JPH0388358U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0388358U JPH0388358U JP15153189U JP15153189U JPH0388358U JP H0388358 U JPH0388358 U JP H0388358U JP 15153189 U JP15153189 U JP 15153189U JP 15153189 U JP15153189 U JP 15153189U JP H0388358 U JPH0388358 U JP H0388358U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductivity type
- semiconductor layer
- anode
- connection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Element Separation (AREA)
Description
第１図と第２図は夫々本考案を説明するための
断面図と平面図、第３図は従来例を説明するため
の断面図である。
断面図と平面図、第３図は従来例を説明するため
の断面図である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 一導電型の半導体基板、およびこの上に形
成した前記基板よりは高比抵抗の一導電型の半導
体層と、 前記一導電型の半導体層の上に形成した逆導電
型の半導体層と、 前記逆導電型の半導体層を貫通し複数個の島領
域を形成する一導電型の分離領域と、 前記島領域の１つに選択的に形成した逆導電型
のカソード領域と、 前記島領域の他の１つに選択的に形成した一導
電型のアノード領域と、 前記アノード領域の周囲を囲むようにして形成
した逆導電型の連結領域と、 前記逆導電型の半導体層の表面を覆う絶縁膜と
、 前記カソード領域にコンタクトするカソード電
極と、 前記アノード領域にコンタクトし、且つフイー
ルドプレートとして前記アノード領域と前記島領
域の他の１つとで形成するＰＮ接合の上部を覆う
ように前記絶縁膜上を延在するアノード電極と、 前記分離領域と前記連結領域とを電気的に接続
し且つ前記カソード領域を囲む分離領域において
は、フイールドプレートとして前記分離領域と前
記１つの島領域とが形成するＰＮ接合を覆うよう
に前記絶縁膜上を延在する接続電極とを具備する
ことを特徴とするダイオード装置。 (2) 前記一導電型の半導体層はエピタキシヤル
層であることを特徴とする請求項第１項に記載の
ダイオード装置。 (3) 前記アノード領域は櫛歯状に形成されてい
ることを特徴とする請求項第１項に記載のダイオ
ード装置。 (4) 前記分離領域と前記連結領域とは一端が重
畳するように形成され、且つ前記接続電極のコン
タクトホールは前記分離領域と前連結領域の両方
に拡大して開口されていることを特徴とする請求
項第１項に記載のダイオード装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15153189U JPH0388358U (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15153189U JPH0388358U (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0388358U true JPH0388358U (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=31697826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15153189U Pending JPH0388358U (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0388358U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009158697A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Sharp Corp | 太陽電池セル用バイパスダイオードおよびその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP15153189U patent/JPH0388358U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009158697A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Sharp Corp | 太陽電池セル用バイパスダイオードおよびその製造方法 |
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