JPH0180960U - - Google Patents

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JPH0180960U
JPH0180960U JP1987176777U JP17677787U JPH0180960U JP H0180960 U JPH0180960 U JP H0180960U JP 1987176777 U JP1987176777 U JP 1987176777U JP 17677787 U JP17677787 U JP 17677787U JP H0180960 U JPH0180960 U JP H0180960U
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の半導体装置の平面図、第2図
は第1図のA―A′線における断面図、第3図は
従来の半導体装置の断面図である。 1……半導体装置、2……半導体基板、3……
エピタキシヤル層、4……第1のアイソレーシヨ
ン領域、5……第2のアイソレーシヨン領域、6
……コンタクト領域。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板と、この半導体基板上に
    形成された逆導電型のエピタキシヤル層と、この
    エピタキシヤル層内に前記半導体基板まで到達す
    る一導電型で閉環状の第1のアイソレーシヨン領
    域と、この第1のアイソレーシヨン領域の中央部
    に形成された一導電型の第2のアイソレーシヨン
    領域と、前記第1および第2のアイソレーシヨン
    領域間に閉環状に深く形成された逆導電型のコン
    タクト領域と、このコンタクト領域にオーミツク
    コンタクトしたカソード電極と、前記第2のアイ
    ソレーシヨン領域にオーミツクコンタクトしたア
    ノード電極とを具備することを特徴とした半導体
    装置。
JP1987176777U 1987-11-19 1987-11-19 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0622998Y2 (ja)

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JP1987176777U JPH0622998Y2 (ja) 1987-11-19 1987-11-19 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPH0180960U true JPH0180960U (ja) 1989-05-30
JPH0622998Y2 JPH0622998Y2 (ja) 1994-06-15

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ID=31468480

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JP (1) JPH0622998Y2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001148484A (ja) * 1999-11-22 2001-05-29 Rohm Co Ltd アノードコモンツェナーダイオード

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001148484A (ja) * 1999-11-22 2001-05-29 Rohm Co Ltd アノードコモンツェナーダイオード

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JPH0622998Y2 (ja) 1994-06-15

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