JPS58106954U - ダイオ−ド - Google Patents

ダイオ−ド

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Publication number
JPS58106954U
JPS58106954U JP514382U JP514382U JPS58106954U JP S58106954 U JPS58106954 U JP S58106954U JP 514382 U JP514382 U JP 514382U JP 514382 U JP514382 U JP 514382U JP S58106954 U JPS58106954 U JP S58106954U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
conductivity type
anode
diode
cathode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP514382U
Other languages
English (en)
Inventor
小野里　乃夫生
哲郎 浅野
Original Assignee
三洋電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
Priority to JP514382U priority Critical patent/JPS58106954U/ja
Publication of JPS58106954U publication Critical patent/JPS58106954U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のダイオードを説明する断面図、第２図は
その等価回路図、第３図および第４図は本考案のダイオ
ードを説明する断面図および上面図、第５図は本考案の
等価回路図である。 主な図番の説明、２１はＰ型半導体基板、２２はＮ型エ
ピタキシャル層、２３は島領域、２４はＰ型分離領域、
２５はＮ十型埋込み層、２６はアノード領域、２７はカ
ソード領域、２９はＰ型捕獲領域、３０はカソード電極
である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板と、該基板上に設けられた逆導電
    型のエビタキシャル層と、該エビタキシャル層を島領域
    に分離する一導電型の分離領域と，該島領域底面に設け
    られた逆導電型の埋込み層と、該埋込み層上の前記島領
    域表面に形成されたー導電型のアノード領域と、該アノ
    ード領域表面に形成された逆導電型のカソード領域と、
    前記アノード領域に隣接して設けた逆導電型のコンタク
    ト領域と、前記カソード領域にオーミック接触したカソ
    ード電極と、前記アノード領域およびコンタクト領域に
    オーミツク接触したアノード電極とを具備したダ−イオ
    ードに於いて、前記アノード領域を囲む様に一導電型の
    捕獲領域を設け該捕獲領域とカソード電極とを接続する
    ことを特徴とするダイオード。
JP514382U 1982-01-18 1982-01-18 ダイオ−ド Pending JPS58106954U (ja)

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JP514382U JPS58106954U (ja) 1982-01-18 1982-01-18 ダイオ−ド

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JP514382U JPS58106954U (ja) 1982-01-18 1982-01-18 ダイオ−ド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58106954U true JPS58106954U (ja) 1983-07-21

Family

ID=30017955

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP514382U Pending JPS58106954U (ja) 1982-01-18 1982-01-18 ダイオ−ド

Country Status (1)

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JP (1) JPS58106954U (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6115760U (ja) * 1984-07-04 1986-01-29 三洋電機株式会社 半導体集積回路装置
JPS6115761U (ja) * 1984-07-04 1986-01-29 三洋電機株式会社 半導体集積回路装置
JPS62159457A (ja) * 1986-01-08 1987-07-15 Toshiba Corp 半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6115760U (ja) * 1984-07-04 1986-01-29 三洋電機株式会社 半導体集積回路装置
JPS6115761U (ja) * 1984-07-04 1986-01-29 三洋電機株式会社 半導体集積回路装置
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