JPS6343456U - - Google Patents

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JPS6343456U
JPS6343456U JP13631786U JP13631786U JPS6343456U JP S6343456 U JPS6343456 U JP S6343456U JP 13631786 U JP13631786 U JP 13631786U JP 13631786 U JP13631786 U JP 13631786U JP S6343456 U JPS6343456 U JP S6343456U
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JP
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region
impurity
low concentration
drain region
drain
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JP13631786U
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の半導体装置の構造の一例を示
す断面図、第2図はその等価回路図、第3図は本
考案の半導体装置の構造の他の例を示す断面図、
第4図は従来の半導体装置の一例を示す断面図で
ある。 1……第1のLDD領域(第1の低濃度不純物
領域)、2……第2のLDD領域(第2の低濃度
不純物領域)、10……半導体基板、11……ソ
ース領域、12……チヤンネル形成領域、13…
…ゲート電極、14……ドレイン領域。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 高濃度不純物領域からなるソース領域及びドレ
    イン領域が形成され、該ソース領域とドレイン領
    域間のチヤンネル形成領域上に絶縁膜を介してゲ
    ート電極が形成されてなり、上記ドレイン領域の
    チヤンネル形成領域側は当該ドレイン領域を構成
    する不純物の濃度より低濃度の不純物領域が形成
    されている半導体装置において、 上記ドレイン領域のチヤンネル形成領域側に形
    成される上記不純物領域は、上記チヤンネル形成
    領域に隣接する第1の低濃度不純物領域と上記ド
    レイン領域に隣接する第2の低濃度不純物領域に
    より構成され、上記第2の低濃度不純物領域は第
    1の低濃度不純物領域より少なくとも不純物濃度
    が高く若しくは領域深さが深くされてなることを
    特徴とする半導体装置。
JP13631786U 1986-09-05 1986-09-05 Pending JPS6343456U (ja)

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JPS6343456U true JPS6343456U (ja) 1988-03-23

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