JPH01127261U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH01127261U JPH01127261U JP2300688U JP2300688U JPH01127261U JP H01127261 U JPH01127261 U JP H01127261U JP 2300688 U JP2300688 U JP 2300688U JP 2300688 U JP2300688 U JP 2300688U JP H01127261 U JPH01127261 U JP H01127261U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drain region
- conductivity type
- region
- insulating film
- gate insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Description
第1図ないし第4図はこの考案に係る半導体装
置の一実施例を示すもので、第1図は縦断面図、
第2図は製造工程の一例を示す工程図、第3図は
作用を説明するための縦断面図、第4図は等価回
路を示す回路図、第5図は他の実施例を示す縦断
面図、第6図は従来の半導体装置を示す縦断面図
である。 1:n−基板、2:P−ウエル(基板領域)、
3:n+ソース領域、5:n+ドレイン領域、6
:n−低濃度ドレイン領域、7:ゲート絶縁膜、
16:n形ゲート電極、17:p形電極、18:
接地電極。
置の一実施例を示すもので、第1図は縦断面図、
第2図は製造工程の一例を示す工程図、第3図は
作用を説明するための縦断面図、第4図は等価回
路を示す回路図、第5図は他の実施例を示す縦断
面図、第6図は従来の半導体装置を示す縦断面図
である。 1:n−基板、2:P−ウエル(基板領域)、
3:n+ソース領域、5:n+ドレイン領域、6
:n−低濃度ドレイン領域、7:ゲート絶縁膜、
16:n形ゲート電極、17:p形電極、18:
接地電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 第1導電形の基板領域の主面に離隔して形成さ
れた第2導電形のソース領域及びドレイン領域と
、 該ドレイン領域における前記ソース領域側に連
設され当該ドレイン領域より低濃度の第2導電形
の低濃度ドレイン領域と、 前記ソース領域とドレイン領域との間の前記基
板領域及び低濃度ドレイン領域上に形成されたゲ
ート絶縁膜と、 前記ソース領域と低濃度ドレイン領域との間の
前記ゲート絶縁膜上に第2導電形の多結晶半導体
により形成され、前記基板領域にチヤネルを誘起
させるゲート電極と、 前記低濃度ドレイン領域上のゲート絶縁膜の上
に第1導電形の多結晶半導体により形成され前記
第2導電形の多結晶半導体との間で結合部が形成
されるとともに該接合部が逆バイアスとなる電位
が与えられる電極と を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2300688U JPH01127261U (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2300688U JPH01127261U (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01127261U true JPH01127261U (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=31241633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2300688U Pending JPH01127261U (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01127261U (ja) |
-
1988
- 1988-02-25 JP JP2300688U patent/JPH01127261U/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2570742B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH0783119B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JPH0621468A (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置 | |
JPS6439069A (en) | Field-effect transistor | |
JP2882291B2 (ja) | 高耐圧ダイオード及びその製造方法 | |
JPS58192359A (ja) | 半導体装置 | |
JP3100663B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH01127261U (ja) | ||
JPS63124762U (ja) | ||
JPH051083Y2 (ja) | ||
JPH0758776B2 (ja) | 複合半導体装置 | |
JPH0722182B2 (ja) | 相補形半導体装置 | |
JPS62248256A (ja) | 半導体装置 | |
JP3017838B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH0377463U (ja) | ||
JPH0543303B2 (ja) | ||
JPH051084Y2 (ja) | ||
JP2968640B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS6312861U (ja) | ||
JPS6138198Y2 (ja) | ||
JPH01235277A (ja) | 縦型電界効果トランジスタ | |
JPH07249760A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS58130576A (ja) | 接合型電界効果トランジスタ | |
JPH0158960U (ja) | ||
JPS6343456U (ja) |