JPS62196358U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62196358U JPS62196358U JP8256086U JP8256086U JPS62196358U JP S62196358 U JPS62196358 U JP S62196358U JP 8256086 U JP8256086 U JP 8256086U JP 8256086 U JP8256086 U JP 8256086U JP S62196358 U JPS62196358 U JP S62196358U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- channel region
- semiconductor device
- polysilicon
- thicker
- smaller
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
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- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の一実施例を示す断面構造図、
第２図は本考案の他の実施例を示す断面構造図で
ある。 １…半導体基板域いは半導体素子、２…絶縁膜
、７…ゲート電極、８…層間絶縁膜、９…電極、
１１…ゲート絶縁膜、１２…チヤネル領域、１３
…配線領域。
第２図は本考案の他の実施例を示す断面構造図で
ある。 １…半導体基板域いは半導体素子、２…絶縁膜
、７…ゲート電極、８…層間絶縁膜、９…電極、
１１…ゲート絶縁膜、１２…チヤネル領域、１３
…配線領域。
Claims (1)
- ポリシリコンをＭＯＳ素子として用いている半
導体装置において、チヤネル領域の厚さをポリシ
リコンの結晶粒と同程度ないしそれ以下の大きさ
とし、チヤネル領域の両端の配線領域をチヤネル
領域より厚くしていることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8256086U JPS62196358U (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8256086U JPS62196358U (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62196358U true JPS62196358U (ja) | 1987-12-14 |
Family
ID=30935331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8256086U Pending JPS62196358U (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62196358U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH036040A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-11 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04338650A (ja) * | 1991-05-15 | 1992-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-02 JP JP8256086U patent/JPS62196358U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH036040A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-11 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04338650A (ja) * | 1991-05-15 | 1992-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |