JPS5829852U - 半導体集積回路に組み込むツエナ−ダイオ−ド - Google Patents
半導体集積回路に組み込むツエナ−ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS5829852U JPS5829852U JP12391981U JP12391981U JPS5829852U JP S5829852 U JPS5829852 U JP S5829852U JP 12391981 U JP12391981 U JP 12391981U JP 12391981 U JP12391981 U JP 12391981U JP S5829852 U JPS5829852 U JP S5829852U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductivity type
- integrated circuit
- zener diode
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来例を説明する断面図、第２図は本考案を説
明する断面図である。 主な図番の説明、１４・・・・・・アノード領域、１５
・・・・・・カソード領域、１６・・・・；・コンタク
ト領域、１７・・・・・・電極、１８・・・・・・アロ
イ層である。
明する断面図である。 主な図番の説明、１４・・・・・・アノード領域、１５
・・・・・・カソード領域、１６・・・・；・コンタク
ト領域、１７・・・・・・電極、１８・・・・・・アロ
イ層である。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板と該基板に積層された逆導電型の
エピタキシャル層と該エピタキシャル層を島領域に分離
する一導電型の分離領域と前記島領域表面に形成される
一導電型のアノード領域と該アノード領域表面に拡散さ
れた逆導電型のカソード領域と該カソード領域に重畳し
てエミッタ拡散により拡散された逆導電型のコンタクト
領域と前記カソード領域およびコンタクト領域にオーミ
ック接続した蒸着金属による電極とを具備することを特
徴とする半導体集積回路に組込むツェナーダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12391981U JPS5829852U (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 半導体集積回路に組み込むツエナ−ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12391981U JPS5829852U (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 半導体集積回路に組み込むツエナ−ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5829852U true JPS5829852U (ja) | 1983-02-26 |
Family
ID=29917806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12391981U Pending JPS5829852U (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 半導体集積回路に組み込むツエナ−ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5829852U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61147580A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-05 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4412674Y1 (ja) * | 1966-11-30 | 1969-05-26 |
-
1981
- 1981-08-20 JP JP12391981U patent/JPS5829852U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4412674Y1 (ja) * | 1966-11-30 | 1969-05-26 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61147580A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-05 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
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