JPS62204354U - - Google Patents
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- JPS62204354U JPS62204354U JP9241186U JP9241186U JPS62204354U JP S62204354 U JPS62204354 U JP S62204354U JP 9241186 U JP9241186 U JP 9241186U JP 9241186 U JP9241186 U JP 9241186U JP S62204354 U JPS62204354 U JP S62204354U
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- JP
- Japan
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- channel region
- semiconductor
- film transistor
- thin film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
第１図はこの発明の一実施例に係るＭＩＳ型薄
膜トランジスタの構造を示す断面図、第２図ａ〜
ｈは第１図の製造工程の一例を示す図である。 （図の主要な部分を表わす符号の説明）、１…
シリコン基板、５…第１層多結晶シリコン膜、７
…第２層多結晶シリコン膜。
膜トランジスタの構造を示す断面図、第２図ａ〜
ｈは第１図の製造工程の一例を示す図である。 （図の主要な部分を表わす符号の説明）、１…
シリコン基板、５…第１層多結晶シリコン膜、７
…第２層多結晶シリコン膜。
Claims (1)
- 絶縁基板上に薄膜の半導体層で形成されたチヤ
ンネル領域と、このチヤンネル領域の両側にそれ
ぞれ半導体層で形成されたソース領域及びドレイ
ン領域とを有する薄膜トランジスタにおいて、前
記ソース領域及びドレイン領域を形成する半導体
層の厚さを、前記チヤンネル領域を形成する半導
体層の厚さよりも厚く形成したことを特徴とする
薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9241186U JPS62204354U (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9241186U JPS62204354U (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62204354U true JPS62204354U (ja) | 1987-12-26 |
Family
ID=30954092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9241186U Pending JPS62204354U (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62204354U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102483A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-06-19 JP JP9241186U patent/JPS62204354U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102483A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |