JPS6018558U - 薄膜トランジスタ素子 - Google Patents

薄膜トランジスタ素子

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Publication number
JPS6018558U
JPS6018558U JP10896583U JP10896583U JPS6018558U JP S6018558 U JPS6018558 U JP S6018558U JP 10896583 U JP10896583 U JP 10896583U JP 10896583 U JP10896583 U JP 10896583U JP S6018558 U JPS6018558 U JP S6018558U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film transistor
transistor element
island
semiconductor
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Pending
Application number
JP10896583U
Other languages
English (en)
Inventor
淳一 大和田
裕 小林
Original Assignee
株式会社日立製作所
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Publication date
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  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の素子の平面図ａ及び断面図ｂ１第２図、
第３図は本考案の一実施例の素子構造を示す平面図及び
断面図、第４図は本考案の一実施例の製造プロセスを示
す断面図である。 １・・・半導体薄膜、２・・・不純物拡散部、３・・・
ソース電極、４・・・ゲート電極、５・・・ドレイン電
極、７・・・半導体島の端面、８・・・絶縁膜、９・・
・絶縁性基板。 第７図 （（１）

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁性基板上に島状に形成した半導体薄膜を使用した薄
    膜トランジスタ素子において、ソースあるいはドレイン
    のコンタクトのための不純物拡散部の少なくとも一方を
    、半導体島の端面から離して形成したことを特徴とする
    薄膜トランジスタ素子。
JP10896583U 1983-07-15 1983-07-15 薄膜トランジスタ素子 Pending JPS6018558U (ja)

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JP10896583U JPS6018558U (ja) 1983-07-15 1983-07-15 薄膜トランジスタ素子

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JP10896583U JPS6018558U (ja) 1983-07-15 1983-07-15 薄膜トランジスタ素子

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Publication Number Publication Date
JPS6018558U true JPS6018558U (ja) 1985-02-07

Family

ID=30254016

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10896583U Pending JPS6018558U (ja) 1983-07-15 1983-07-15 薄膜トランジスタ素子

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JP (1) JPS6018558U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018207135A (ja) * 2012-01-20 2018-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2018207135A (ja) * 2012-01-20 2018-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

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