JPS5981046U - ダ−リントントランジスタ - Google Patents

ダ−リントントランジスタ

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Publication number
JPS5981046U
JPS5981046U JP17819682U JP17819682U JPS5981046U JP S5981046 U JPS5981046 U JP S5981046U JP 17819682 U JP17819682 U JP 17819682U JP 17819682 U JP17819682 U JP 17819682U JP S5981046 U JPS5981046 U JP S5981046U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
region
base
turlington
conductivity type
Prior art date
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Granted
Application number
JP17819682U
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Other versions
JPH0124939Y2 (ja
Inventor
田中　忠彦
田頭　一夫
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
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Publication of JPS5981046U publication Critical patent/JPS5981046U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来例を説明する断面図、第２図はその等価回
路図、第３図は本考案を説明する断面図、第４図はその
等価回路図である。 主な図番の説明、２１は半導体基板、３３は第１のトラ
ンジスタ、３４は第２のトランジスタ、３５は第３のト
ランジスタ、２８は第１のツェナークイオード、２９は
第２のツェナータイオード、３２は第３のツェナータイ
オードである。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 共通コレクタ領域となる一導電型の半導体基板と第１の
    トランジスタを構成する前記基板表面に設けられた第１
    ヘースおよびエミッタ領域と第２のトランジスタを構成
    する前記基板表面に設けられた第２ベースおよびエミッ
    タ領域と少くとも前記第１および第２ベース領域表面に
    設けた逆導電型の高濃度領域と前記共通コレクタ領域と
    て形成される第１および第２のツェナーダイオードとを
    具（Ｗするターリントント・ランジスタに於いて、前記
    基板表面（こ第３のトランジスタを構成する第３ベース
    およびエミッタ領域を設け、少くとも該第３ベース領域
    表面に設けｔ＝逆導電型の高濃度領域と前記共通コレク
    タ領域とて形成される第３のツェナータイオードを設け
    、前記第３のトランジスタの第３エミツタ領域と前記第
    ２のトランジスタの第２ベース領域に接続することを特
    徴とするターリントントランジスタ。
JP17819682U 1982-11-24 1982-11-24 ダ−リントントランジスタ Granted JPS5981046U (ja)

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JP17819682U JPS5981046U (ja) 1982-11-24 1982-11-24 ダ−リントントランジスタ

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Publication Number Publication Date
JPS5981046U true JPS5981046U (ja) 1984-05-31
JPH0124939Y2 JPH0124939Y2 (ja) 1989-07-27

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