JPS62145348U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62145348U JPS62145348U JP3521386U JP3521386U JPS62145348U JP S62145348 U JPS62145348 U JP S62145348U JP 3521386 U JP3521386 U JP 3521386U JP 3521386 U JP3521386 U JP 3521386U JP S62145348 U JPS62145348 U JP S62145348U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- conductivity type
- region
- diffusion region
- high concentration
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
第１図ａ，ｂは夫々本考案の一実施例による平
面図および断面図、第２図は従来の三重拡散ＰＮ
Ｐトランジスタの断面図である。 １…エピタキシヤル領域、２…コレクタ領域、
３…ベース領域、４…エミツタ領域、５…基板、
６…Ｎ形埋込み層、７…Ｐ形埋込み層（コレクタ
領域）。
面図および断面図、第２図は従来の三重拡散ＰＮ
Ｐトランジスタの断面図である。 １…エピタキシヤル領域、２…コレクタ領域、
３…ベース領域、４…エミツタ領域、５…基板、
６…Ｎ形埋込み層、７…Ｐ形埋込み層（コレクタ
領域）。
Claims (1)
- 低濃度の一導電形半導体拡散領域中に他導電形
半導体拡散領域を形成し、かつ前記他導電形半導
体領域に高濃度の一導電形半導体拡散領域を形成
した半導体装置において前記低濃度一導電形半導
体領域中に高濃度一導電形半導体領域を形成する
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3521386U JPS62145348U (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3521386U JPS62145348U (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145348U true JPS62145348U (ja) | 1987-09-12 |
Family
ID=30844496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3521386U Pending JPS62145348U (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62145348U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143859A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-06 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-03-10 JP JP3521386U patent/JPS62145348U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143859A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-06 | Toshiba Corp | Semiconductor device |