JPS5995645U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5995645U JPS5995645U JP17431883U JP17431883U JPS5995645U JP S5995645 U JPS5995645 U JP S5995645U JP 17431883 U JP17431883 U JP 17431883U JP 17431883 U JP17431883 U JP 17431883U JP S5995645 U JPS5995645 U JP S5995645U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor region
- region
- semiconductor
- conductivity type
- semiconductor equipment
- Prior art date
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- Pending
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- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
） 第１図は従来の絶縁ポロン拡散層に形成したゼ
ｉ ナーダイオードを示す概略断面図、第２図は来者
； 案をＮＰＮトランジスタに応用した例を示す概略
シ 断面図である。
ｉ ナーダイオードを示す概略断面図、第２図は来者
； 案をＮＰＮトランジスタに応用した例を示す概略
シ 断面図である。
Claims (1)
- 一導電型の第１の半導体領域と、該第１の半導体領域内
に深く形成された他の導電型の第２の斗−導体領域と、
前記第１の半導体領域内に前記第２の半導体領域に隣接
して前記第２の半導体領域よりも浅く形成された前記他
の導電型の第３の半導体領域と、前記第２の半導体領域
内と前記第３Ｃ半導体領域内とにわたって形成された前
記−導１− 型の第４の半導体領域と、前記第２の半
導体領域内の前記第４の半導体領域に接触し、かつ前記
第３の半導体領域と前記第４の半導体領域とが形成１
するＰＮ接合上を避は延在された配線層とを有し、＝
前記第１の半導体領域をコレクタ、前記第３の半導
体領域を主たるベス、前記第４の半導体領域を、 エ
ミッタとする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17431883U JPS5995645U (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17431883U JPS5995645U (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5995645U true JPS5995645U (ja) | 1984-06-28 |
Family
ID=30379527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17431883U Pending JPS5995645U (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5995645U (ja) |
-
1983
- 1983-11-10 JP JP17431883U patent/JPS5995645U/ja active Pending
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