JPS60153548U - ラテラル型トランジスタ - Google Patents

ラテラル型トランジスタ

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Publication number
JPS60153548U
JPS60153548U JP4252984U JP4252984U JPS60153548U JP S60153548 U JPS60153548 U JP S60153548U JP 4252984 U JP4252984 U JP 4252984U JP 4252984 U JP4252984 U JP 4252984U JP S60153548 U JPS60153548 U JP S60153548U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
insulating film
emitter
covering
conductivity type
Prior art date
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Pending
Application number
JP4252984U
Other languages
English (en)
Inventor
正明 池田
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
Priority to JP4252984U priority Critical patent/JPS60153548U/ja
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  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のラテラル型トランジスタを説明する上面
図、第２図は第１図の■−■線断面図、第３図はラテラ
ル型トランジスタを用いた入力回路を説明する回路図、
第４図は本考案に依るラテラル型トランジスタを説明す
る上面図、第５図は第４図のＶ−Ｖ線断面図である。 主な図番の説明、２１は半導体基板、２２はエピタキシ
ャル層、２５は半導体領域、２６はエミッタ領域、２７
はコレクタ領域、２９は第１の絶縁膜、３０はゲート電
極、３１は第２の絶縁膜、３２はエミッタ電極である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型のベース領域となる半導体領域と該半導体領域
    表面に設けた逆導電型のエミッタ領域と該エミッタ領域
    を取り囲んで設けた逆導電型のコレクタ領域と前記半導
    体領域表面を被覆する第１の絶縁膜とを備え、該第１の
    絶縁膜上に延在され前記コレクタ領域およびエミッタ領
    域間のベース領域表面を被覆し且つ前記ベース領域より
    高電位にバイアスされたゲート電極と該ゲート電極を被
    覆し前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と前
    記エミッタ領域にオーミック接触し前記第２の絶縁膜上
    に延在されるエミッタ電極とを具備することを特徴とす
    るラテラル型トランジスタ。
JP4252984U 1984-03-24 1984-03-24 ラテラル型トランジスタ Pending JPS60153548U (ja)

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JP4252984U JPS60153548U (ja) 1984-03-24 1984-03-24 ラテラル型トランジスタ

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JP4252984U JPS60153548U (ja) 1984-03-24 1984-03-24 ラテラル型トランジスタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60153548U true JPS60153548U (ja) 1985-10-12

Family

ID=30553367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4252984U Pending JPS60153548U (ja) 1984-03-24 1984-03-24 ラテラル型トランジスタ

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JP (1) JPS60153548U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0298633U (ja) * 1989-01-26 1990-08-06

Cited By (1)

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