JPS6439670U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6439670U JPS6439670U JP1987061081U JP6108187U JPS6439670U JP S6439670 U JPS6439670 U JP S6439670U JP 1987061081 U JP1987061081 U JP 1987061081U JP 6108187 U JP6108187 U JP 6108187U JP S6439670 U JPS6439670 U JP S6439670U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recess
- semiconductor
- semiconductor substrate
- sectional
- cross
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例である端面発光素
子の断面図、第２図Ａ〜Ｈは第１図の端面発光素
子の製造方法例について説明する工程順の断面図
、第３図は凹部の拡大断面図である。第４図は従
来の端面発光素子の断面図である。 １……カソード電極、２……基板、４……活性
層、６……アノード電極、７……凹部、９……基
板より高い熱伝導率を有する物質。
子の断面図、第２図Ａ〜Ｈは第１図の端面発光素
子の製造方法例について説明する工程順の断面図
、第３図は凹部の拡大断面図である。第４図は従
来の端面発光素子の断面図である。 １……カソード電極、２……基板、４……活性
層、６……アノード電極、７……凹部、９……基
板より高い熱伝導率を有する物質。
補正 昭６３．１０．５
図面の簡単な説明を次のように補正する。
明細書の第７頁第４行の「第２図Ａ〜Ｈ」を「
第２図Ａ〜Ｉ」に補正する。
第２図Ａ〜Ｉ」に補正する。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板の表面近傍にデバイス領域を形成し
たものにおいて、 前記半導体基板の裏面側に凹部を形成して、こ
の凹部内に半導体材料よりも高い熱伝導率を有す
る物質を充填してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987061081U JPS6439670U (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987061081U JPS6439670U (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6439670U true JPS6439670U (ja) | 1989-03-09 |
Family
ID=31286758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987061081U Pending JPS6439670U (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6439670U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03136287A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ |
-
1987
- 1987-04-21 JP JP1987061081U patent/JPS6439670U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03136287A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ |