JPH0316328U - - Google Patents
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- JPH0316328U JPH0316328U JP7582189U JP7582189U JPH0316328U JP H0316328 U JPH0316328 U JP H0316328U JP 7582189 U JP7582189 U JP 7582189U JP 7582189 U JP7582189 U JP 7582189U JP H0316328 U JPH0316328 U JP H0316328U
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- JP
- Japan
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- conductivity type
- semiconductor substrate
- insulating film
- diffusion layer
- diffusion
- Prior art date
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- Pending
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
第１図は本案の一実施例の略断面図、第２図は
従来例の略断面図である。 １，２，３……電極、４……Ｎ型シリコン基板
、５，６……Ｐ＋型拡散層、７……Ｎ＋型拡散層
、１０……酸化膜、１１，１２，１３……導体層
。
従来例の略断面図である。 １，２，３……電極、４……Ｎ型シリコン基板
、５，６……Ｐ＋型拡散層、７……Ｎ＋型拡散層
、１０……酸化膜、１１，１２，１３……導体層
。
Claims (1)
- 第１の導電型の半導体基板の表面に形成した複
数の第２の導電型の拡散層と、それらの表面に形
成した絶縁膜と、前記の第２の導電型の拡散層の
中間の前記の半導体基板の表面の絶縁膜上に形成
され前記の半導体基板と同電位にされる導体層と
、前記の第１の導電型の半導体基板の表面におい
て第２の導電型の拡散層との間に形成されたＰＮ
接合の表面の絶縁膜上に形成され第２の導電型の
拡散層と同電位にされる導体層とを有することを
特徴とするトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7582189U JPH0316328U (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7582189U JPH0316328U (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316328U true JPH0316328U (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=31616737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7582189U Pending JPH0316328U (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0316328U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016529698A (ja) * | 2013-06-24 | 2016-09-23 | アイディール パワー インコーポレイテッド | 双方向バイポーラトランジスタを有するシステム、回路、素子、及び方法 |
-
1989
- 1989-06-28 JP JP7582189U patent/JPH0316328U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016529698A (ja) * | 2013-06-24 | 2016-09-23 | アイディール パワー インコーポレイテッド | 双方向バイポーラトランジスタを有するシステム、回路、素子、及び方法 |