JPS62204352U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62204352U JPS62204352U JP9384386U JP9384386U JPS62204352U JP S62204352 U JPS62204352 U JP S62204352U JP 9384386 U JP9384386 U JP 9384386U JP 9384386 U JP9384386 U JP 9384386U JP S62204352 U JPS62204352 U JP S62204352U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- collector
- region
- bipolar transistor
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
第１図は本考案の第１の実施例の断面図、第２
図は保護ダイオードを有するトランジスタの等価
回路図、第３図ａ，ｂは本考案の第１の実施例の
製造工程断面図、第４図は本考案の第２の実施例
の断面図である。 １……半導体基板、２……コレクタ領域、３…
…コレクタ上層領域、４……ベース領域、５……
エミツタ領域、６……保護膜、７……電極、８…
…保護ダイオード（ツエナーダイオード）、９…
…トランジスタ、１０……第２ベース領域。
図は保護ダイオードを有するトランジスタの等価
回路図、第３図ａ，ｂは本考案の第１の実施例の
製造工程断面図、第４図は本考案の第２の実施例
の断面図である。 １……半導体基板、２……コレクタ領域、３…
…コレクタ上層領域、４……ベース領域、５……
エミツタ領域、６……保護膜、７……電極、８…
…保護ダイオード（ツエナーダイオード）、９…
…トランジスタ、１０……第２ベース領域。
Claims (1)
- 半導体基板上にエミツタ、ベース、コレクタの
各領域が形成されているバイポーラトランジスタ
を含む半導体装置に於て、バイポーラトランジス
タを構成するコレクタベース接合の表面付近のコ
レクタ領域を不純物濃度が高い高濃度不純物領域
とし、該高濃度不純物領域とベース領域との接合
部ダイオードをツエナーダイオードとしたことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9384386U JPS62204352U (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9384386U JPS62204352U (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62204352U true JPS62204352U (ja) | 1987-12-26 |
Family
ID=30956770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9384386U Pending JPS62204352U (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62204352U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57190357A (en) * | 1981-05-19 | 1982-11-22 | Matsushita Electronics Corp | Power transistor |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP9384386U patent/JPS62204352U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57190357A (en) * | 1981-05-19 | 1982-11-22 | Matsushita Electronics Corp | Power transistor |