JPS62184763U - - Google Patents
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- JPS62184763U JPS62184763U JP7407386U JP7407386U JPS62184763U JP S62184763 U JPS62184763 U JP S62184763U JP 7407386 U JP7407386 U JP 7407386U JP 7407386 U JP7407386 U JP 7407386U JP S62184763 U JPS62184763 U JP S62184763U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- regions
- diffusion region
- diffusion
- light emitting
- diode array
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
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Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Description
第1図は本考案実施例の光プリンタ用発光ダイ
オードアレイの要部平面図aとその断面図b,c
、第2図a乃至dはその要部製造工程を説明する
ための工程図である。 1…(化合物半導体の)基板、2…PN接合、
3,3…拡散領域、4,4…非拡散領域、5…絶
縁層、51,51…拡散マスク用絶縁膜、52,
52…電極短絡防止用絶縁膜、6,6…電極膜。
オードアレイの要部平面図aとその断面図b,c
、第2図a乃至dはその要部製造工程を説明する
ための工程図である。 1…(化合物半導体の)基板、2…PN接合、
3,3…拡散領域、4,4…非拡散領域、5…絶
縁層、51,51…拡散マスク用絶縁膜、52,
52…電極短絡防止用絶縁膜、6,6…電極膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 化合物半導体の表面に略平行なPN接合と
、PN接合を電気的光学的に複数に分離させるよ
う設けられた複数の拡散領域と、拡散領域と非拡
散領域の境界近傍の半導体表面上に複数層設けら
れた絶縁層と、非拡散領域にオーミツク接触がと
られ半導体表面の上方に設けられた電極膜とを具
備した事を特徴とする光プリンタ用発光ダイオー
ドアレイ。 (2) 前記化合物半導体はGaAlAs層を有し
、前記絶縁層は拡散マスク用絶縁膜と電極膜短絡
防止用絶縁膜からなる事を特徴とする前記実用新
案登録請求の範囲第1項記載の光プリンタ用発光
ダイオードアレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7407386U JPS62184763U (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7407386U JPS62184763U (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62184763U true JPS62184763U (ja) | 1987-11-24 |
Family
ID=30918964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7407386U Pending JPS62184763U (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62184763U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02152283A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-06-12 | Samsung Electron Co Ltd | 発光ダイオードアレイの製造方法 |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP7407386U patent/JPS62184763U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02152283A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-06-12 | Samsung Electron Co Ltd | 発光ダイオードアレイの製造方法 |
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