JPS63131153U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63131153U JPS63131153U JP2300487U JP2300487U JPS63131153U JP S63131153 U JPS63131153 U JP S63131153U JP 2300487 U JP2300487 U JP 2300487U JP 2300487 U JP2300487 U JP 2300487U JP S63131153 U JPS63131153 U JP S63131153U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- layer
- semiconductor layer
- anode layer
- anode
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例を示す一部を断面し
た斜視図、第２図は本考案の製造の一例を示す断
面図である。 １……半導体層、２……ゲート層、３……アノ
ード層、４……カソード層、３１……Ｐ型拡散領
域、３２……Ｐ＋型拡散領域。
た斜視図、第２図は本考案の製造の一例を示す断
面図である。 １……半導体層、２……ゲート層、３……アノ
ード層、４……カソード層、３１……Ｐ型拡散領
域、３２……Ｐ＋型拡散領域。
Claims (1)
- 一導電型のゲート層を埋め込んだ逆導電型の半
導体層の一面に、一導電型のアノード層が形成さ
れると共に、前記半導体層の地面に逆導電型のカ
ソード層が形成された静電誘導型サイリスタにお
いて、前記アノード層の不純物濃度が表面側で高
く、半導体層側で低くすると共に、前記アノード
層側からライフタイムキラー拡散を行なつたこと
を特徴とする静電誘導型サイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2300487U JPS63131153U (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2300487U JPS63131153U (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63131153U true JPS63131153U (ja) | 1988-08-26 |
Family
ID=30820924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2300487U Pending JPS63131153U (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63131153U (ja) |
-
1987
- 1987-02-19 JP JP2300487U patent/JPS63131153U/ja active Pending