JPS61289677A - 半導体光検出装置 - Google Patents
半導体光検出装置Info
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- JPS61289677A JPS61289677A JP60132166A JP13216685A JPS61289677A JP S61289677 A JPS61289677 A JP S61289677A JP 60132166 A JP60132166 A JP 60132166A JP 13216685 A JP13216685 A JP 13216685A JP S61289677 A JPS61289677 A JP S61289677A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the PIN type
-
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022416—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier comprising ring electrodes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は半導体光検出装置に関する。
（発明の背景）
半導体光検出装置の７種として、ｐ型およびｐ型のいず
れか一方を第１導電型とし他方を第２導電型とするとき
、第１導電型の高濃度半導体基板と、その上に形成され
た１ｍまたは複数個の第１導電型とは電気的に反対の第
２導電型の拡散領域Ａとから形成された１ＷＡまたは複
数個の受光素子を備えた構成のものがある。
れか一方を第１導電型とし他方を第２導電型とするとき
、第１導電型の高濃度半導体基板と、その上に形成され
た１ｍまたは複数個の第１導電型とは電気的に反対の第
２導電型の拡散領域Ａとから形成された１ＷＡまたは複
数個の受光素子を備えた構成のものがある。
このような構造の光検出装置の一例を第４図に示す。
同図はＰＩＮフォトダイオードと称される半導体受光素
子を３１ｉＩ備えた半導体光検出装置の平面図であり、
第５図は第４図のＹ−Ｙ’線断面図である。
子を３１ｉＩ備えた半導体光検出装置の平面図であり、
第５図は第４図のＹ−Ｙ’線断面図である。
同図の半導体光検出装置は、半導体基板上に通常のプレ
ーナ・トランジスタやダイオード等を形成していく半導
体素子製造手段にて形成されたものであり、高濃度のｎ
型半導体基板１上に形成されたｎ−形エピタキシャル
層２に、ｐ＋型不純物を略円形に拡散して３個のｐ＋形
拡散層３を形成し、ｐ” ｎ−ｎ＋層の構造にて所！！
ＩＰＩＮフォトダイオードと称される受光素子Ｘ１．Ｘ
２．Ｘ３を形成している。
ーナ・トランジスタやダイオード等を形成していく半導
体素子製造手段にて形成されたものであり、高濃度のｎ
型半導体基板１上に形成されたｎ−形エピタキシャル
層２に、ｐ＋型不純物を略円形に拡散して３個のｐ＋形
拡散層３を形成し、ｐ” ｎ−ｎ＋層の構造にて所！！
ＩＰＩＮフォトダイオードと称される受光素子Ｘ１．Ｘ
２．Ｘ３を形成している。
４はｎ 型半導体基板１の裏面に形成された金゛属電極
である。
である。
表面部は二酸化ケイ素（Ｓｉ０２＞等の絶縁膜５ａ、５
ｂで覆われて保護され、フォトエツチングにて絶縁膜５
ａ、５ｂに形成された環状の穴に、それぞれのｐ 型拡
散層３にリング状にオーム接触する導電性の環状電極６
ａが形成され、それぞれのＰＩＮ）ｔトダオードの信号
出力用ポンディングパッドのコンタクト部６ｂに電気的
に接続している。
ｂで覆われて保護され、フォトエツチングにて絶縁膜５
ａ、５ｂに形成された環状の穴に、それぞれのｐ 型拡
散層３にリング状にオーム接触する導電性の環状電極６
ａが形成され、それぞれのＰＩＮ）ｔトダオードの信号
出力用ポンディングパッドのコンタクト部６ｂに電気的
に接続している。
７は環状電極６ａとコンタクト部６ｂの周囲を覆うよう
に形成された遮光膜であり、環状電極６ａとコンタクト
部６ｂとに接触しないように若干の隙間を開け、ｐ 型
拡散１１３の上部を除く全面に形成されている。したが
って、環状電極６ａで囲まれた内部領域が各フォトダイ
オードＸ１．Ｘ２、×３の受光部となっている。
に形成された遮光膜であり、環状電極６ａとコンタクト
部６ｂとに接触しないように若干の隙間を開け、ｐ 型
拡散１１３の上部を除く全面に形成されている。したが
って、環状電極６ａで囲まれた内部領域が各フォトダイ
オードＸ１．Ｘ２、×３の受光部となっている。
尚、環状電極６ａ、コンタクト部６ｂと遮光膜７は、ア
ルミ蒸着の工程で同時に形成される。
ルミ蒸着の工程で同時に形成される。
このように形成された半導体光検出装置を、それぞれの
ＰＩＮフォトダイオードＸ１．Ｘ２．Ｘ３に検出すべき
光が入射するように設置して光信号処理を行う。
ＰＩＮフォトダイオードＸ１．Ｘ２．Ｘ３に検出すべき
光が入射するように設置して光信号処理を行う。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このような半導体光検出装置に光が入射
した場合、例えば、全面に均一の光量で入射した場合、
理想的には各ＰＩＮフォトダイオードＸ１．Ｘ２．Ｘ３
からは各受光面積に正確に比例した光電流が得られるは
ずである。
した場合、例えば、全面に均一の光量で入射した場合、
理想的には各ＰＩＮフォトダイオードＸ１．Ｘ２．Ｘ３
からは各受光面積に正確に比例した光電流が得られるは
ずである。
ところが、実際には、環状電極６ａあるいはコンタクト
部６ｂと遮光膜７との間の隙間を通って光が入射して、
エピタキシャル層２に達し、そうすると、エピタキシャ
ル層２にキャリアが発生し、該キャリアはエピタキシャ
ル層２中を拡散してＰＩＮ７オトダイ；ｔ−ドＸ１．Ｘ
２．Ｘ３のｐ 型拡散層３に達して光電流となる。
部６ｂと遮光膜７との間の隙間を通って光が入射して、
エピタキシャル層２に達し、そうすると、エピタキシャ
ル層２にキャリアが発生し、該キャリアはエピタキシャ
ル層２中を拡散してＰＩＮ７オトダイ；ｔ−ドＸ１．Ｘ
２．Ｘ３のｐ 型拡散層３に達して光電流となる。
これらの遮光膜７の無い部分から入射した光による光ｉ
ｉ流の各ｐ 型拡散層３に対する寄与は非対称であるた
め、仮に受光面積が等しい場合でも、各受光素子からの
光電流は等しくならない。また、これらの拡散による光
電流の各受光素子への寄与はエピタキシャル層中のキャ
リアの寿命により支配されるためバラツキが大きく、制
御することが非常に困難である。
ｉ流の各ｐ 型拡散層３に対する寄与は非対称であるた
め、仮に受光面積が等しい場合でも、各受光素子からの
光電流は等しくならない。また、これらの拡散による光
電流の各受光素子への寄与はエピタキシャル層中のキャ
リアの寿命により支配されるためバラツキが大きく、制
御することが非常に困難である。
従来、このような問題を解決するため、前記電極（環状
電極６ａとコンタクト部６ｂ）と遮光膜とを同一のアル
ミ蒸着工程で形成せず、まず環状電極６ａとコンタクト
部６ｂを形成し、その侵その上面を二酸化ケイ素等の絶
縁膜で覆い、次に該絶縁膜の上部に遮光膜７を他のアル
ミ蒸着工程にて環状電極６ａとコンタクト部６ｂにオー
バーラツプするように形成することで光の侵入を防止す
るように構成したものがある。
電極６ａとコンタクト部６ｂ）と遮光膜とを同一のアル
ミ蒸着工程で形成せず、まず環状電極６ａとコンタクト
部６ｂを形成し、その侵その上面を二酸化ケイ素等の絶
縁膜で覆い、次に該絶縁膜の上部に遮光膜７を他のアル
ミ蒸着工程にて環状電極６ａとコンタクト部６ｂにオー
バーラツプするように形成することで光の侵入を防止す
るように構成したものがある。
しかし、かかる構成にすると、製造工程が増えるため製
造コストが高くなり、製造の歩留の低下を生じる問題が
あった。
造コストが高くなり、製造の歩留の低下を生じる問題が
あった。
（発明の目的）
本発明はこのような問題点を解決し、受光素子以外の部
分に入射する光により検出精度の劣化を招来しない高精
度の半導体光検出装置を得る事を目的とする。例えば、
各受光素子に均一な光が入射した場合、遮光膜がなくと
も、各受光素子の面積に正確に比例した光電流が得られ
る光検出装置を得ることを目的とする。
分に入射する光により検出精度の劣化を招来しない高精
度の半導体光検出装置を得る事を目的とする。例えば、
各受光素子に均一な光が入射した場合、遮光膜がなくと
も、各受光素子の面積に正確に比例した光電流が得られ
る光検出装置を得ることを目的とする。
（発明の概要）
この目的を達成するため本発明は、半導体受光素子の回
りに拡散領域Ａと同一の導電型（Ｐ型またはＮ型）の拡
散領域Ｂからなるガードリング（ｇｕａｒｄ ｒｉｎａ
）およびガードリング用電極を形成したことを技術的要
点としている。
りに拡散領域Ａと同一の導電型（Ｐ型またはＮ型）の拡
散領域Ｂからなるガードリング（ｇｕａｒｄ ｒｉｎａ
）およびガードリング用電極を形成したことを技術的要
点としている。
受光素子とこのガードリングに同一で、それぞれの空乏
層が基板に到達する以上の逆バイアス電圧を印加すると
、受光素子以外の領域に入射する光に誘起されたキャリ
アはガードリングの電流成分となり、受光素子側へ侵入
しない。そのため、余分な光電流が流れない。
層が基板に到達する以上の逆バイアス電圧を印加すると
、受光素子以外の領域に入射する光に誘起されたキャリ
アはガードリングの電流成分となり、受光素子側へ侵入
しない。そのため、余分な光電流が流れない。
次に、好ましい実施態様について記述する。
１、第１導電型の高濃度半導体基板と、その上に形成さ
れた第１導電型の高抵抗エピタキシャル層と、前記エピ
タキシャル層の表面に形成された１個または複数個の第
１導電型とは反対の第２導電型の拡散領域Ａとからなる
１個または複数個の受光素子を備えた半導体光検出装置
であって、前記受光素子の周囲に前記拡散領域Ａとは離
して第２導電型の拡散領域Ｂからなるガードリングおよ
びガードリング用電極を形成したことを特徴とする半導
体光検出装置において、前記ガードリングの深さが前記
拡散領域の深さより深いことを特徴とする半導体光検出
装置。
れた第１導電型の高抵抗エピタキシャル層と、前記エピ
タキシャル層の表面に形成された１個または複数個の第
１導電型とは反対の第２導電型の拡散領域Ａとからなる
１個または複数個の受光素子を備えた半導体光検出装置
であって、前記受光素子の周囲に前記拡散領域Ａとは離
して第２導電型の拡散領域Ｂからなるガードリングおよ
びガードリング用電極を形成したことを特徴とする半導
体光検出装置において、前記ガードリングの深さが前記
拡散領域の深さより深いことを特徴とする半導体光検出
装置。
２、前記実施態様第１項記載の装置において、遮光膜を
有ざない事を特徴とする半導体光検出Ｖｔ１ｉ。
有ざない事を特徴とする半導体光検出Ｖｔ１ｉ。
３、前記実施態様第１項ないし第２項記載の装置におい
て、前記受光素子およびガードリングに同一の電圧を印
加する場合、この電圧が前記受光素子およびガードリン
グの電圧の空乏層を前記高濃度半導体基板に到達させる
電圧以上の電圧であることを特徴とする半導体光検出装
置。
て、前記受光素子およびガードリングに同一の電圧を印
加する場合、この電圧が前記受光素子およびガードリン
グの電圧の空乏層を前記高濃度半導体基板に到達させる
電圧以上の電圧であることを特徴とする半導体光検出装
置。
（実施例）
第１図は本発明による半導体光検出装置の一実施例を示
す平面図、第２図は第１図のＸ−Ｘ線断面図であり、第
４図ないし第５図と同等部分については同一の符号を付
けている。
す平面図、第２図は第１図のＸ−Ｘ線断面図であり、第
４図ないし第５図と同等部分については同一の符号を付
けている。
これらの図の半導体光検出装置は、半導体基板上に通常
のブレーナ・トランジスタやダイオード等を形成してい
く半導体素子製造手段にて形成されたものであり、高濃
度の醒型半導体基板１上に形成されたｎ−型エピタキシ
ャル層２に、ｐ＋＋不純物を略円形に拡散して３個のｐ
＋型抵拡散層拡散領域Ａ）３を形成し、所１１ｆＰＩＮ
フォトダイオードと称される受光素子Ｘｌ、Ｘ２．Ｘ３
を形成し、それぞれのｐ＋型抵拡散層３周囲に所定の間
隔で、それと同一導電型の、即ちｐ＋＋不純物を拡散し
てガードリング９を形成している。
のブレーナ・トランジスタやダイオード等を形成してい
く半導体素子製造手段にて形成されたものであり、高濃
度の醒型半導体基板１上に形成されたｎ−型エピタキシ
ャル層２に、ｐ＋＋不純物を略円形に拡散して３個のｐ
＋型抵拡散層拡散領域Ａ）３を形成し、所１１ｆＰＩＮ
フォトダイオードと称される受光素子Ｘｌ、Ｘ２．Ｘ３
を形成し、それぞれのｐ＋型抵拡散層３周囲に所定の間
隔で、それと同一導電型の、即ちｐ＋＋不純物を拡散し
てガードリング９を形成している。
そして、表面部は二酸化ケイ素（Ｓ！０２＞等の絶縁膜
で覆われ保護されている。同図中の５ａは受光素子を保
護する絶縁膜、５ｂが外側の表面を保護する絶縁膜であ
る。
で覆われ保護されている。同図中の５ａは受光素子を保
護する絶縁膜、５ｂが外側の表面を保護する絶縁膜であ
る。
絶縁膜５ａ、５ｂには、フォトエツチングによって形成
された穴を通ってそれぞれのｐ＋＋拡散８３の周囲にリ
ング状にオーム接触する環状電極６ａが形成され、それ
ぞれのＰＩＮフオトダオードの信号出力用ポンディング
パッドのコンタクト部６ｂに電気的に接続している。
された穴を通ってそれぞれのｐ＋＋拡散８３の周囲にリ
ング状にオーム接触する環状電極６ａが形成され、それ
ぞれのＰＩＮフオトダオードの信号出力用ポンディング
パッドのコンタクト部６ｂに電気的に接続している。
更に、フォトエツチングにより絶縁膜５ａ、５ｂに形成
されたリング状の穴を介してｐ 型のガードリンク９に
電圧を印加するための環状電極８ａが形成され、他のポ
ンディングパッドのコンタクト部８ｂに接続し、ガード
リング用電極は８ａ。
されたリング状の穴を介してｐ 型のガードリンク９に
電圧を印加するための環状電極８ａが形成され、他のポ
ンディングパッドのコンタクト部８ｂに接続し、ガード
リング用電極は８ａ。
８ｂとからなる。
ここで、環状層［ｉ６ａ、８ａとポンディングパッドの
コンタクト部６ｂ、８ｂとは共にアルミ蒸着工程で同時
に形成され、したがって、これらを同一のマスクにて形
成するようになっている。
コンタクト部６ｂ、８ｂとは共にアルミ蒸着工程で同時
に形成され、したがって、これらを同一のマスクにて形
成するようになっている。
次に、かかる構成の半導体光検出装置の作動を説明する
。
。
第３図は第１図ないし第２図の半導体光検出装置の等価
回路図であり、Ｘｉ、Ｘ２．Ｘ３はＰＩＮフォトダイオ
ードを、Ｄ Ｇ、ｔ ｐ 型ガードリンク９によるＰ
ＩＮダイオードを示し、金属電極４とコンタクト部６ｂ
、８ｂ間に逆バイアスの電源を接続する。
回路図であり、Ｘｉ、Ｘ２．Ｘ３はＰＩＮフォトダイオ
ードを、Ｄ Ｇ、ｔ ｐ 型ガードリンク９によるＰ
ＩＮダイオードを示し、金属電極４とコンタクト部６ｂ
、８ｂ間に逆バイアスの電源を接続する。
まず、コンタクト部６ｂ、８ｂにマイナス電圧を印加し
て、ＰＩＮフォトダイオードＸ１．Ｘ２゜×３とＰＩＮ
ダイオードＤを逆バイアスに接続しているので、第２図
の点線で示すように、ｐ＋型抵拡散層３ｐ 型のガード
リング９よりエピタキシャル層２側に空乏層１０，１１
が広がる。尚、空乏層１０．１１が共にｎ＋＋基板１に
達する電圧以上の逆バイアスの電圧を印加することが好
ましい。この電圧は高抵抗エピタキシャル層２の厚さと
不純物濃度により容易に決定できる。
て、ＰＩＮフォトダイオードＸ１．Ｘ２゜×３とＰＩＮ
ダイオードＤを逆バイアスに接続しているので、第２図
の点線で示すように、ｐ＋型抵拡散層３ｐ 型のガード
リング９よりエピタキシャル層２側に空乏層１０，１１
が広がる。尚、空乏層１０．１１が共にｎ＋＋基板１に
達する電圧以上の逆バイアスの電圧を印加することが好
ましい。この電圧は高抵抗エピタキシャル層２の厚さと
不純物濃度により容易に決定できる。
ここで、半導体光検出装置に光を照射した場合、受光素
子に入射した光により発生したキャリアはｐ 拡散層３
側の空乏層１０の内部電解にて集められ、受光量に比例
した光電流となる。
子に入射した光により発生したキャリアはｐ 拡散層３
側の空乏層１０の内部電解にて集められ、受光量に比例
した光電流となる。
一方、受光素子以外の部分に入射した光によりエピタキ
シャル層２に誘起されたキャリアは、なかには拡散して
受光素子方向に向うものもあるが、受光素子空乏層１０
はガードリンク空乏層１１によって周囲を完全に囲まれ
ているため、これらのキャリアはガードリンク空乏層１
１中の内部電解によって集められ、ガードリングの電流
成分となる。
シャル層２に誘起されたキャリアは、なかには拡散して
受光素子方向に向うものもあるが、受光素子空乏層１０
はガードリンク空乏層１１によって周囲を完全に囲まれ
ているため、これらのキャリアはガードリンク空乏層１
１中の内部電解によって集められ、ガードリングの電流
成分となる。
したがって、夫々の受光素子からの光電流は互いに独立
であり、受光素子以外の領域に入射した光による影響を
全く受けない。更に、実施例においてはエピタキシャル
型ＰＩＮフｔトダイオード構造であるため、基板側から
の拡散電流成分の影響を受けることがなく、入射光量お
よび受光素子電極６ａの内周によって決定される受光面
積に正確に比例してばらつきの少ない光電流を得ること
が可能である。
であり、受光素子以外の領域に入射した光による影響を
全く受けない。更に、実施例においてはエピタキシャル
型ＰＩＮフｔトダイオード構造であるため、基板側から
の拡散電流成分の影響を受けることがなく、入射光量お
よび受光素子電極６ａの内周によって決定される受光面
積に正確に比例してばらつきの少ない光電流を得ること
が可能である。
尚、この実施例ではｐ 型拡散Ｉ！１３とガードリンク
９を同一のマスクにて同時プロセスで形成して製造工程
を簡素化しているが、これに限らず、逆バイアス電圧が
高い場合には、それぞれ別個のプロセスにて拡散し、ｐ
型ガードリング９をｐ＋型型数散層３比べてエピタキ
シャル層２の深層部まで拡散するようにし、耐圧を向上
させる事が望ましい。
９を同一のマスクにて同時プロセスで形成して製造工程
を簡素化しているが、これに限らず、逆バイアス電圧が
高い場合には、それぞれ別個のプロセスにて拡散し、ｐ
型ガードリング９をｐ＋型型数散層３比べてエピタキ
シャル層２の深層部まで拡散するようにし、耐圧を向上
させる事が望ましい。
又、ｐ 型ガードリング９とｐ 型拡散層３との間隔は
、表面暗電流（リーク電流）を低減するために可能な限
り小さくし、ｐ 型拡散層３からの空乏層１０とガード
リング９からの空乏層１１が、ちょうど該間隔の中間部
分で接するように設計するのが望ましい。この場合、ｐ
型拡散層３にオーミック接触する電極６ａを空乏層１
１の上部まで覆うように形成すれば、電極６ａ、８ａの
隙間より入射する光はガードリング９側の空乏層１１に
入射することになるため、ＰＩＮフォトダイオードＸ１
．Ｘ２．Ｘ３側への影響は生じない。
、表面暗電流（リーク電流）を低減するために可能な限
り小さくし、ｐ 型拡散層３からの空乏層１０とガード
リング９からの空乏層１１が、ちょうど該間隔の中間部
分で接するように設計するのが望ましい。この場合、ｐ
型拡散層３にオーミック接触する電極６ａを空乏層１
１の上部まで覆うように形成すれば、電極６ａ、８ａの
隙間より入射する光はガードリング９側の空乏層１１に
入射することになるため、ＰＩＮフォトダイオードＸ１
．Ｘ２．Ｘ３側への影響は生じない。
又、この実施例では、ガードリンク９への所定電圧の供
給のために一ケ所のコンタクト部６ｂを形成したが、そ
れぞれのＰＩＮフォトダイオード毎に個々に設けてもよ
い。
給のために一ケ所のコンタクト部６ｂを形成したが、そ
れぞれのＰＩＮフォトダイオード毎に個々に設けてもよ
い。
又、ガードリング９をｐ 型拡散層３の周囲に沿って環
状に形成しているが、これに限らず、ＰＩＮフォトダイ
オードを構成するｐ 型拡散層３を除くエピタキシャル
層２の表面全体に形成してもよい。
状に形成しているが、これに限らず、ＰＩＮフォトダイ
オードを構成するｐ 型拡散層３を除くエピタキシャル
層２の表面全体に形成してもよい。
更にこの実施例では、製造の際に、ｎ 型の高濃度基板
１にｎ−型の高抵抗エピタキシャル層２を形成している
が、逆に、ｎ”型の高抵抗基板の裏面にｎ＋型の高濃度
の層を形成してもよい。
１にｎ−型の高抵抗エピタキシャル層２を形成している
が、逆に、ｎ”型の高抵抗基板の裏面にｎ＋型の高濃度
の層を形成してもよい。
又、この実施例では第１図に示すように、ｐ＋ｎ−ｎ＋
型のＰＩＮフォトダイオードについて説明したか、ｎ
ｐ ｐ 型のフォトダイオードにも同様に適用できる。
型のＰＩＮフォトダイオードについて説明したか、ｎ
ｐ ｐ 型のフォトダイオードにも同様に適用できる。
又、実施例では、複数個の受光素子が存在する場合を説
明したが、受光素子が１個しかない場合でも、ガードリ
ングを設けることにより遮光膜が不要となり、また正確
に受光素子からの光電流のみが得られる。
明したが、受光素子が１個しかない場合でも、ガードリ
ングを設けることにより遮光膜が不要となり、また正確
に受光素子からの光電流のみが得られる。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、半導体受光素子の
回りにガードリングを形成したので、該ガードリングに
所定の電圧を印加して空乏層を形成するように駆動して
使用すれば、受光素子以外の領域に入射する光にて誘起
されたキャリアの受光素子への侵入を防止することがで
きることから、受光量に対応した精度の良い光検出を行
うことができる。
回りにガードリングを形成したので、該ガードリングに
所定の電圧を印加して空乏層を形成するように駆動して
使用すれば、受光素子以外の領域に入射する光にて誘起
されたキャリアの受光素子への侵入を防止することがで
きることから、受光量に対応した精度の良い光検出を行
うことができる。
第１図は本発明による半導体光検出装置の一実施例を示
す平面図、第２図は第１図のＸ−Ｘ線断面図、第３図は
第１図並びに第２図に示す半導体光検出装置の等価回路
図、第４図は従来の半導体光検出装置を示す平面図、第
５図は第４図のＹ−Ｙ線断面図である。 １：半導体基板 ２：エピタキシャル層 ３：ｐ 型拡散層（拡散領域Ａの一例）５ａ、５ｂ：絶
縁膜 ６ａ：環状電極 ６ｂ：コンタクト部 ８ａ、８ｂ：ガードリング用電極 ９：ガードリング １０．１１：空乏層
す平面図、第２図は第１図のＸ−Ｘ線断面図、第３図は
第１図並びに第２図に示す半導体光検出装置の等価回路
図、第４図は従来の半導体光検出装置を示す平面図、第
５図は第４図のＹ−Ｙ線断面図である。 １：半導体基板 ２：エピタキシャル層 ３：ｐ 型拡散層（拡散領域Ａの一例）５ａ、５ｂ：絶
縁膜 ６ａ：環状電極 ６ｂ：コンタクト部 ８ａ、８ｂ：ガードリング用電極 ９：ガードリング １０．１１：空乏層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１導電型の高濃度半導体基板と、その上に形成された
第１導電型の高抵抗エピタキシヤル層と、その上に形成
された１個または複数個の第１導電型とは電気的に反対
の第２導電型の拡散領域Ａとから形成された１個または
複数個の受光素子を有する光検出装置において、 前記受光素子の周囲の前記拡散領域Ａとは離れた位置に
第２導電型の拡散領域Ｂからなるガードリングおよびガ
ードリング用電極を形成したことを特徴とする半導体光
検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132166A JPH0799782B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 半導体光検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132166A JPH0799782B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 半導体光検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61289677A true JPS61289677A (ja) | 1986-12-19 |
| JPH0799782B2 JPH0799782B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=15074907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60132166A Expired - Lifetime JPH0799782B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 半導体光検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0799782B2 (ja) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0799782B2 (ja) | 1995-10-25 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |