JPS58124953U - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPS58124953U
JPS58124953U JP13952681U JP13952681U JPS58124953U JP S58124953 U JPS58124953 U JP S58124953U JP 13952681 U JP13952681 U JP 13952681U JP 13952681 U JP13952681 U JP 13952681U JP S58124953 U JPS58124953 U JP S58124953U
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JP
Japan
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region
conductivity type
integrated circuit
circuit device
island
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JP13952681U
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JPS6244535Y2 (ja
Inventor
田中　忠彦
勉 野崎
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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  • Bipolar Transistors (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来例を説明する断面図、第２図は本考案を説
明する断面図である。 主な図番の説明、１は半導体基板、２はエピタキシャル
層、３は島領域、４は分離領域、５は埋め込み層、８は
コレクタコンタクト領域、１２はシールド電極である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 一導電型の半導体基板と該基板上に設けられコレクタ領
    域となる逆導電型のエピタキシャル層と該エピタキシャ
    ル層を島領域に分離する一導電型の分離領域と該島領域
    底面に設けられた逆導電型の埋め込み層と前記島領域表
    面に形成された一導電型のベース領域と該ベース領域表
    面に形成された逆導電型のエミッタ領域と前記島領域表
    面から前記埋め込み層に達する逆導電型のコレクタコン
    タクト領域とを具備する半導体集積回路装置に於いて、
    前記エピタキシャル層表面を被覆する第１の絶縁膜上に
    前記コレクタコンタクト領域にオーミック接触し且つエ
    ピタキシャル層上に延在され。 たシールド電極を設け、該シールド電極を被覆する第２
    の絶縁膜の前記シールド電極上を前記ベー　　゛ス領域
    およびエミッタ領域にオーミック接触するベース電極お
    よびエミッタ電極を延在させることを特徴とする半導体
    集積回路装置。
JP13952681U 1981-09-18 1981-09-18 半導体集積回路装置 Granted JPS58124953U (ja)

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JPS58124953U true JPS58124953U (ja) 1983-08-25
JPS6244535Y2 JPS6244535Y2 (ja) 1987-11-25

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61263260A (ja) * 1985-05-17 1986-11-21 Nec Corp 半導体装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4840671A (ja) * 1971-10-01 1973-06-14
JPS5412793A (en) * 1977-06-29 1979-01-30 Mitsubishi Electric Corp Concentration measuring method of solutions
JPS55140246A (en) * 1979-04-19 1980-11-01 Nec Corp Semiconductor device
JPS5617039A (en) * 1979-07-20 1981-02-18 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device

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JPS6244535Y2 (ja) 1987-11-25

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