JPH0377463U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0377463U JPH0377463U JP13913089U JP13913089U JPH0377463U JP H0377463 U JPH0377463 U JP H0377463U JP 13913089 U JP13913089 U JP 13913089U JP 13913089 U JP13913089 U JP 13913089U JP H0377463 U JPH0377463 U JP H0377463U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- region
- impurity layer
- base region
- drain
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
第１図は本考案の第１実施例の縦断面図、第２
図は本考案の第２実施例の縦断面図、第３図は従
来の横型電界効果トランジスタの縦断面図である
。 １……Ｐ型シリコン基板、２Ｎ−不純物層、３
……Ｎ−−領域（低濃度領域）、４……ゲート絶
縁膜、５……ゲート電極（多結晶シリコン）、６
……Ｐ型ベース領域、７ｓ……ソース領域、７ｄ
……ドレイン領域、８……ベースコンタクト領域
、９……絶縁膜、１０……ソース電極、１１……
ドレイン電極、１２……ゲート電極、１３……フ
イールド酸化膜。
図は本考案の第２実施例の縦断面図、第３図は従
来の横型電界効果トランジスタの縦断面図である
。 １……Ｐ型シリコン基板、２Ｎ−不純物層、３
……Ｎ−−領域（低濃度領域）、４……ゲート絶
縁膜、５……ゲート電極（多結晶シリコン）、６
……Ｐ型ベース領域、７ｓ……ソース領域、７ｄ
……ドレイン領域、８……ベースコンタクト領域
、９……絶縁膜、１０……ソース電極、１１……
ドレイン電極、１２……ゲート電極、１３……フ
イールド酸化膜。
Claims (1)
- 第１導電型の半導体基板に第２導電型の不純物
層を形成し、この不純物層に第１導電型のベース
領域と、高濃度の第２導電型のソース、ドレイン
の各領域を形成してなる横型電界効果トランジス
タにおいて、前記ベース領域とドレイン領域の間
に前記不純物層よりも低濃度の第２導電型領域を
形成したことを特徴とする横型電界効果トランジ
スタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13913089U JPH0377463U (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13913089U JPH0377463U (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0377463U true JPH0377463U (ja) | 1991-08-05 |
Family
ID=31686190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13913089U Pending JPH0377463U (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0377463U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7217612B2 (en) | 2000-12-07 | 2007-05-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method for a semiconductor device with reduced local current |
| JP2007335881A (ja) * | 1992-09-21 | 2007-12-27 | Siliconix Inc | ＢｉＣＤＭＯＳ構造及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-11-30 JP JP13913089U patent/JPH0377463U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007335881A (ja) * | 1992-09-21 | 2007-12-27 | Siliconix Inc | ＢｉＣＤＭＯＳ構造及びその製造方法 |
| US7217612B2 (en) | 2000-12-07 | 2007-05-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method for a semiconductor device with reduced local current |