JPS5993152U - 薄膜半導体装置 - Google Patents

薄膜半導体装置

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JPS5993152U
JPS5993152U JP18898982U JP18898982U JPS5993152U JP S5993152 U JPS5993152 U JP S5993152U JP 18898982 U JP18898982 U JP 18898982U JP 18898982 U JP18898982 U JP 18898982U JP S5993152 U JPS5993152 U JP S5993152U
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JP
Japan
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thin film
film semiconductor
semiconductor device
glass substrate
alkali metal
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Pending
Application number
JP18898982U
Other languages
English (en)
Inventor
信宏 清水
Original Assignee
セイコーインスツルメンツ株式会社
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
図面は、本考案の実施例の断面図である。 １・・・アルカリ金属を含むガラス基板、２・・・窒化
膜（たとえば５ｉ３Ｎ４）、３．　４．　５．　６．　
７・・・薄膜半導体素子、３・・・薄膜半導体膜（たと
えばアモルファスシリコン）、４・・・ゲ１−ト絶縁膜
（たとえば５ｉＯ２）、５・・・ゲート電極、６・・・
ソース電極、７・・・ドレイン電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. アルカリ金属を含むガラス基板と薄膜半導体素子との間
    に窒化膜を設けたことを特徴とする薄膜半導体装置。
JP18898982U 1982-12-14 1982-12-14 薄膜半導体装置 Pending JPS5993152U (ja)

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JP18898982U JPS5993152U (ja) 1982-12-14 1982-12-14 薄膜半導体装置

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JP18898982U JPS5993152U (ja) 1982-12-14 1982-12-14 薄膜半導体装置

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JPS5993152U true JPS5993152U (ja) 1984-06-25

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JP18898982U Pending JPS5993152U (ja) 1982-12-14 1982-12-14 薄膜半導体装置

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