JPS60151152U - ラテラル型トランジスタ - Google Patents

ラテラル型トランジスタ

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JPS60151152U
JPS60151152U JP3835584U JP3835584U JPS60151152U JP S60151152 U JPS60151152 U JP S60151152U JP 3835584 U JP3835584 U JP 3835584U JP 3835584 U JP3835584 U JP 3835584U JP S60151152 U JPS60151152 U JP S60151152U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
emitter
layer
collector
protective film
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Pending
Application number
JP3835584U
Other languages
English (en)
Inventor
正明 池田
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
Priority to JP3835584U priority Critical patent/JPS60151152U/ja
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  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は従来のラテラル型トランジスタを
示し、第１図は上面図、第２図は第１図の■−■線断面
図である。第３図および第４図は本考案によるラテラト
ル型トランジスタを示シ、第３図は上面図、第４図は第
３図のＩＶ−ｒＶ線断面図である。第５図は、本考案に
よるラテラトル型トランジスタと従来のラテラル型トラ
ンジスタのＩ、−ｈ、、特性図である。 ２．２２・・・エピタキシャル層、３．２４・・・半導
体領域、６，２６・・・エミッタ領域、７，２７・・・
コレクタ領域、８，２９・・・保護膜、１０．３３・・
・エミッタ電極、１１，３０・・・コレクタ電極、１２
゜３１・・・ベース電極、３２・・・絶縁層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板と、この基板上に生成された逆導
    電型のエピタキシャル層と、このエピタキシャル層を分
    離領域で島状に分離して形成され且つベース領域として
    働く半導体領域と、この半導体領域の表層部にそれぞれ
    形成された一導電型のエミッタ領域およびこのエミッタ
    領域を取り囲むコレクタ領域と、前記半導体領域表面を
    被覆する保護膜とを具備するラテラル型トランジスタで
    あって、前記コレクタ領域の全周に亙り電極コンタクト
    したコレクタ電極を前記保護膜上に配設し、且つ、この
    コレクタ電極を被覆する絶縁層を前記保護膜上に設ける
    と共に、との絶縁層上に前記千ミッタ領域と共に、この
    絶縁層上に前記エミッタ領域と電極コンタクトしたエミ
    ッタ電極を延在せしめたことを特徴とするラテラル型ト
    ランジスタ。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
    　　−
JP3835584U 1984-03-16 1984-03-16 ラテラル型トランジスタ Pending JPS60151152U (ja)

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JP3835584U JPS60151152U (ja) 1984-03-16 1984-03-16 ラテラル型トランジスタ

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JPS60151152U true JPS60151152U (ja) 1985-10-07

Family

ID=30545284

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