JPS60153550U - ラテラル型トランジスタ - Google Patents

ラテラル型トランジスタ

Info

Publication number
JPS60153550U
JPS60153550U JP4253184U JP4253184U JPS60153550U JP S60153550 U JPS60153550 U JP S60153550U JP 4253184 U JP4253184 U JP 4253184U JP 4253184 U JP4253184 U JP 4253184U JP S60153550 U JPS60153550 U JP S60153550U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
electrode
protective film
semiconductor region
conductivity type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4253184U
Other languages
English (en)
Inventor
正明 池田
Original Assignee
三洋電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
Priority to JP4253184U priority Critical patent/JPS60153550U/ja
Publication of JPS60153550U publication Critical patent/JPS60153550U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のラテラル型トランジスタを示ス断面図、
第２図は差動増幅回路の一例を示す回路図である。第３
図および第４図は本考案によるラテラル型トランジスタ
を示すもので、第３図は上面図、第４図は第３図（７）
ＩＶ　−ｒｖ線断面図である。 ２．３１・・・エピタキシャル層、４．３３・・・半導
体領ｔ　６．３５・・・エミッタ領域、７，３６・・・
コレクタ領域、８．３７・・・ベースコンタクト領域、
９．３８・・・保護膜、１０，３９・・・コレクタ電極
、４０・・・ベース電極、４１・・・絶縁層、１１．４
２・・・エミッタ電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板と、この基板上に設けた逆導電型
    のエピタキシャル層と、このエピタキシャル層を分離領
    域で島状に分離して形成され且つベース領域として働（
    半導体領域と、この半導体領域の表層部に隣接して形成
    された一導電型のエミッタ領域およびコレクタ領域と、
    前記半導体領域表面を被覆する保護膜とを具備するラテ
    ラル型トランジスタにおいて、コレクタ電極およびベー
    ス電極を前記保護膜上に配設し、且つ、前記保護膜上に
    設けた絶縁層にて前記コレクタ電極およびベース電極を
    被覆すると共に、前記半導体領域上の絶縁層上にエミッ
    タ電極を配設することにより、表面再結合電流を抑制し
    たことを特徴とするラテラル型トランジスタ。
JP4253184U 1984-03-24 1984-03-24 ラテラル型トランジスタ Pending JPS60153550U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4253184U JPS60153550U (ja) 1984-03-24 1984-03-24 ラテラル型トランジスタ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4253184U JPS60153550U (ja) 1984-03-24 1984-03-24 ラテラル型トランジスタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60153550U true JPS60153550U (ja) 1985-10-12

Family

ID=30553371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4253184U Pending JPS60153550U (ja) 1984-03-24 1984-03-24 ラテラル型トランジスタ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60153550U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH027440A (ja) * 1988-06-24 1990-01-11 Rohm Co Ltd 半導体装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56162864A (en) * 1980-05-19 1981-12-15 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS5821373A (ja) * 1981-07-31 1983-02-08 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS59178770A (ja) * 1983-03-30 1984-10-11 Hitachi Ltd 高耐圧半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56162864A (en) * 1980-05-19 1981-12-15 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS5821373A (ja) * 1981-07-31 1983-02-08 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS59178770A (ja) * 1983-03-30 1984-10-11 Hitachi Ltd 高耐圧半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH027440A (ja) * 1988-06-24 1990-01-11 Rohm Co Ltd 半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60153550U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPS60151154U (ja) トランジスタ
JPS60151152U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPS60151153U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPS60166155U (ja) 接合型コンデンサ
JPS60153549U (ja) 半導体装置
JPS60149150U (ja) 半導体装置
JPS60153548U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPS58106954U (ja) ダイオ−ド
JPS58124953U (ja) 半導体集積回路装置
JPS60125748U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPS60160558U (ja) 基板型トランジスタ
JPS60125747U (ja) コンデンサ
JPS60144255U (ja) トランジスタ
JPS5860951U (ja) 半導体装置
JPS60137451U (ja) 半導体抵抗装置
JPS60166160U (ja) トランジスタ
JPS58106953U (ja) トランジスタ
JPS6071153U (ja) 半導体装置
JPS6113956U (ja) 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド
JPS60137450U (ja) 半導体抵抗装置
JPS5846461U (ja) 半導体集積回路装置
JPS58111953U (ja) バイポ−ラ保護回路
JPS6115760U (ja) 半導体集積回路装置
JPS60146352U (ja) ラテラル型トランジスタ