JPS62170649U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62170649U JPS62170649U JP5881286U JP5881286U JPS62170649U JP S62170649 U JPS62170649 U JP S62170649U JP 5881286 U JP5881286 U JP 5881286U JP 5881286 U JP5881286 U JP 5881286U JP S62170649 U JPS62170649 U JP S62170649U
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- JP
- Japan
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- thin film
- semiconductor thin
- semiconductor
- gate electrode
- covered
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Description
第１図〜第３図はそれぞれ本考案の実施例の断
面図、第４図および第５図はそれぞれ従来装置の
一例の断面図である。 〈符号の説明〉、１…絶縁基板、７…中間絶縁
膜、８…ソース電極、９…ドレイン電極、１０…
最終保護膜、１２…ゲート絶縁膜、１３…ソース
領域、１４…チヤンネル領域、１５…ドレイン領
域、１９…低抵抗ゲート領域、２０…高抵抗領域
、２１…第１の多結晶Ｓｉ膜、２２…第２の多結
晶Ｓｉ膜。
面図、第４図および第５図はそれぞれ従来装置の
一例の断面図である。 〈符号の説明〉、１…絶縁基板、７…中間絶縁
膜、８…ソース電極、９…ドレイン電極、１０…
最終保護膜、１２…ゲート絶縁膜、１３…ソース
領域、１４…チヤンネル領域、１５…ドレイン領
域、１９…低抵抗ゲート領域、２０…高抵抗領域
、２１…第１の多結晶Ｓｉ膜、２２…第２の多結
晶Ｓｉ膜。
Claims (1)
- 基板上に、ゲート電極を設け、その上をゲート
絶縁膜で覆つた上にソース、チヤンネル及びドレ
インとなる半導体薄膜を形成したいわゆるボトム
ゲート型薄膜ＭＯＳトランジスタにおいて、基板
上に設けた第１の半導体薄膜の上をゲート絶縁膜
で覆い、その上に、ソース、チヤンネル及びドレ
インとなる第２の半導体薄膜を上記第１の半導体
薄膜の形成部分上に全て収まるように形成し、か
つ、上記第１の半導体薄膜の内ほぼチヤネル部分
の下の領域をゲート電極とし該領域と他の領域と
を電気的に分離したことを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5881286U JPS62170649U (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5881286U JPS62170649U (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62170649U true JPS62170649U (ja) | 1987-10-29 |
Family
ID=30889720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5881286U Pending JPS62170649U (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62170649U (ja) |
-
1986
- 1986-04-21 JP JP5881286U patent/JPS62170649U/ja active Pending
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