JPS60151154U - トランジスタ - Google Patents

トランジスタ

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JPS60151154U
JPS60151154U JP3835784U JP3835784U JPS60151154U JP S60151154 U JPS60151154 U JP S60151154U JP 3835784 U JP3835784 U JP 3835784U JP 3835784 U JP3835784 U JP 3835784U JP S60151154 U JPS60151154 U JP S60151154U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
conductivity type
electrode
base
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP3835784U
Other languages
English (en)
Inventor
正明 池田
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
Priority to JP3835784U priority Critical patent/JPS60151154U/ja
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  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のトランジスタを説明するための断面図、
第２図および第３図は本考案によるトランジスタの一実
施例を示すもので、第２図は上面図、第３図は第２図の
■−■線断面曲である。第４図は本考案によるトランジ
スタと従来のトラン　′ジスタのＩｃ　　ｈＦｐ特性図
である。 ２．２２・・・エピタキシ、ヤル層、４．２４・・・半
導体領域（コレクタ領域）、６，２６・・・ベース領域
、７，２７・・・エミッタ領域、８，２８−・・コレク
タコンタクト領域、９．２９・・・保護膜、３１・・・
絶縁層、１０．３０・・・コレクタ電極、１１，３３・
・・ベース’ｔ［極、１２．３２・・・エミッタ電極。 第４図 ゝ°［ ・［

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板と、この基板上に生成された逆導
    電型のエピタキシャル層と、このエピタキシャル層を分
    離領域で島状に分離して形成され且つコレクタ領域とな
    る半導体領域と、この半導体領域の表層部に形成された
    一導電型のベース領域と、このベース領域の表層部に形
    成された逆導電型のエミッタ領域と、前記半導体領域表
    面を被覆する保護膜とを具備するトランジスタにおいて
    、前記半導体領域の表層部に、前記ベース領域を取り囲
    む逆導電型のコンタクト領域を形成し、このコンタクト
    領域の全周に互って電極コンタクトしたコンタクタ電極
    を前記保護膜上に配設し、且つ、このコレクタ電極を被
    覆する絶縁層を保護膜上に設けると共に、前記エミッタ
    領域およびベース領域に夫々電極コンタクトしたエミッ
    タ電極およびベース電極を前記絶縁層上に延在せしめた
    ことを特徴とするトランジスタ。
JP3835784U 1984-03-16 1984-03-16 トランジスタ Pending JPS60151154U (ja)

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JP3835784U JPS60151154U (ja) 1984-03-16 1984-03-16 トランジスタ

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JP3835784U JPS60151154U (ja) 1984-03-16 1984-03-16 トランジスタ

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JPS60151154U true JPS60151154U (ja) 1985-10-07

Family

ID=30545288

Family Applications (1)

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JP3835784U Pending JPS60151154U (ja) 1984-03-16 1984-03-16 トランジスタ

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