JPS5931253U - フオトカプラ− - Google Patents
フオトカプラ−Info
- Publication number
- JPS5931253U JPS5931253U JP12676582U JP12676582U JPS5931253U JP S5931253 U JPS5931253 U JP S5931253U JP 12676582 U JP12676582 U JP 12676582U JP 12676582 U JP12676582 U JP 12676582U JP S5931253 U JPS5931253 U JP S5931253U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductivity type
- transparent conductive
- emitting diode
- photocoupler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図はフォトカプラーの従来例の断面図、第２図は本
考案によるフォトカプラーの一実施例の断面図、第３図
は同じく平面図、第４図はフォトカプラーの等価回路図
である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・Ｐ層、
′１４・・・・・・透明絶縁膜、１５・・・・・・透明
導電膜、１６・・・・・・ａ −３ｉ、 ｐ層、１１
”” ａ −３ｉ、 ｉ層、１ Ｂ ＝ ａ −３ｉ
、 ｎ層、１９． ２０． ２１． ２２−−−−−−
金属電極。
考案によるフォトカプラーの一実施例の断面図、第３図
は同じく平面図、第４図はフォトカプラーの等価回路図
である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・Ｐ層、
′１４・・・・・・透明絶縁膜、１５・・・・・・透明
導電膜、１６・・・・・・ａ −３ｉ、 ｐ層、１１
”” ａ −３ｉ、 ｉ層、１ Ｂ ＝ ａ −３ｉ
、 ｎ層、１９． ２０． ２１． ２２−−−−−−
金属電極。
Claims (1)
- 一導電形の半導体基体の中に他導電形の層を形成してな
る発光ダイオード素子の前記他導電形の層の上面に一部
を残して透明絶縁膜が、該透明絶縁膜上に透明導電膜が
、さらに該透明導電膜の上面に一部を残して太陽電池素
子として形成される薄膜シリコン層が順次積層され、そ
の薄膜シリコンの上面、前記透明導電膜の露出した上面
ならびに前記発光ダイオード素子の他導電形の層の露出
した上面および一導電形基体の下面にそれぞれ電極が設
けられたことを特徴とするフォトカプラー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12676582U JPS5931253U (ja) | 1982-08-21 | 1982-08-21 | フオトカプラ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12676582U JPS5931253U (ja) | 1982-08-21 | 1982-08-21 | フオトカプラ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5931253U true JPS5931253U (ja) | 1984-02-27 |
Family
ID=30288126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12676582U Pending JPS5931253U (ja) | 1982-08-21 | 1982-08-21 | フオトカプラ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931253U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63102379A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-05-07 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 反射光障壁およびその製造方法 |
-
1982
- 1982-08-21 JP JP12676582U patent/JPS5931253U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63102379A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-05-07 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 反射光障壁およびその製造方法 |
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