JPS6255351U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6255351U JPS6255351U JP14832185U JP14832185U JPS6255351U JP S6255351 U JPS6255351 U JP S6255351U JP 14832185 U JP14832185 U JP 14832185U JP 14832185 U JP14832185 U JP 14832185U JP S6255351 U JPS6255351 U JP S6255351U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- wiring
- insulating film
- width
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第1図は本考案の一実施例の平面図である。
1a,1b,1c……開孔部、2a……コレク
タ電極、2b……ベース電極、2c……エミツタ
電極、3a,3b,3c……配線、4……絶縁膜
、10……トランジスタ領域。
タ電極、2b……ベース電極、2c……エミツタ
電極、3a,3b,3c……配線、4……絶縁膜
、10……トランジスタ領域。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された不純物拡散層と該不
純物拡散層上に形成された開孔部を有する絶縁膜
と該開孔部を含む絶縁膜上に形成された電極と該
電極に接続する配線とを有する半導体集積回路に
おいて、前記電極の配線に接続される部分の幅は
配線に接続されない部分の幅より広く形成されて
いることを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14832185U JPS6255351U (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14832185U JPS6255351U (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6255351U true JPS6255351U (ja) | 1987-04-06 |
Family
ID=31062477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14832185U Pending JPS6255351U (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6255351U (ja) |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP14832185U patent/JPS6255351U/ja active Pending