JPS6260049U - - Google Patents
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- JPS6260049U JPS6260049U JP15264985U JP15264985U JPS6260049U JP S6260049 U JPS6260049 U JP S6260049U JP 15264985 U JP15264985 U JP 15264985U JP 15264985 U JP15264985 U JP 15264985U JP S6260049 U JPS6260049 U JP S6260049U
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- JP
- Japan
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- gate electrode
- source
- conductivity type
- field effect
- effect semiconductor
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 2
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Description
第１図は本考案に依るＩＧ ＦＥＴを説明する
上面図、第２図は第１図の―線断面図、第３
図は従来のＩＧ ＦＥＴを説明する上面図、第４
図は第３図の―線断面図、第５図はＩＧ Ｆ
ＥＴのゲート電極のポリシリコン抵抗とゲート容
量との関係を示す等価回路図である。 主な図番の説明、１は半導体基板、２，３はソ
ースドレイン領域、６はゲート電極、９は導電金
属層である。
上面図、第２図は第１図の―線断面図、第３
図は従来のＩＧ ＦＥＴを説明する上面図、第４
図は第３図の―線断面図、第５図はＩＧ Ｆ
ＥＴのゲート電極のポリシリコン抵抗とゲート容
量との関係を示す等価回路図である。 主な図番の説明、１は半導体基板、２，３はソ
ースドレイン領域、６はゲート電極、９は導電金
属層である。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板表面に離間して設けた逆
導電型のソースドレイン領域と該ソースドレイン
領域間のチヤンネル領域上に設けられたポリシリ
コンより成るゲート電極とを備えた絶縁ゲート型
電界効果半導体装置に於いて、前記ゲート電極上
を略同形状の導電金属層で被覆し、前記ゲート電
極の両端でコンタクトさせることを特徴とする絶
縁ゲート型電界効果半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985152649U JPH0513017Y2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985152649U JPH0513017Y2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6260049U true JPS6260049U (ja) | 1987-04-14 |
| JPH0513017Y2 JPH0513017Y2 (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=31070819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985152649U Expired - Lifetime JPH0513017Y2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513017Y2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63172435A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-16 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| WO2004107383A1 (ja) * | 2003-01-09 | 2004-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Misfet |
| JP2013524529A (ja) * | 2010-04-09 | 2013-06-17 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 電界効果トランジスタを形成するための方法および電界効果トランジスタ・デバイス |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113375A (en) * | 1979-02-23 | 1980-09-01 | Hitachi Ltd | Insulated gate type field effect semiconductor device |
| JPS6089974A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-20 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP1985152649U patent/JPH0513017Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113375A (en) * | 1979-02-23 | 1980-09-01 | Hitachi Ltd | Insulated gate type field effect semiconductor device |
| JPS6089974A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-20 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63172435A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-16 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| WO2004107383A1 (ja) * | 2003-01-09 | 2004-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Misfet |
| JP2013524529A (ja) * | 2010-04-09 | 2013-06-17 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 電界効果トランジスタを形成するための方法および電界効果トランジスタ・デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0513017Y2 (ja) | 1993-04-06 |