JPS6066051U - 薄膜トランジスタ - Google Patents

薄膜トランジスタ

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Publication number
JPS6066051U
JPS6066051U JP15823583U JP15823583U JPS6066051U JP S6066051 U JPS6066051 U JP S6066051U JP 15823583 U JP15823583 U JP 15823583U JP 15823583 U JP15823583 U JP 15823583U JP S6066051 U JPS6066051 U JP S6066051U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film transistor
undercoat layer
insulating film
utility
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15823583U
Other languages
English (en)
Inventor
正秋 小林
鴨川　裕司
Original Assignee
伊勢電子工業株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 伊勢電子工業株式会社 filed Critical 伊勢電子工業株式会社
Priority to JP15823583U priority Critical patent/JPS6066051U/ja
Publication of JPS6066051U publication Critical patent/JPS6066051U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の薄膜トランジスタの一例を示す断面図、
第２図は従来の欠点の説明に供する一部断面図、第３図
は本考案による薄膜トランジスタの一実施例を示す断面
図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・絶縁膜、３
・・四半導体薄膜、４・・・ソース電極、５・・・ドレ
イン電極、６・・・ゲート絶縁膜、７・・・ゲート電極
、１ｏ・・・窒化シリコン膜（アンダコート層）。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁性を有する基板の全周面に絶縁膜をアンダコート層
    として被着形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ
    。
JP15823583U 1983-10-13 1983-10-13 薄膜トランジスタ Pending JPS6066051U (ja)

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JP15823583U JPS6066051U (ja) 1983-10-13 1983-10-13 薄膜トランジスタ

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JP15823583U JPS6066051U (ja) 1983-10-13 1983-10-13 薄膜トランジスタ

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JPS6066051U true JPS6066051U (ja) 1985-05-10

Family

ID=30348643

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JP15823583U Pending JPS6066051U (ja) 1983-10-13 1983-10-13 薄膜トランジスタ

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