JPS5829850U - 複合半導体装置 - Google Patents

複合半導体装置

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Publication number
JPS5829850U
JPS5829850U JP12260281U JP12260281U JPS5829850U JP S5829850 U JPS5829850 U JP S5829850U JP 12260281 U JP12260281 U JP 12260281U JP 12260281 U JP12260281 U JP 12260281U JP S5829850 U JPS5829850 U JP S5829850U
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JP
Japan
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region
conductivity type
substrate
semiconductor device
composite semiconductor
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Pending
Application number
JP12260281U
Other languages
English (en)
Inventor
田中 忠彦
勉 野崎
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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Priority to JP12260281U priority Critical patent/JPS5829850U/ja
Publication of JPS5829850U publication Critical patent/JPS5829850U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来例を説明する断面図、第2図は等価回路図
、第3図は本考案を説明する断面図である。 10は半導体基板、11はベース領域、12はエミッタ
領域、13はウェル領域、14はアノード領域、15は
カソード領域、16′はガード領域、−17−は電極で
ある。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. コレクタ領域となる一導電型の半導体基板と該基板表面
    に二重拡散された逆導電型のベース領域および一導電型
    のエミッタ領域と前記基板表面にベースおよびエミッタ
    領域と同時に拡散されるアノード領域およびカソード領
    域から形成されるダイオードとを具備する複合半導体装
    置に於いて、前記基板表面に逆導電型のウェル領域を設
    け、該ウェル領域内に前記ダイオードを設けたことを特
    徴とする複合半導体装置。
JP12260281U 1981-08-19 1981-08-19 複合半導体装置 Pending JPS5829850U (ja)

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JP12260281U JPS5829850U (ja) 1981-08-19 1981-08-19 複合半導体装置

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JP12260281U JPS5829850U (ja) 1981-08-19 1981-08-19 複合半導体装置

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JPS5829850U true JPS5829850U (ja) 1983-02-26

Family

ID=29916523

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JP12260281U Pending JPS5829850U (ja) 1981-08-19 1981-08-19 複合半導体装置

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Country Link
JP (1) JPS5829850U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60164357A (ja) * 1984-02-06 1985-08-27 Rohm Co Ltd トランジスタ装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS60164357A (ja) * 1984-02-06 1985-08-27 Rohm Co Ltd トランジスタ装置

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