JPH01127261U - - Google Patents

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JPH01127261U
JPH01127261U JP2300688U JP2300688U JPH01127261U JP H01127261 U JPH01127261 U JP H01127261U JP 2300688 U JP2300688 U JP 2300688U JP 2300688 U JP2300688 U JP 2300688U JP H01127261 U JPH01127261 U JP H01127261U
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JP
Japan
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drain region
conductivity type
region
insulating film
gate insulating
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JP2300688U
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図ないし第4図はこの考案に係る半導体装
置の一実施例を示すもので、第1図は縦断面図、
第2図は製造工程の一例を示す工程図、第3図は
作用を説明するための縦断面図、第4図は等価回
路を示す回路図、第5図は他の実施例を示す縦断
面図、第6図は従来の半導体装置を示す縦断面図
である。 1:n基板、2:Pウエル(基板領域)、
3:nソース領域、5:nドレイン領域、6
:n低濃度ドレイン領域、7:ゲート絶縁膜、
16:n形ゲート電極、17:p形電極、18:
接地電極。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 第1導電形の基板領域の主面に離隔して形成さ
    れた第2導電形のソース領域及びドレイン領域と
    、 該ドレイン領域における前記ソース領域側に連
    設され当該ドレイン領域より低濃度の第2導電形
    の低濃度ドレイン領域と、 前記ソース領域とドレイン領域との間の前記基
    板領域及び低濃度ドレイン領域上に形成されたゲ
    ート絶縁膜と、 前記ソース領域と低濃度ドレイン領域との間の
    前記ゲート絶縁膜上に第2導電形の多結晶半導体
    により形成され、前記基板領域にチヤネルを誘起
    させるゲート電極と、 前記低濃度ドレイン領域上のゲート絶縁膜の上
    に第1導電形の多結晶半導体により形成され前記
    第2導電形の多結晶半導体との間で結合部が形成
    されるとともに該接合部が逆バイアスとなる電位
    が与えられる電極と を有することを特徴とする半導体装置。
JP2300688U 1988-02-25 1988-02-25 Pending JPH01127261U (ja)

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