JPS5999460U - 電荷転送装置 - Google Patents
電荷転送装置Info
- Publication number
- JPS5999460U JPS5999460U JP19904782U JP19904782U JPS5999460U JP S5999460 U JPS5999460 U JP S5999460U JP 19904782 U JP19904782 U JP 19904782U JP 19904782 U JP19904782 U JP 19904782U JP S5999460 U JPS5999460 U JP S5999460U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer device
- charge transfer
- polycrystalline silicon
- silicon layer
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図はフローティングゲート電荷検出方式の電荷転送
装置を説明するための断面図、第2図は、従来例を示す
断面図、第3図はこの考案の一実施例を示す平面図、第
4図は同様の断面図である。 21はP形シリコン基体、24はCCD、26は多結晶
シリコン層、27はフローティング電極、28は出力用
MO3hランジスタ、29は出力用MO3)ランジスタ
28のゲート、30はリセット用MOSトランジスタ、
33.34.35゜37はそれぞれリセット用MOSト
ランジスタ30のソース拡散領域、チャンネル、ドレイ
ン拡散領域およびゲート電極である。
装置を説明するための断面図、第2図は、従来例を示す
断面図、第3図はこの考案の一実施例を示す平面図、第
4図は同様の断面図である。 21はP形シリコン基体、24はCCD、26は多結晶
シリコン層、27はフローティング電極、28は出力用
MO3hランジスタ、29は出力用MO3)ランジスタ
28のゲート、30はリセット用MOSトランジスタ、
33.34.35゜37はそれぞれリセット用MOSト
ランジスタ30のソース拡散領域、チャンネル、ドレイ
ン拡散領域およびゲート電極である。
Claims (1)
- 転送部に対してその出力部領域で交差するように多結晶
シリコン層を被着し、この多結晶シリコン層の一側にリ
セットトランジスタのソース、下レインおよびゲートを
形成するとともに、上記多結晶シリコン層の他側を出力
トランジスタのゲートとした電荷転送装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19904782U JPS5999460U (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 電荷転送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19904782U JPS5999460U (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 電荷転送装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5999460U true JPS5999460U (ja) | 1984-07-05 |
Family
ID=30424598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19904782U Pending JPS5999460U (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 電荷転送装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5999460U (ja) |
-
1982
- 1982-12-23 JP JP19904782U patent/JPS5999460U/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5936262U (ja) | 半導体メモリ素子 | |
JPS61131854U (ja) | ||
JPS5999460U (ja) | 電荷転送装置 | |
JPS60137455U (ja) | 電荷結合素子 | |
JPS60166158U (ja) | メモリーセル | |
JPS59164254U (ja) | 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ | |
JPS6142860U (ja) | 相補型mos半導体装置 | |
JPS6142863U (ja) | Mos半導体装置 | |
JPS6099553U (ja) | 半導体装置 | |
JPS5877065U (ja) | 集積回路装置 | |
JPS5944056U (ja) | 電荷転送装置 | |
JPS62196358U (ja) | ||
JPS57121271A (en) | Field effect transistor | |
JPS58129651U (ja) | 接合形電界効果トランジスタ | |
JPS5926265U (ja) | 半導体装置 | |
JPH0176066U (ja) | ||
JPS60116255U (ja) | 半導体装置 | |
JPS6011455U (ja) | 半導体装置 | |
JPS58158454U (ja) | 半導体メモリセル | |
JPS60125748U (ja) | ラテラル型トランジスタ | |
JPS6018558U (ja) | 薄膜トランジスタ素子 | |
JPH0342123U (ja) | ||
JPS62170649U (ja) | ||
JPS60149149U (ja) | Cmos集積回路 | |
JPS59161643U (ja) | 半導体集積回路装置 |