JPS59131156U - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS59131156U JPS59131156U JP2410083U JP2410083U JPS59131156U JP S59131156 U JPS59131156 U JP S59131156U JP 2410083 U JP2410083 U JP 2410083U JP 2410083 U JP2410083 U JP 2410083U JP S59131156 U JPS59131156 U JP S59131156U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- type
- region
- pnp transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
図は本考案の一実施例の断面図である。
1・・・P型半導体基板、2・・・N型埋込層、3・・
・N型エピタキシャル層、4・・・P型コレクタ領域、
5・・・P型エミッタ領域、6・・・N型拡散領域、7
・・・コレクタ電極、8・・・エミッタ電極、9・・・
ベース電極、10・・・電極、11・・・酸化膜、12
・・・P型分離領域。
・N型エピタキシャル層、4・・・P型コレクタ領域、
5・・・P型エミッタ領域、6・・・N型拡散領域、7
・・・コレクタ電極、8・・・エミッタ電極、9・・・
ベース電極、10・・・電極、11・・・酸化膜、12
・・・P型分離領域。
Claims (1)
- 横型PNP トランジスタを有する半導体集積回路にお
いて、前記横型PNPトランジスタのP型頭域中にN型
領域と該N型領域上に電極を設けたことを特徴とする半
導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2410083U JPS59131156U (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2410083U JPS59131156U (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59131156U true JPS59131156U (ja) | 1984-09-03 |
Family
ID=30155156
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2410083U Pending JPS59131156U (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59131156U (ja) |
-
1983
- 1983-02-21 JP JP2410083U patent/JPS59131156U/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS59131156U (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS6113955U (ja) | 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド | |
JPS58168149U (ja) | トランジスタ | |
JPS5892744U (ja) | 半導体素子 | |
JPS60144255U (ja) | トランジスタ | |
JPS5869942U (ja) | 半導体装置 | |
JPS59128748U (ja) | 半導体装置 | |
JPS5974745U (ja) | ダ−リントントランジスタ | |
JPS58124953U (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS5981046U (ja) | ダ−リントントランジスタ | |
JPS58106953U (ja) | トランジスタ | |
JPS5974746U (ja) | ダ−リントントランジスタ | |
JPS60113653U (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS5860951U (ja) | 半導体装置 | |
JPS5995645U (ja) | 半導体装置 | |
JPS5866654U (ja) | ガラスパツシベ−シヨン型半導体装置 | |
JPS6134741U (ja) | 半導体装置 | |
JPS6113956U (ja) | 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド | |
JPS5954931U (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS60153548U (ja) | ラテラル型トランジスタ | |
JPS6115760U (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS60137451U (ja) | 半導体抵抗装置 | |
JPS6115761U (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS619859U (ja) | 半導体素子 | |
JPS60125747U (ja) | コンデンサ |