JPS5974745U - ダ−リントントランジスタ - Google Patents

ダ−リントントランジスタ

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Publication number
JPS5974745U
JPS5974745U JP17011182U JP17011182U JPS5974745U JP S5974745 U JPS5974745 U JP S5974745U JP 17011182 U JP17011182 U JP 17011182U JP 17011182 U JP17011182 U JP 17011182U JP S5974745 U JPS5974745 U JP S5974745U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
conductivity type
base
high concentration
transistor
Prior art date
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Granted
Application number
JP17011182U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0342680Y2 (ja
Inventor
田中　忠彦
田頭　一夫
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
Priority to JP17011182U priority Critical patent/JPS5974745U/ja
Publication of JPS5974745U publication Critical patent/JPS5974745U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来例を説明する断面図、第２図は等個目略図
、第３図は本考案を説明する断面図である。 主な図番の説明、２１は共通コレクタ領域、２２は半導
体基板、２３．２４は第１のトランジスタ３７を構成す
る第１ベースおよびエミッタ領域、２５．２６は第２ト
ランジスタ３８を構成する第２ベースおよびエミッタ領
域、２９．３０は第１および第２ツエナーダイオード、
２７はＮ型高濃度領域、２８はＰ十型高濃度領域である
。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 共通コレクタ領域となる一導電型の半導体基板と、第１
    のトランジスタを構成する前記基板表面に設けられた第
    １ベースおよびエミッタ領域と、前記第１トランジスタ
    に隣接し第２のトランジスタを構成する前記基板表面に
    設けられた第２ベースおよびエミッタ領域と、前記基板
    表面に前記第２ベース領域゛に隣接して設けた一導電型
    の高濃度領域と、前記第１ベース領域から前記共通コレ
    クタ領域に達する逆導電型の高濃度領域と前記共通コレ
    クタ領域とで形成される第１ツエナーダイオードと、前
    記第２ベース領域から前記−導電型の高濃度領域に達す
    る逆導電型の高濃度領域と前記−導電型の高濃度領域と
    で形成される第２ツエナーダイオードと、前記第１エミ
    ツタ領域と第２ベース領域を接続する接続電極とを具備
    して成るダーリントントランジスタ。
JP17011182U 1982-11-09 1982-11-09 ダ−リントントランジスタ Granted JPS5974745U (ja)

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JP17011182U JPS5974745U (ja) 1982-11-09 1982-11-09 ダ−リントントランジスタ

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JP17011182U JPS5974745U (ja) 1982-11-09 1982-11-09 ダ−リントントランジスタ

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Publication Number Publication Date
JPS5974745U true JPS5974745U (ja) 1984-05-21
JPH0342680Y2 JPH0342680Y2 (ja) 1991-09-06

Family

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JPH0342680Y2 (ja) 1991-09-06

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