JPH01169048U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH01169048U JPH01169048U JP6617188U JP6617188U JPH01169048U JP H01169048 U JPH01169048 U JP H01169048U JP 6617188 U JP6617188 U JP 6617188U JP 6617188 U JP6617188 U JP 6617188U JP H01169048 U JPH01169048 U JP H01169048U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductivity type
- semiconductor device
- electrode
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は高出力型のトランジスタを示す平面図
、第２図は第１図のＡ―Ａ′線における断面図、
第３図は従来の半導体装置の断面図、第４図は高
出力型トランジスタと低出力型トランジスタが混
在する半導体集積回路の平面図である。 １……半導体基板、２……エピタキシヤル層、
３……埋込み層、４……ベース領域、５……エミ
ツタ領域、６……コレクタ領域、７……コンタク
ト領域、８……第１の拡散領域、９……エミツタ
電極、１０……ベース電極、１１……コレクタ電
極、１２……コンタクト領域、１３……第２の拡
散領域。
、第２図は第１図のＡ―Ａ′線における断面図、
第３図は従来の半導体装置の断面図、第４図は高
出力型トランジスタと低出力型トランジスタが混
在する半導体集積回路の平面図である。 １……半導体基板、２……エピタキシヤル層、
３……埋込み層、４……ベース領域、５……エミ
ツタ領域、６……コレクタ領域、７……コンタク
ト領域、８……第１の拡散領域、９……エミツタ
電極、１０……ベース電極、１１……コレクタ電
極、１２……コンタクト領域、１３……第２の拡
散領域。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) コレクタ領域となる一導電型の半導体基板
と、この半導体基板に形成される逆導電型のベー
ス領域と、このベース領域内に形成される一導電
型のエミツタ領域と、前記コレクタ領域、ベース
領域およびエミツタ領域と夫々オーミツクコンタ
クトするコレクタ電極、ベース電極およびエミツ
タ電極とを備えた半導体装置に於いて、前記エミ
ツタ領域とベース電極のコンタクト領域との間に
、ベース電極のコンタクト領域と一部重畳した一
導電型の拡散領域を具備することを特徴とした半
導体装置。 (2) 夫々の島領域に高出力型のトランジスタと
低出力型のトランジスタとを有する半導体装置に
於いて、前記高出力型のトランジスタに前記半導
体装置を使つた請求項第１項記載の半導体装置。 (3) コレクタ領域下に設けられた一導電型の埋
込み層と、この埋込み層と前記コレクタ電極とを
接続する一導電型の第２の拡散領域とを具備する
請求項第１項または第２項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6617188U JPH01169048U (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6617188U JPH01169048U (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01169048U true JPH01169048U (ja) | 1989-11-29 |
Family
ID=31291583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6617188U Pending JPH01169048U (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01169048U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085443A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-05-19 JP JP6617188U patent/JPH01169048U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085443A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP4707203B2 (ja) * | 1999-09-09 | 2011-06-22 | ローム株式会社 | 半導体装置 |