JP2555300Y2 - 太陽電池装置用ダイオード - Google Patents
太陽電池装置用ダイオードInfo
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- JP2555300Y2 JP2555300Y2 JP1989050293U JP5029389U JP2555300Y2 JP 2555300 Y2 JP2555300 Y2 JP 2555300Y2 JP 1989050293 U JP1989050293 U JP 1989050293U JP 5029389 U JP5029389 U JP 5029389U JP 2555300 Y2 JP2555300 Y2 JP 2555300Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- solar cell
- diode chip
- interconnector
- cell device
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は例えば、人工衛星等の宇宙飛翔体の電源とな
る太陽電池アレイの基板に太陽電池セルと一緒に取付け
て、逆流防止ダイオード或いはシャントダイオードとし
て用いる太陽電池装置用ダイオードに関する。
る太陽電池アレイの基板に太陽電池セルと一緒に取付け
て、逆流防止ダイオード或いはシャントダイオードとし
て用いる太陽電池装置用ダイオードに関する。
〈従来の技術〉 従来例による太陽電池装置用ダイオードの断面図を第
４図に示す。
４図に示す。
ここで、太陽電池装置用ダイオードは太陽電池アレ
イ、即ち、複数の太陽電池が接続された太陽電池装置
の、各太陽電池間に接続されるものである。
イ、即ち、複数の太陽電池が接続された太陽電池装置
の、各太陽電池間に接続されるものである。
同図において、ダイオードチップ７のシリコン基板１
の片面には、選択拡散によりP-N接合部が形成されてお
り、該P-N接合部を形成する拡散領域２上には表面電極
５が形成されている。さらに、上記表面電極５に、イン
タコネクタ６が接続され、該インタコネクタ６はダイオ
ードチップ７の側面に延在されている。ここで、上記イ
ンタコネクタ６と上記ダイオードチップ７との間は表面
保護膜３によって絶縁されている。一方、ダイオードチ
ップ７の裏面全体には裏面電極４が形成されている。
の片面には、選択拡散によりP-N接合部が形成されてお
り、該P-N接合部を形成する拡散領域２上には表面電極
５が形成されている。さらに、上記表面電極５に、イン
タコネクタ６が接続され、該インタコネクタ６はダイオ
ードチップ７の側面に延在されている。ここで、上記イ
ンタコネクタ６と上記ダイオードチップ７との間は表面
保護膜３によって絶縁されている。一方、ダイオードチ
ップ７の裏面全体には裏面電極４が形成されている。
〈考案が解決しようとする課題〉 しかし、上記第４図に示すような従来構造の太陽電池
装置用ダイオードにおいては、表面保護膜３が薄いた
め、同図Ａ部においてインターコネクタ６とダイオード
チップ７側面のシリコン露出部とが容易に接触し、拡散
領域２とシリコン基板１が短絡し、ダイオードとしての
性能が損われる場合があった。
装置用ダイオードにおいては、表面保護膜３が薄いた
め、同図Ａ部においてインターコネクタ６とダイオード
チップ７側面のシリコン露出部とが容易に接触し、拡散
領域２とシリコン基板１が短絡し、ダイオードとしての
性能が損われる場合があった。
そこで本考案の目的は、インターコネクタ６とダイオ
ードチップ７側面のシリコン露出部とが容易に接触する
ことのない高信頼性の太陽電池装置用ダイオードを提供
することにある。
ードチップ７側面のシリコン露出部とが容易に接触する
ことのない高信頼性の太陽電池装置用ダイオードを提供
することにある。
〈課題を解決するための手段〉 本考案は、複数の太陽電池が接続されている太陽電池
装置の前記太陽電池間に接続されるP-N接合部を有する
ダイオードチップであり、該ダイオードチップの表面電
極にはインターコネクタが接続されてなる太陽電池装置
用ダイオードにおいて、前記インターコネクタは前記ダ
イオードチップの表面電極の周囲表面に配設された表面
保護膜を介在して配設され、前記インターコネクタに対
向する前記ダイオードチップの側面部近傍には前記イン
ターコネクタと前記ダイオードチップ端面との間を離間
する落差を設け、且つ該落差には前記表面保護膜が延在
して配設されてなることを特徴とする。
装置の前記太陽電池間に接続されるP-N接合部を有する
ダイオードチップであり、該ダイオードチップの表面電
極にはインターコネクタが接続されてなる太陽電池装置
用ダイオードにおいて、前記インターコネクタは前記ダ
イオードチップの表面電極の周囲表面に配設された表面
保護膜を介在して配設され、前記インターコネクタに対
向する前記ダイオードチップの側面部近傍には前記イン
ターコネクタと前記ダイオードチップ端面との間を離間
する落差を設け、且つ該落差には前記表面保護膜が延在
して配設されてなることを特徴とする。
〈作用〉 インターコネクタとダイオードチップ端面のシリコン
露出部との距離を十分にとることにより、両者の接触が
無くなり、ダイオードチップの拡散領域とシリコン基板
との短絡が発生しなくなる。
露出部との距離を十分にとることにより、両者の接触が
無くなり、ダイオードチップの拡散領域とシリコン基板
との短絡が発生しなくなる。
〈実施例〉 本考案一実施例を第１図乃至第３図を参照して説明す
る。第１図（ａ）及び（ｂ）は本考案一実施例による太
陽電池装置用ダイオードの断面図及び平面図である。同
図の太陽電池装置用ダイオードは、第４図で説明した太
陽電池装置用ダイオードと以下の点のみが異なっている
から、異なっている点のみを説明しその他の説明は省略
する。
る。第１図（ａ）及び（ｂ）は本考案一実施例による太
陽電池装置用ダイオードの断面図及び平面図である。同
図の太陽電池装置用ダイオードは、第４図で説明した太
陽電池装置用ダイオードと以下の点のみが異なっている
から、異なっている点のみを説明しその他の説明は省略
する。
なお、第４図に示した従来例と同一機能を有する部分
については同一符号を付している。
については同一符号を付している。
同図（ａ）に示すように、インターコネクタ６に対向
するダイオードチップ７の端部に段差部Ｂ部を設ける。
ここで、表面電極部５を除くダイオードチップ７の表面
は表面保護膜３によって被覆されているため、ダイオー
ドチップ７端面のシリコン露出部とインターコネクタ６
との間の距離を十分とった構造が実現された。
するダイオードチップ７の端部に段差部Ｂ部を設ける。
ここで、表面電極部５を除くダイオードチップ７の表面
は表面保護膜３によって被覆されているため、ダイオー
ドチップ７端面のシリコン露出部とインターコネクタ６
との間の距離を十分とった構造が実現された。
次に、上記実施例の製造工程について第２図を参照し
て説明する。同図（ａ）は形成前のシリコン基板１を示
す。上記シリコン基板１をダイオードの形状に合わせて
マスキングし、エッチングにより溝を形成する（同図
（ｂ））。上記（ｂ）以降の工程はプレーナ技術により
ダイオードを形成する。
て説明する。同図（ａ）は形成前のシリコン基板１を示
す。上記シリコン基板１をダイオードの形状に合わせて
マスキングし、エッチングにより溝を形成する（同図
（ｂ））。上記（ｂ）以降の工程はプレーナ技術により
ダイオードを形成する。
次に、上記シリコン基板１表面に、選択拡散のための
マスキング及び表面保護膜３として作用する酸化膜を形
成する（同図（ｃ））。その後に、同図（ｄ）に示すよ
うにオトリソ工程及び拡散工程を経て拡散領域２を形成
する。
マスキング及び表面保護膜３として作用する酸化膜を形
成する（同図（ｃ））。その後に、同図（ｄ）に示すよ
うにオトリソ工程及び拡散工程を経て拡散領域２を形成
する。
さらに、同図（ｅ）に示すようにオトリソグラフィー
によるリフトオフ工程でシリコン基板１表面側に電極５
の形成を行い、一方裏面側には電適４を全面に形成す
る。最後に、上記電極工程終了後、同図（ｅ）の鎖線部
をダイシングソー等で分割して所望のダイオードチップ
７が得られる。このダイオードチップ７に溶接或いは半
田付でインターコネクタ６を接続して、第１図に示す太
陽電池装置用ダイオードが得られる。
によるリフトオフ工程でシリコン基板１表面側に電極５
の形成を行い、一方裏面側には電適４を全面に形成す
る。最後に、上記電極工程終了後、同図（ｅ）の鎖線部
をダイシングソー等で分割して所望のダイオードチップ
７が得られる。このダイオードチップ７に溶接或いは半
田付でインターコネクタ６を接続して、第１図に示す太
陽電池装置用ダイオードが得られる。
上記のようにして得られる太陽電池装置用ダイオード
は、インターコネクタ６とダイオードチップ７端面のシ
リコン露出部との間の距離が十分離れているため容易に
接触することはなく、その結果拡散領域２とシリコン基
板１との短絡も発生しない信頼度の高いものである。
は、インターコネクタ６とダイオードチップ７端面のシ
リコン露出部との間の距離が十分離れているため容易に
接触することはなく、その結果拡散領域２とシリコン基
板１との短絡も発生しない信頼度の高いものである。
なお、上記実施例で示したダイオードチップ７端部の
段差部Ｂ部の代わりに、第３図（ａ）のＣ部に示すよう
に、インターコネクタ６と対向する箇所のみに設ける構
造としてもよい。
段差部Ｂ部の代わりに、第３図（ａ）のＣ部に示すよう
に、インターコネクタ６と対向する箇所のみに設ける構
造としてもよい。
また、他の実施例として、上記実施例のダイオードチ
ップ７の段差部Ｂ部の形状を同図（ｂ）のＤ部に示すよ
うに傾斜させてもよい。
ップ７の段差部Ｂ部の形状を同図（ｂ）のＤ部に示すよ
うに傾斜させてもよい。
以上のように、ダイオードチップ７端部のインターコ
ネクタ６と対向する箇所に例えば段差或いは傾斜を設け
て、インターコネクタ６からダイオードチップ７端面の
シリコン露出部までの落差をとることによって、上記実
施例と同じ効果を得ることができる。
ネクタ６と対向する箇所に例えば段差或いは傾斜を設け
て、インターコネクタ６からダイオードチップ７端面の
シリコン露出部までの落差をとることによって、上記実
施例と同じ効果を得ることができる。
〈考案の効果〉 以上のように本考案によれば、ダイオードのインター
コネクタとダイオードチップ端面のシリコン露出部との
接触が防止でき、上記接触により発生する拡散領域とシ
リコン基板との短絡の可能性が解消し、信頼性の高いダ
イオードを提供することができる。
コネクタとダイオードチップ端面のシリコン露出部との
接触が防止でき、上記接触により発生する拡散領域とシ
リコン基板との短絡の可能性が解消し、信頼性の高いダ
イオードを提供することができる。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明一実施例による太陽電
池装置用ダイオードの断面図及び平面図、第２図（ａ）
乃至（ｅ）は本発明一実施例の太陽電池装置用ダイオー
ドの製造工程図、第３図（ａ）は本発明による他の実施
例、同図（ｂ）はさらに他の実施例、第４図は従来例に
よる太陽電池装置用ダイオードの断面図を示す。 ３……表面保護膜、５……表面電極、６……インターコ
ネクタ、７……ダイオードチップ。
池装置用ダイオードの断面図及び平面図、第２図（ａ）
乃至（ｅ）は本発明一実施例の太陽電池装置用ダイオー
ドの製造工程図、第３図（ａ）は本発明による他の実施
例、同図（ｂ）はさらに他の実施例、第４図は従来例に
よる太陽電池装置用ダイオードの断面図を示す。 ３……表面保護膜、５……表面電極、６……インターコ
ネクタ、７……ダイオードチップ。
Claims (1)
- 【請求項１】複数の太陽電池が接続されている太陽電池
装置の前記太陽電池間に接続されるP-N接合部を有する
ダイオードチップであり、該ダイオードチップの表面電
極にはインターコネクタが接続されてなる太陽電池装置
用ダイオードにおいて、前記インターコネクタは前記ダ
イオードチップの表面電極の周囲表面に配設された表面
保護膜を介在して配設され、前記インターコネクタに対
向する前記ダイオードチップの側面部近傍には前記イン
ターコネクタと前記ダイオードチップ端面との間を離間
する落差を設け、且つ該落差には前記表面保護膜が延在
して配設されてなることを特徴とする太陽電池装置用ダ
イオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989050293U JP2555300Y2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 太陽電池装置用ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989050293U JP2555300Y2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 太陽電池装置用ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02140843U JPH02140843U (ja) | 1990-11-26 |
| JP2555300Y2 true JP2555300Y2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=31568713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989050293U Expired - Fee Related JP2555300Y2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 太陽電池装置用ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555300Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3157502B2 (ja) * | 1998-09-24 | 2001-04-16 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63288062A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Nec Corp | ビ−ムリ−ド型ダイオ−ド |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1989050293U patent/JP2555300Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 高橋清編著 「太陽光発電」 森北出版 （昭５７．１１．５） Ｐ．３２８〜３２９ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02140843U (ja) | 1990-11-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |