JPS60166158U - メモリーセル - Google Patents

メモリーセル

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JPS60166158U
JPS60166158U JP3896785U JP3896785U JPS60166158U JP S60166158 U JPS60166158 U JP S60166158U JP 3896785 U JP3896785 U JP 3896785U JP 3896785 U JP3896785 U JP 3896785U JP S60166158 U JPS60166158 U JP S60166158U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
semiconductor substrate
diffusion layer
memory cell
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3896785U
Other languages
English (en)
Inventor
太田　邦一
川路　昭
Original Assignee
超エル・エス・アイ技術研究組合
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Filing date
Publication date
Application filed by 超エル・エス・アイ技術研究組合 filed Critical 超エル・エス・アイ技術研究組合
Priority to JP3896785U priority Critical patent/JPS60166158U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
−第１図は１トランジスタ型ＭＯＳメモリーセルの従来
における基本的な等価回路を示す回路図、第２図、第３
図はＤＳＡ　）ランジスタを用いて第１図に示す等価回
路を満足させた従来例のメモリーセルの夫々の概略構成
図、第４図は更なる改変例としての従来例の概略構成図
、第５図は第４図示従来例及び本案実施例における等価
回路図、第６図は本案のメモリーセルの望ましい一実施
例の、概略構成図、である。 図中、１はゲート電極、２はソースまたはドレイン領域
、５は半導体基板、８は表面にチャンネ　　　　′ルの
形成される拡散層領域、９はゲート絶縁膜、１１は電荷
蓄積量増加を図る拡散層領域、である。　　　　　　“

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板の上部領域にソース、ドレインのいづれか一
    方のみが該半導体基板と反対導電型の不純物拡散層とし
    て、形成され； 該拡散層と同一位置決めによって選μ拡散され、表面に
    おいて上記半導体基板上のゲート絶縁膜の一部分の直下
    番とチャンネル−の形成される領域を有し； 該チャンネル形成領域に直接に隣接する上記ゲート絶縁
    膜下の残りの部分に電荷蓄積領域を含んで成り； ゛　該電荷蓄積領域には上記半導体基板とは反対導電型
    の不純物拡散層を有することを特徴とするメ
JP3896785U 1985-03-20 1985-03-20 メモリーセル Pending JPS60166158U (ja)

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JP3896785U JPS60166158U (ja) 1985-03-20 1985-03-20 メモリーセル

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JP3896785U JPS60166158U (ja) 1985-03-20 1985-03-20 メモリーセル

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60166158U true JPS60166158U (ja) 1985-11-05

Family

ID=30546474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3896785U Pending JPS60166158U (ja) 1985-03-20 1985-03-20 メモリーセル

Country Status (1)

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JP (1) JPS60166158U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8973484B2 (en) 2011-07-01 2015-03-10 Mahle Industries Inc. Piston with cooling gallery
US9856820B2 (en) 2010-10-05 2018-01-02 Mahle International Gmbh Piston assembly

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51104279A (ja) * 1975-03-11 1976-09-14 Nippon Electric Co

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51104279A (ja) * 1975-03-11 1976-09-14 Nippon Electric Co

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US9856820B2 (en) 2010-10-05 2018-01-02 Mahle International Gmbh Piston assembly
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