JPS59131156U - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPS59131156U
JPS59131156U JP2410083U JP2410083U JPS59131156U JP S59131156 U JPS59131156 U JP S59131156U JP 2410083 U JP2410083 U JP 2410083U JP 2410083 U JP2410083 U JP 2410083U JP S59131156 U JPS59131156 U JP S59131156U
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JP
Japan
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integrated circuit
semiconductor integrated
type
region
pnp transistor
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Pending
Application number
JP2410083U
Other languages
English (en)
Inventor
谷澤　愼二郎
Original Assignee
日本電気株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
Priority to JP2410083U priority Critical patent/JPS59131156U/ja
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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
図は本考案の一実施例の断面図である。 １・・・Ｐ型半導体基板、２・・・Ｎ型埋込層、３・・
・Ｎ型エピタキシャル層、４・・・Ｐ型コレクタ領域、
５・・・Ｐ型エミッタ領域、６・・・Ｎ型拡散領域、７
・・・コレクタ電極、８・・・エミッタ電極、９・・・
ベース電極、１０・・・電極、１１・・・酸化膜、１２
・・・Ｐ型分離領域。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 横型ＰＮＰ　トランジスタを有する半導体集積回路にお
    いて、前記横型ＰＮＰトランジスタのＰ型頭域中にＮ型
    領域と該Ｎ型領域上に電極を設けたことを特徴とする半
    導体集積回路。
JP2410083U 1983-02-21 1983-02-21 半導体集積回路 Pending JPS59131156U (ja)

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JP2410083U JPS59131156U (ja) 1983-02-21 1983-02-21 半導体集積回路

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JP2410083U JPS59131156U (ja) 1983-02-21 1983-02-21 半導体集積回路

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JPS59131156U true JPS59131156U (ja) 1984-09-03

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JP2410083U Pending JPS59131156U (ja) 1983-02-21 1983-02-21 半導体集積回路

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