JPH0180960U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0180960U JPH0180960U JP1987176777U JP17677787U JPH0180960U JP H0180960 U JPH0180960 U JP H0180960U JP 1987176777 U JP1987176777 U JP 1987176777U JP 17677787 U JP17677787 U JP 17677787U JP H0180960 U JPH0180960 U JP H0180960U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- isolation
- semiconductor substrate
- region
- epitaxial layer
- Prior art date
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- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第1図は本考案の半導体装置の平面図、第2図
は第1図のA―A′線における断面図、第3図は
従来の半導体装置の断面図である。 1……半導体装置、2……半導体基板、3……
エピタキシヤル層、4……第1のアイソレーシヨ
ン領域、5……第2のアイソレーシヨン領域、6
……コンタクト領域。
は第1図のA―A′線における断面図、第3図は
従来の半導体装置の断面図である。 1……半導体装置、2……半導体基板、3……
エピタキシヤル層、4……第1のアイソレーシヨ
ン領域、5……第2のアイソレーシヨン領域、6
……コンタクト領域。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板と、この半導体基板上に
形成された逆導電型のエピタキシヤル層と、この
エピタキシヤル層内に前記半導体基板まで到達す
る一導電型で閉環状の第1のアイソレーシヨン領
域と、この第1のアイソレーシヨン領域の中央部
に形成された一導電型の第2のアイソレーシヨン
領域と、前記第1および第2のアイソレーシヨン
領域間に閉環状に深く形成された逆導電型のコン
タクト領域と、このコンタクト領域にオーミツク
コンタクトしたカソード電極と、前記第2のアイ
ソレーシヨン領域にオーミツクコンタクトしたア
ノード電極とを具備することを特徴とした半導体
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1987176777U JPH0622998Y2 (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1987176777U JPH0622998Y2 (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0180960U true JPH0180960U (ja) | 1989-05-30 |
JPH0622998Y2 JPH0622998Y2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=31468480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1987176777U Expired - Lifetime JPH0622998Y2 (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0622998Y2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001148484A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Rohm Co Ltd | アノードコモンツェナーダイオード |
-
1987
- 1987-11-19 JP JP1987176777U patent/JPH0622998Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001148484A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Rohm Co Ltd | アノードコモンツェナーダイオード |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0622998Y2 (ja) | 1994-06-15 |