JPS6113955U - 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド - Google Patents
集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS6113955U JPS6113955U JP9903484U JP9903484U JPS6113955U JP S6113955 U JPS6113955 U JP S6113955U JP 9903484 U JP9903484 U JP 9903484U JP 9903484 U JP9903484 U JP 9903484U JP S6113955 U JPS6113955 U JP S6113955U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductivity type
- integrated circuit
- zener diode
- diode incorporated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は本考案を実施したツエナーダイオードを説明す
る断面図、第２図は従来のツェナーダイオードを説明す
る断面図である。 主な図番の説明、１はＰ型半導体基板、４はＰ＋型分離
領域、６はＰ＋型第１領域、８はＮ＋型第２領域、９は
Ｎ型コンタクト領域、１１．１２は電極孔である。
る断面図、第２図は従来のツェナーダイオードを説明す
る断面図である。 主な図番の説明、１はＰ型半導体基板、４はＰ＋型分離
領域、６はＰ＋型第１領域、８はＮ＋型第２領域、９は
Ｎ型コンタクト領域、１１．１２は電極孔である。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板上に成長させた逆導電型のエビタ
キシャル層と、該エビタキシャル層表面に設けた高濃度
の一導電型の第１領域と、該第１領域に設けたー導電型
のコンタクト領域と、前記第１領域に設けた逆導電型の
薄いコンタクト領域と、該コンタクト領域より小さい開
口部を有し前記第１領域に達する高濃度の逆導電型の第
２領域とを備え、ツエナー降伏をするＰＮ接合を前記第
１領域に埋め込んだことを特徴とする集積回路に組込ま
れるツエナーダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9903484U JPS6113955U (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9903484U JPS6113955U (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113955U true JPS6113955U (ja) | 1986-01-27 |
Family
ID=30658550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9903484U Pending JPS6113955U (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6113955U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH038746U (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-28 | ||
| JP2019054240A (ja) * | 2017-09-13 | 2019-04-04 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-06-29 JP JP9903484U patent/JPS6113955U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH038746U (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-28 | ||
| JP2019054240A (ja) * | 2017-09-13 | 2019-04-04 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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