JPS62197868U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62197868U JPS62197868U JP8735386U JP8735386U JPS62197868U JP S62197868 U JPS62197868 U JP S62197868U JP 8735386 U JP8735386 U JP 8735386U JP 8735386 U JP8735386 U JP 8735386U JP S62197868 U JPS62197868 U JP S62197868U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductivity type
- gate layer
- opposite conductivity
- semiconductor layer
- Prior art date
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- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
第1図ないし第6図は本考案の一実施例を示す
もので、第1図は上面図、第2図は第1図のA―
A′線断面図、第3図は第1図のB―B′線断面
図、第4図はゲート層を示す平面図、第5図はゲ
ート層の等価回路図、第6図は要部断面図である
。第7図は典型的な静電誘導型半導体装置を示す
断面図である。 1……ゲート層、2……半導体層、3……アノ
ード層、4……カソード層。
もので、第1図は上面図、第2図は第1図のA―
A′線断面図、第3図は第1図のB―B′線断面
図、第4図はゲート層を示す平面図、第5図はゲ
ート層の等価回路図、第6図は要部断面図である
。第7図は典型的な静電誘導型半導体装置を示す
断面図である。 1……ゲート層、2……半導体層、3……アノ
ード層、4……カソード層。
Claims (1)
- 一導電型のゲート層を埋め込んだ逆導電型の半
導体層の一面に、一導電型のアノード層が形成さ
れると共に、前記半導体層の他面に逆導電型のカ
ソード層が形成された静電誘導型半導体装置にお
いて、ピンチオフ電圧が等しくなるように、ゲー
ト間のチヤンネル幅を連続的に変化させて、前記
ゲート層を形成したことを特徴とする静電誘導型
半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986087353U JPH0534116Y2 (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986087353U JPH0534116Y2 (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62197868U true JPS62197868U (ja) | 1987-12-16 |
JPH0534116Y2 JPH0534116Y2 (ja) | 1993-08-30 |
Family
ID=30944480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1986087353U Expired - Lifetime JPH0534116Y2 (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0534116Y2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05335553A (ja) * | 1992-06-04 | 1993-12-17 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 静電誘導型半導体装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5788771A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Semiconductor Res Found | Electrostatic induction thyristor |
JPS6139578A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | 静電誘導サイリスタ |
JPS62124863U (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-08 |
-
1986
- 1986-06-09 JP JP1986087353U patent/JPH0534116Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5788771A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Semiconductor Res Found | Electrostatic induction thyristor |
JPS6139578A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | 静電誘導サイリスタ |
JPS62124863U (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-08 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05335553A (ja) * | 1992-06-04 | 1993-12-17 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 静電誘導型半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0534116Y2 (ja) | 1993-08-30 |