JPS61162065U - - Google Patents

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JPS61162065U
JPS61162065U JP4552485U JP4552485U JPS61162065U JP S61162065 U JPS61162065 U JP S61162065U JP 4552485 U JP4552485 U JP 4552485U JP 4552485 U JP4552485 U JP 4552485U JP S61162065 U JPS61162065 U JP S61162065U
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JP
Japan
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circuit
transistor circuit
integrated circuit
semiconductor integrated
thin film
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JP4552485U
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案による半導体集積回路の一実施
例を示す断面図、第２図は本考案による半導体集
積回路の他の実施例の等価回路を示す回路図、第
３図は本考案による半導体集積回路の更に他の実
施例の等価回路を示す回路図、第４図は従来の半
導体集積回路を示す断面図、第５図はその等価回
路を示す回路図である。 １は半導体基体、３はバイポーラトランジスタ
回路、１２は絶縁層、１７は接続導電層、３０は
薄膜電界効果型トランジスタ回路である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. バイポーラトランジスタ回路が形成された半導
    体基体上に、絶縁層を介して薄膜電界効果トラン
    ジスタ回路が形成されて成る半導体集積回路。
JP4552485U 1985-03-28 1985-03-28 Pending JPS61162065U (ja)

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JP4552485U JPS61162065U (ja) 1985-03-28 1985-03-28

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JP4552485U JPS61162065U (ja) 1985-03-28 1985-03-28

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JPS61162065U true JPS61162065U (ja) 1986-10-07

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ID=30559102

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JP4552485U Pending JPS61162065U (ja) 1985-03-28 1985-03-28

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