JPS60158755U - ビ−ムリ−ド型シヨツトキダイオ−ド - Google Patents

ビ−ムリ−ド型シヨツトキダイオ−ド

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Publication number
JPS60158755U
JPS60158755U JP1984046002U JP4600284U JPS60158755U JP S60158755 U JPS60158755 U JP S60158755U JP 1984046002 U JP1984046002 U JP 1984046002U JP 4600284 U JP4600284 U JP 4600284U JP S60158755 U JPS60158755 U JP S60158755U
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JP
Japan
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diode
lead type
beam lead
type shotgun
shotgun
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Pending
Application number
JP1984046002U
Other languages
English (en)
Inventor
運也 本間
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来のビームリード型ショットキダイオード、
第2図は本案の同じダイオードの構造を説明するために
夫々製造工程順に示した断面図である。 1.1′・・・半導体、6・・・絶縁膜、2,2′・・
・ショットキ電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体表面に島状に密着した絶縁膜、該絶縁膜表面に密
    着し且該膜周辺の半導体表面のみとショツ′トキ接合を
    するショットキ電極を備えたビームリード型ショットキ
    ダイオード。
JP1984046002U 1984-03-29 1984-03-29 ビ−ムリ−ド型シヨツトキダイオ−ド Pending JPS60158755U (ja)

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JPS60158755U true JPS60158755U (ja) 1985-10-22

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ID=30560001

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