンタクト３．電極４には変位電流ＩＮ’
が流れる。これにより、拡散層３２からの出力信号すな
わち出力電流ＩＡは、入射した光によって発生する光電
流Ｉｓと雑音信号すなわち変位電流ＩＮとの和になる。

一方、拡散Ｒ２からの出力信号すなわち出力電流ＩＢは
、変位電流ＩＮ’だけとなる。ところで、例えば拡散層
２と半導体層３１とのｐｎ接合部の接合面積と、拡散層
３２と半導体屑３１とのｐｎ接合部の接合面積とを同じ
にし、また電極５．３６から信号処理回路までのそれぞ
れのリード線の長さ、組成などを同じにすると、拡散層
２から信号処理回路へ流れる変位電流ＩＮ’を、拡散層
３２から信号処理回路へ流れる変位電流ＩＮと同じにす
ることができる。この結果、半導体光検出装置１が電磁
界の強い環境の下で使用されるときには、電極３６から
の出力電流ＩＡ（ＩＳ＋ＩＮ）と電極５からの出力電流
ＩＢ　（ＩＮ）との差は、光電流ＩＳとなり、信号処理
回路により、この光電流ＩＳを増幅することにより、雑
音信号すなわち変位電流を含まない光電流だけを検出す
ることができる。

このように、第１の実施例によれば、擬似フォトダイオ
ードを設けることによって、半導体光検出装置が電磁界
の強い環境の下で使用された場合でも変位電流を含まな
い光電流だけの出力信号を検出することが可能となる。

また、第４図に示す従来の半導体光検出装置のように、
電磁界をシールドするたための透明導電膜を形成する余
分の工程を必要とすることなく、第１の導電型の半導体
層にさらに第２の導電型の拡散層を形成し、これを遮光
するだけで良いので、製造コストを増大させることもな
い。

第２図は本発明に係る半導体光検出装置の第２の実施例
の構成図であり、第２図（ａ）は平面図、第２図（ｂ）
は第２図（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。

この第２の実施例の半導体光検出装置では、フォトダイ
オード、擬似フォトダイオードの形成される同一の半導
体基板上に信号処理回路をも形成するような構造となっ
ている。

第２１ｆｆｉ（ａ）　、　（ｂ）に示す第２の実施例の
半導体光検出装置１１では、ｐ型半導体基板１２と、ｐ
型半導体基板１２上にエピタキシャル成長させたｎ型エ
ピタキシャル成長３１１１３と、酸化膜１４とが順次に
￥？１層されて形成されている。さらにｐ型半導体基板
１２とｎ型エピタキシャル成長Ｊ１１３とが接する一部
の領域には、ｎ型不純物を高濃度＋ に埋込んだｎ　型埋込層１５が設けられ、ｎ＋＋埋込層
１５の両端部と酸化Ｈ１４との間にはｎ＋型型数散層１
６形成されている。ｎ＋＋埋込層１５とｎ＋型拡散Ｍ１
６とによって囲まれたｎ型エピタキシャル成長層すなわ
ちｎ型の半導体層１３内には、ｐ型拡散Ｊ１１７と、ｐ
型拡散層１８とが形成されている。

Ｐ型拡散層１７．１８にはそれぞれ電極コンタクト２０
．２１が接続され、またｎ＋＋埋込層１５およびｎ＋型
型数散層１６はカソード電極コンタクト２２が接続され
ている。電極コンタクト２０．２１はさらにそれぞれ電
極配線２３．２５に接続され、カソード電極コンタクト
２２はさらにカソード電極配＆１２４に接続されている
。

なお各電極コンタクト２０乃至２２．各電極配線２３乃
至２５はアルミニウム金属からなっている。

電極配線２５は環状部分１９を有しており、この環状部
分１９は、矢印Ｆの方向に入射する光がｐ型拡散層１８
に達しないよう完全に遮光するものである。これにより
ｎ型エピタキシャル成長層１３とＰ型拡散層１７とは、
第３図に示しなと同様の通常のフォトダイオードを構成
する一方、ｎ型エピタキシャル成長層１３とｐ型拡散３
１１８とは擬似フォトダイオードを構成している。

すなわち、電極配線２３には、ｐ型拡散層１７すなわち
フォトダイオードからの出力信号が出力される一方、電
極配線２５には、ｐ型数散眉１８すなわち擬似フォトダ
イオードからの出力信号が出力されるようになっている
。またカソード電極配１１２４は、外部の電圧源（図示
せず）に接続され、フォトダイオードおよび擬似フォト
ダイオードに逆バイアスの電圧を印加するためのもので
ある。

またフォトダイオード、擬似フォトダイオードが形成さ
れているｐ型半導体基板１２には、トランジスタ、ダイ
オード、抵抗を組合わせた形の信号処理回路２６が形成
されている。

信号処理回路２６には、フォトダイオード用の電極配ａ
２３と擬似フォトダイオード用の電極配線２５とがそれ
ぞれ接続されており、信号処理回路２６は、電極配線２
３からの出力信号すなわち出力電流ＩＡと電極配線２５
からの出力信号すなわち出力電流ＩＢとの差を増幅して
検出するためのものである。

このように第２の実施例では、同一の半導体基板上にフ
ォトダイオード、擬似フォトダイオードの領域と信号処
理回路の領域とを形成するようになっているので、これ
らの領域間の電気的分離を確実にしなければならない、
このために、半導体基板としては、ｐ型不純物のドープ
されたｐ型半導体基板１２が用いられ、さらにこれらの
領域間のｎ型エピタキシャル成長層１３には、Ｐ型分層
拡散層２７が形成されている。なお、ｐ型半導体基板１
２を用いているので、フォトダイオードおよび擬似フォ
トダイオードの実質的なカソード電極としてｎ＋＋込層
１５．ｎ＋型型数散層１６必要となる。

このような構造の半導体光検出装置１１では、カソード
電極配線２４を電圧源（図示せず）に接続し、カソード
電極コンタクト２２．ｎ＋型型数ｊｌ１６．ｎ＋＋埋込
層１５を介して、ｎ型エピタキシャル成長層１３とｐ’
Ｊ拡散Ｊ！！１１７とからなるフォトダイオード、およ
びｎ型エピタキシャル成長Ｒ１３とｐ型拡散層１８とか
らなる擬似フォトダイオードに電圧を印加する。

光が半導体光検出装置１１に矢印Ｆの方向に入射すると
、第１の実施例で説明したと同様にして、光はｐ型拡散
層１７に浸入し、ｐ型拡散層１７とｎ型エピタキシャル
成長層１３とのｐｎ接合部に電子−正孔対を生成する。

これによりｐ型拡散層１７、電極コンタクト２０．電極
配線２３を介して信号処理回路２６に出力信号すなわち
出力電流ＩＡとしての光電流が流れる。

半導体光検出装置１１が電磁界の強い環境の下で使用さ
れていないときには、前述したと同様に、信号処理回路
２６にはフォトダイオード用の電極配線２３を介して、
入射した光により発生する光電流ＩＳだけが出力電流Ｉ
Ａとして入力し、擬似フォトダイオード用の電極配線２
５からの出力信号すなわち出力電流ＩＢは“Ｏ”となる
ので、出力電流ＩＡと出力電流ＩＢとの差は光電流Ｉｓ
となり、信号処理＠ｉ２６により光電流を検出すること
ができる。

一方、半導体光検出装置１１が電磁界の強い環境の下で
使用されるときには、変位電流ＩＮが、Ｐ型数散ＷＪ１
７．電極コンタクト２０．電極配線２３に流れ、変位電
流ＩＮ’が、ｐ型拡散層１８゜電極コンタクト２１．電
極配線２５に流、れる、これによって、ｐ型拡散層１７
からの出力信号すなわち出力電流ＩＡは、入射した光に
より発生する光電流ＩＳと雑音信号すなわち変位電流Ｉ
Ｎとの和になる。一方、ｐ型拡散層１８には光電流が流
れず、出力電流ＩＢは変位電流ＩＮ’となる。

ところで、第２の実施例では、フォトダイオード用の電
極配線２３．擬似フォトダイオード用の＠、極配ｆｆ１
２うを、酸化膜１４上にアルミニウム金属などで短かく
かつ正確に信頼性良く予め形成することができるので、
電極配線２３．２５の変位電流を小さくすることができ
る。またｐ型拡散層１７とｎ型エピタキシャル成長層１
３とのｐｎ接合部の接合面積と、ｐ型拡散層１７とｎ型
エピタキシャル成長層１３とのｐｎ接合部の接合面積と
が同じであるならば、電極配線２３．２５を同じ長さの
ものとなるようこれらを予め正確に形成することができ
る。これによってｐ型拡散層１８から信号処理回路２６
への変位電流ＩＮ’とｐ型拡散層１７から信号処理回路
２６への変位電流ＩＮとを正確に同じにすることが可能
となる。なおＰ型拡散層１８とｎ型エピタキシャル成長
層１３とのｐｎ接合部の接合面積と、ｐ型拡散層１７と
ｎ型エピタキシャル成長層１３とのｐｎ接合部の接合面
積とが異なっている場合には、信号処理回路２６への変
位電流ＩＮ’が変位電流ＩＮと同じになるよう電極配線
２３．２５の長さ、組成などを予め互いに相違させれば
良い。

このようにして、Ｐ型拡散層１８から信号処理回路２６
へ流れる変位電流ＩＮ’を、ｐ型数散層１７から信号処
理回路２６へ流れる変位電流ＩＮと正確に同じにするこ
とができる。この結果、電極配線２３からの出力電流Ｉ
Ａ（ＩＳ＋ＩＮ）と電極配線２５からの出力電流ＩＢ　
（ＩＮ）との差は、光電流ＩＳとなり、この光電流ＩＳ
を増幅することにより、光電流だけをより正確に検出す
ることができる。

このように、第２の実施例によれば、同一のｐ型半導体
基板１２上にフォトダイオード、擬似フォトダイオード
とともに信号処理回路２６を形成しているので、リード
線などにより外部の信号処理回路に接続する手間を省き
繰作性を著しく向上させ、作業コストを低減させること
ができる。また、信号処理回路２６への電極配線２３．
２５は、酸化ｇ！１４上に短かくかつ信頼性良く予め形
成されているので、電磁誘導などの影響を受けにくくす
ることができるとともに、使用の都度リード腺の長さな
どを調整する必要がないので、再現性の良い検出結果を
容易に得ることができる。この結果、半導体光検出袋Ｗ
１１１を電磁界の強い環境の下で使用する場合でも信号
処理回路２６により光電流だけを一層正確に検出するこ
とができる。

なお、上述の第１および第２の実施例では、遮光される
拡散層２．１８をｎ型の半導体層３１゜１３に形成した
が、これらの拡散層２．１８はフォトダイオードの拡散
層３２．１７との対称性を良くするために設けられたも
のである。すなわち、信号処理回路の入力インピーダン
スが零ではないと想定すると、信号処理回路の入力端と
カソードであるｎ型の半導体層３１．１３との間の接合
容量は、フォトダイオードの拡散層３２．１７を形成し
た領域と、拡散層３２．１７を形成しない領域とで相違
することになる０発生した変位電流は、信号処理回路と
接合容量とに分割されるが、この接合容量の相違によっ
て分割の程度が異なり、フォトダイオードと擬似フォト
ダイオードとの対称性が損なわれることになる。ここで
信号処理回路の入力インピーダンスが非常に小さい場合
には、発生した変位電流のほとんどが信号処理回路に流
れるため接合容量にはほとんど変位電流は流れない、こ
の場合は、拡散層２，１８は不要となり、ｎ型の半導体
層３１．１３からの出力信号を直接取出すことができて
、さらに電極５の環状部分４゜電極配線２５の環状部分
１９は透明なものであっても良く、また遮光する必要が
ないので環状のものである必要はなくかなり小さな面積
のものであっても良い。

また上述したような本発明の半導体光検出装置をオプト
アイソレータに適用すると、瞬時同相電圧除去率（コモ
ンモードリジュクション）を大ききくすることができ、
また光通信用受光器に適用すると、ＥＭＩ除去率を大き
くすることができる。

〔発明の効果〕

以上に説明したように、本発明の半導体光検出装置は、
フォトダイオード用の第２の導電型の拡散層が形成され
ていない第１の導電型の半導体層の一部の領域からの出
力信号と第２の導電型の拡散層からの出力信号とを取出
すような構造になっているので、第４図に示すような従
来の半導体光検出装置に比べて構造が簡単であり製造コ
ストを増大させずに光電流だけを検出することができる
。

またフォトダイオードが構成されているのと同じ半導体
基板に信号処理回路を形成しているので、電極配線を短
かくかつ信頼性良く予め形成することができて、これに
より光電流だけをより正確にかつ再現性良く検出するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る半導体光検出装置の第１の実施例
の構成図であり、第１図（ａ）は半導体光検出装置の平
面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＢ−Ｂ線における
断面図、第２図は本発明に係る半導体光検出装置の第２
の実施例の構成図であり、第２図（ａ）は半導体光検出
装置の平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＣ−Ｃ！
ｌにおける断面図、第３図は従来の半導体光検出装置の
構成図であり、第３図（ａ）は従来の半導体光検出装置
の平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）のＡ−Ａ線にお
ける断面図、第４図はノイズシールド付半導体光検出器
の断面図である。 １．１１・・・半導体光検出装置、 ２．３２・・・拡散層、４，１９・・・環状部分、１２
・・・ｐ型半導体基板、 １３・・・ｎ型エピタキシャル成長層または半導体層、
＋ １５・・・ｎ　型埋込層、１６・・・ｎ＋型型数散層１
７．１８・・・ｐ型拡散層、２３．２５・・・電極配線
、２６・・・信号処理回路、３１・・・半導体層特許出
願人　　　浜松ホトニクス株式会社代理人　　弁理士　
　植　本　雅　治 第　　２　　図 第　　３　　図 （ａ） 第　　４　　図 手続補正書１発） 昭和６２年２月１６日 ２　発明の名称 半導体光検出装置 ３　補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住　所　　静岡県浜松市市野町１１２６番地の１名　称
　　浜松ポトニクス株式会社 代表者　　書　馬　輝　夫 ４代理人 住　所　　（郵便番号１４０） ５　補正命令の日付　自発 ７　補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 （２）明細書第８頁第９行目、第８頁第１６行目、第９
頁第６行目、第９頁第１４行目、第９頁第１８行目、第
１０頁第２行目乃至第３行目、および第２４頁第２０行
目に「一部の領域からの」とあるのを「一部の領域上に
形成された電極からのｊと訂正する。 （３）明Ｓ書第２４頁第５行目乃至第６行目にｒｎ型の
半導体層３１．１３からの出力信号を直接取出す」とあ
るのをＥｎ型の半導体７１３１．１３上に形成された電
極からの出力信号を直接用いる」と訂正する。 （４）明細書第２４頁第１３行目に「コモンモードリジ
ェクション」とあるのを「コモンモードリジェクション
」と訂正する。 特許請求の範囲 １）第１の導電型の半導体層と、第１の導電型の半導体
層に形成されかつ第１の導電型の半導体層とともにフォ
トダイオードを構成する第２の導電型の拡散層とを備え
、前記第２の導電型の拡散層が形成されていない前記第
１の導電型の半導体層の一部の領域＝にノ　された、　
からの出力信号は、光電流だけを検出するため前記第２
の導電型の拡散層からの出力信号とともに取出されるよ
うになっていることを特徴とする半導体光検出装置。 ｎ　前記第２の導電型の拡散層からの出力信号は、前記
第１の導電型の半導体層の前記一部の領域　４：ｌ：」
１１ｆｔ７’ニー【蚤からの出力信号との差がとられ光
電流として検知されることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の半導体光検出装置。 Ｕ　第２の導電型の半導体基板と、該半導体基板上に形
成された第１の導電型の半導体層と、該第１の導電型の
半導体層に形成されかつ第１の導電型の半導体層ととも
にフォトダイオードを構成する第２の導電型の拡散層と
、前記第２の導電型の半導体基板に形成された信号処理
回路とを備え、前記第２の導電型の拡散層が形成されて
いない前記第１の導電型の半導体層の一部の領域Ｗ威り
江た１１からの出力信号は、光電流だけを検出するため
前記第２の導電型の拡散層からの出力信号とともに所定
のＴＩ：、極配線を介して前記信号処理回路に加わるよ
うになっていることを特徴とする半導体光検出装置。 ■　前記信号処理回路は、前記第２の導電型の拡散層か
らの出力信号と前記第１の導電型の半導体層の前記一部
の領域・にン　　れた、、　からの出力信号との差を求
め、光電流を検知することを特徴とする特許請求の範囲
第ユ項に記載の半導体光検出装置。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）第１の導電型の半導体層と、第１の導電型の半導体
   層に形成されかつ第１の導電型の半導体層とともにフォ
   トダイオードを構成する第２の導電型の拡散層とを備え
   、前記第２の導電型の拡散層が形成されていない前記第
   １の導電型の半導体層の一部の領域からの出力信号は、
   光電流だけを検出するため前記第２の導電型の拡散層か
   らの出力信号とともに取出されるようになっていること
   を特徴とする半導体光検出装置。 ２）前記第１の導電型の半導体層の前記一部の領域には
   、第１の導電型の半導体層とともに擬似フォトダイオー
   ドを構成する第２の導電型の拡散層が形成され、前記第
   １の導電型の半導体層の前記一部の領域からの出力信号
   は、前記擬似フォトダイオードを遮光する電極から取出
   されることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
   半導体光検出装置。 ３）前記第１の導電型の半導体層の前記一部の領域には
   、この領域からの出力信号を取出すための電極だけが設
   けられていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
   記載の半導体光検出装置。 ４）前記第２の導電型の拡散層からの出力信号は、前記
   第１の導電型の半導体層の前記一部の領域からの出力信
   号との差がとられ光電流として検知されることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項に記載の半導体光検出装置。 ５）第２の導電型の半導体基板と、該半導体基板上に形
   成された第１の導電型の半導体層と、該第１の導電型の
   半導体層に形成されかつ第１の導電型の半導体層ととも
   にフォトダイオードを構成する第２の導電型の拡散層と
   、前記第２の導電型の半導体基板に形成された信号処理
   回路とを備え、前記第２の導電型の拡散層が形成されて
   いない前記第１の導電型の半導体層の一部の領域からの
   出力信号は、光電流だけを検出するため前記第２の導電
   型の拡散層からの出力信号とともに所定の電極配線を介
   して前記信号処理回路に加わるようになっていることを
   特徴とする半導体光検出装置。 ６）前記第１の導電型の半導体層の前記一部の領域には
   、第１の導電型の半導体層とともに擬似フォトダイオー
   ドを構成する第２の導電型の拡散層が形成され、前記第
   １の導電型の半導体層の前記一部の領域からの出力信号
   は、前記擬似フォトダイオードを遮光する電極から取出
   されることを特徴とする特許請求の範囲第５項に記載の
   半導体光検出装置。 ７）前記第１の導電型の半導体層の前記一部の領域には
   、この領域からの出力信号を取出すための電極だけが設
   けられていることを特徴とする特許請求の範囲第５項に
   記載の半導体光検出装置。 ８）前記信号処理回路は、前記第２の導電型の拡散層か
   らの出力信号と前記第１の導電型の半導体層の前記一部
   の領域からの出力信号との差を求め、光電流を検知する
   ことを特徴とする特許請求の範囲第５項に記載の半導体
   光検出装置。