JPS60146353U - ラテラル型トランジスタ - Google Patents

ラテラル型トランジスタ

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Publication number
JPS60146353U
JPS60146353U JP3318484U JP3318484U JPS60146353U JP S60146353 U JPS60146353 U JP S60146353U JP 3318484 U JP3318484 U JP 3318484U JP 3318484 U JP3318484 U JP 3318484U JP S60146353 U JPS60146353 U JP S60146353U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
collector
collector region
epitaxial layer
conductivity type
Prior art date
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Pending
Application number
JP3318484U
Other languages
English (en)
Inventor
田端　輝夫
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
Priority to JP3318484U priority Critical patent/JPS60146353U/ja
Publication of JPS60146353U publication Critical patent/JPS60146353U/ja
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  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は従来例を示す断面図、第３図は本
考案の一実施例を示す断面図、第４図は電源電圧と電流
増幅率との関係を示す特性図である。 １．１０・・・半導体基板、２，１０・・・エピタキシ
ャル層、３，３１，３２・・・コレクタ領域、４，１５
・・・エミッタ領域、１６・・・第１コレクタ領域、１
７・・・第２コレクタ領域、１８・・・ベースコンタク
ト領域。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板と、この基板上に設けられベース
    領域となる逆導電型のエピタキシャル層と、このエピタ
    キシャル層表面に隣接して設けられた一導電型のエミッ
    タ領域およびコレクタ領域とを具備するラテラル型トラ
    ンジスタにおいて、前記エピタキシャル層表面に前記エ
    ミッタ領域を囲んで複数個のコレクタ領域を設け、最内
    周のコレクタ領域を実質的なコレクタとすると共に、最
    内周のコレクタ領域の外側に位置するコレクタ領域を接
    地せしめて、接地したコレクタ領域にて漏れ電流を捕獲
    することを特徴とするラテラル型トランジスタ。
JP3318484U 1984-03-08 1984-03-08 ラテラル型トランジスタ Pending JPS60146353U (ja)

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JP3318484U JPS60146353U (ja) 1984-03-08 1984-03-08 ラテラル型トランジスタ

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JP3318484U JPS60146353U (ja) 1984-03-08 1984-03-08 ラテラル型トランジスタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60146353U true JPS60146353U (ja) 1985-09-28

Family

ID=30535396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3318484U Pending JPS60146353U (ja) 1984-03-08 1984-03-08 ラテラル型トランジスタ

Country Status (1)

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JP (1) JPS60146353U (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51102577A (ja) * 1975-03-07 1976-09-10 Hitachi Ltd Handotaishusekikairosochi
JPS5758355A (en) * 1980-09-24 1982-04-08 Hitachi Ltd Horizontal type transistor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51102577A (ja) * 1975-03-07 1976-09-10 Hitachi Ltd Handotaishusekikairosochi
JPS5758355A (en) * 1980-09-24 1982-04-08 Hitachi Ltd Horizontal type transistor

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