JPS60153549U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS60153549U
JPS60153549U JP4253084U JP4253084U JPS60153549U JP S60153549 U JPS60153549 U JP S60153549U JP 4253084 U JP4253084 U JP 4253084U JP 4253084 U JP4253084 U JP 4253084U JP S60153549 U JPS60153549 U JP S60153549U
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JP
Japan
Prior art keywords
region
conductivity type
semiconductor
base
protective film
Prior art date
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Pending
Application number
JP4253084U
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English (en)
Inventor
正明 池田
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
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  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のトランジスタを説明するための断面図、
第２図および第３図は本考案によるトランジスタの一実
施例を示すもので、第２図は上面図、第３図は第２図の
■−■線断面図である。 ２．２２・・・エピタキシャル層、４．２４・・・半導
体領域（コレクタ領域）、６，２６・・・ベース領域、
７．２７−・・エミッタ領域、８．２８−・・コレクタ
コンタクト領域、９．２９・・・保護膜、３３・・・絶
縁層、１０．３１・・・コレクタ電極、ｉｌ、３０・・
・ベース電１．１２，３２・・・エミッタ電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板と、この基板上に生成された逆導
    電型のエピタキシャル層と、このエピタキシャル層を分
    離領域で島状の分離して形成され且つコレクタ領域とな
    る半導体領域と、この半導体領域の表層部に形成された
    一導電型のベース領域と、このベース領域の表層部に形
    成された逆導電型のエミッタ領域と、前記半導体領域表
    面を被覆する保護膜とを具備する半導体装置において、
    前記エミッタ領域を取り囲むようにベース領域の全周に
    亙って電極コンタクトしたベース電極を前記保護膜上に
    配設し、且つこのベース電極を被覆する絶縁層を前記保
    護膜上に設けると共に、この絶縁層上に前記エミッタ領
    域と電極コンタクトしたエミッタ電極を延在せしめたこ
    とを特徴とする半導体装置。
JP4253084U 1984-03-24 1984-03-24 半導体装置 Pending JPS60153549U (ja)

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JP4253084U JPS60153549U (ja) 1984-03-24 1984-03-24 半導体装置

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JP4253084U JPS60153549U (ja) 1984-03-24 1984-03-24 半導体装置

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JPS60153549U true JPS60153549U (ja) 1985-10-12

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ID=30553369

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