JPS63132456U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS63132456U JPS63132456U JP2440487U JP2440487U JPS63132456U JP S63132456 U JPS63132456 U JP S63132456U JP 2440487 U JP2440487 U JP 2440487U JP 2440487 U JP2440487 U JP 2440487U JP S63132456 U JPS63132456 U JP S63132456U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductivity type
- cathode
- gate layer
- opposite conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
第1図は本考案の一実施例を示す一部を断面に
した斜視図、第2図は本考案のゲート層部分を示
す断面図、第3図は本考案装置の製造工程の一例
を示す断面図、第4図は従来装置を示す断面図、
第5図は従来のゲート層部分を示す断面図である
。 1…ゲート層、11…第2のゲート層、12…
第1のゲート層、2…半導体基板、3…アノード
層、4…カソード層。
した斜視図、第2図は本考案のゲート層部分を示
す断面図、第3図は本考案装置の製造工程の一例
を示す断面図、第4図は従来装置を示す断面図、
第5図は従来のゲート層部分を示す断面図である
。 1…ゲート層、11…第2のゲート層、12…
第1のゲート層、2…半導体基板、3…アノード
層、4…カソード層。
Claims (1)
- 一導電型のゲート層を埋め込んだ逆導電型の半
導体層の一面に、一導電型のアノード層が形成さ
れると共に、前記半導体層の他面に逆導電型のカ
ソード層が形成された静電誘導型半導体装置にお
いて、前記ゲート層をアノード層側からカソード
側方向に対して千鳥状に埋設したことを特徴とす
る静電誘導型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2440487U JPS63132456U (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2440487U JPS63132456U (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63132456U true JPS63132456U (ja) | 1988-08-30 |
Family
ID=30823601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2440487U Pending JPS63132456U (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63132456U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03198382A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-08-29 | Hitachi Ltd | 縦型電界効果トランジスタの製造方法 |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP2440487U patent/JPS63132456U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03198382A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-08-29 | Hitachi Ltd | 縦型電界効果トランジスタの製造方法 |