JPS60151153U - ラテラル型トランジスタ - Google Patents

ラテラル型トランジスタ

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Publication number
JPS60151153U
JPS60151153U JP3835684U JP3835684U JPS60151153U JP S60151153 U JPS60151153 U JP S60151153U JP 3835684 U JP3835684 U JP 3835684U JP 3835684 U JP3835684 U JP 3835684U JP S60151153 U JPS60151153 U JP S60151153U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
base
electrode
conductivity type
collector
Prior art date
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Pending
Application number
JP3835684U
Other languages
English (en)
Inventor
正明 池田
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
Priority to JP3835684U priority Critical patent/JPS60151153U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は従来のラテラル型トランジスタを
示し、第１図は上面図、第２図は第１図の■−■線断面
図である。第３図および第４図は本考案によるラテラル
型トランジスタを示シ、第″　３図は上面図、第４図は
第３図のＩＶ−ＩＶ線断面図である。 ２．２２・・・エピタキシャル層、３．２４・・・半導
体領域、６，２６・・・エミッタ領域、７，２７・・・
コ　゛　７レクタ領域、９．２８・・・ベースコンタク
ト領域、８．２９・・・保護膜、３１・・・絶縁層、１
０．３２・・・エミッタ電極、１１，３３・・・コレク
タ電極、１２．３０・・・ベース電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板と、この基板上に生成された逆導
    電型のエピタキシャル層と、このエピタキシャル層を分
    離領域で島状に分離して形成され且つベース領域として
    働く半導体領域と、この半導体領域の表層部に隣接して
    形成された一導電型のエミッタ領域およびコレクタ領域
    と、前記半導体領域表面を被覆する保護膜とを具備する
    ラテラル型トランジスタであって、前記半導体領域の表
    層部に前記コレクタ領域を取り囲んで逆導電型のベース
    コンタクト領域を形成し、このベースコンタクト領域の
    全周に互って電極コンタクトしたベース電極を前記保護
    膜上に配設し、且つ、このベース電極を被覆する絶縁層
    を前記保護膜上に設けると共に、この絶縁層上に前記エ
    ミッタ領域およびコレクタ領域に夫々電極コンタクトし
    たエミッタ電極およびコレクタ電極を延在せしめたこと
    を特徴とするラテラル型トランジスタ。
JP3835684U 1984-03-16 1984-03-16 ラテラル型トランジスタ Pending JPS60151153U (ja)

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JP3835684U JPS60151153U (ja) 1984-03-16 1984-03-16 ラテラル型トランジスタ

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JP3835684U JPS60151153U (ja) 1984-03-16 1984-03-16 ラテラル型トランジスタ

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JPS60151153U true JPS60151153U (ja) 1985-10-07

Family

ID=30545286

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JP3835684U Pending JPS60151153U (ja) 1984-03-16 1984-03-16 ラテラル型トランジスタ

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