JPS6030555U - ダイオ−ド - Google Patents

ダイオ−ド

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Publication number
JPS6030555U
JPS6030555U JP12039983U JP12039983U JPS6030555U JP S6030555 U JPS6030555 U JP S6030555U JP 12039983 U JP12039983 U JP 12039983U JP 12039983 U JP12039983 U JP 12039983U JP S6030555 U JPS6030555 U JP S6030555U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor region
conductivity type
diode
type formed
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12039983U
Other languages
English (en)
Inventor
小松　育男
Original Assignee
日本電気株式会社
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6030555U publication Critical patent/JPS6030555U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の実施例の断面図である。第２図は本考案
の一実施例によるダイオードの断面図である。 １・・・・・・第１導電型基板、２・・・・・・第２導
電型拡散領域、３・・・・・・第１導電型拡散領域、４
・・・・・・第１導電型多結晶層、５・・・・・・第２
導電型拡散領域、６・・・・・・絶縁膜、７・・・・・
・アノード電極、訃・・・・・カソード電極、９・・・
・・・ツェナーダイオード接合、１０・・・・・・順方
向ダイオード接合。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 第１導電型の半導体基板表面に形成された第２導電型の
    第１半導体領域と、前記第１半導体領域表面に形成され
    た前記第１導電型の第２半導体領池域と、前記第１およ
    び第２半導体領域の表面にこれらと接して形成された前
    記第１導電型の第３半導体領域とを有することを特徴と
    するダイオード。
JP12039983U 1983-08-02 1983-08-02 ダイオ−ド Pending JPS6030555U (ja)

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JP12039983U JPS6030555U (ja) 1983-08-02 1983-08-02 ダイオ−ド

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JP12039983U JPS6030555U (ja) 1983-08-02 1983-08-02 ダイオ−ド

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JPS6030555U true JPS6030555U (ja) 1985-03-01

Family

ID=30275958

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JP12039983U Pending JPS6030555U (ja) 1983-08-02 1983-08-02 ダイオ−ド

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