JPS6139959U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6139959U JPS6139959U JP12546784U JP12546784U JPS6139959U JP S6139959 U JPS6139959 U JP S6139959U JP 12546784 U JP12546784 U JP 12546784U JP 12546784 U JP12546784 U JP 12546784U JP S6139959 U JPS6139959 U JP S6139959U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial layer
- conductivity type
- junction
- semiconductor equipment
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は本考案によるショットキーダイオードを説明す
る断面図、第２図は従来のシカット±ーダイオードを説
明する断面図である。 主な図番の説明、１は半導体基板、２はエピタキシャル
層、５は包囲領域である。
る断面図、第２図は従来のシカット±ーダイオードを説
明する断面図である。 主な図番の説明、１は半導体基板、２はエピタキシャル
層、５は包囲領域である。
Claims (1)
- 高濃度で一導電型の半導体基板と該半導体基板上に形成
した同導電型のエビタキシャル層と該エビタキシャル層
表面に形成した少な−くとも１つの．ＰＮ接合或はショ
ットキー接合を有した半導体装置において、前記エビタ
キシャル層表面から前記基板に達し且つ前記接合面を包
囲する様に形成した高濃度で同導電型の包囲領域とを具
備することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12546784U JPS6139959U (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12546784U JPS6139959U (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139959U true JPS6139959U (ja) | 1986-03-13 |
Family
ID=30684157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12546784U Pending JPS6139959U (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139959U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10284741A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-23 | Toko Inc | ダイオード装置 |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP12546784U patent/JPS6139959U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10284741A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-23 | Toko Inc | ダイオード装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6139959U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60125747U (ja) | コンデンサ | |
| JPS5858361U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6113955U (ja) | 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド | |
| JPS58158455U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5860951U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60153548U (ja) | ラテラル型トランジスタ | |
| JPS6113956U (ja) | 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド | |
| JPS6068663U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6411557U (ja) | ||
| JPS60113653U (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS60166155U (ja) | 接合型コンデンサ | |
| JPS5974746U (ja) | ダ−リントントランジスタ | |
| JPS5869942U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59101449U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5887363U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5829852U (ja) | 半導体集積回路に組み込むツエナ−ダイオ−ド | |
| JPS5981046U (ja) | ダ−リントントランジスタ | |
| JPS60163738U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS585357U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58184856U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5995645U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5974745U (ja) | ダ−リントントランジスタ | |
| JPS5829850U (ja) | 複合半導体装置 | |
| JPS60125748U (ja) | ラテラル型トランジスタ |